技術參數

技術指標：
項目 描述
SE分辨率 3.0nm (30kV)，高真空模式
10nm (3kV), 高真空模式
BSE分辨率 4.0nm (30kV)，低真空模式
放大倍率 x5 ~ x300,000
加速電壓 0.3 ~ 30 kV
低真空范圍 6 ~ 270 Pa
*大樣品尺寸 直徑200mm
樣品臺 I型 II型
X 0 ~ 80mm 0 ~ 100mm
Y 0 ~ 40mm 0 ~ 50mm
Z 5 ~ 35mm 5 ~ 65mm
R 360º 360º
T -20 ~ +90º -20 ~ +90º
*大樣品高度 35mm (WD=10mm) 80mm (WD=10mm)
馬達驅動 手動 五軸馬達驅動
電子光學
電子槍 預對中鎢燈絲
物鏡光欄 可移動式4孔物鏡光欄
槍偏壓 四階梯度偏壓
檢測器 二次電子檢測器
高靈敏度半導體背散射電子檢測器
分析位置 WD=10mm, TOA=35o
顯示
語言 英語
操作系統(tǒng) Windows XP
控制 鼠標、鍵盤，手動旋鈕
自動調校 自動束流設定
自動合軸