金屬電極和耗盡區(qū)構成一個極板電容,這和兩塊金屬板構成的空氣電容類似。當反偏電壓越來越大時,耗盡層越來越深,對應的電容會越來越小。從測到的電容電壓數(shù)據(jù)對,我們可以分析計算出摻雜濃度隨深度的變化曲線。從得到的曲線可以進一步判斷摻雜濃度在深度分布上是否均勻等。
序號
項目
參數(shù)
備注
1
基本功能要求
1. 設備用于SiC外延層載流子濃度CV Mapping,設備是全自動汞探針系統(tǒng),帶掃描測試功能的高頻電容-電壓測試分析系統(tǒng)。
2. 樣品臺具備面掃描功能(即Mapping功能),兼容4寸和6寸樣品。
3. 與傳統(tǒng)的汞探針系統(tǒng)采用碳化硅片正面朝下、真空吸附測試方式不同,設備采用汞探針設計,測試時碳化硅片樣品正面朝上,探針為上面接觸,避免傳統(tǒng)設備玷污和破壞樣品、無法進行多點掃描測試的缺點。
4. 設備采用高精度調壓設備來**控制汞柱和碳化硅材料接觸面積。整體系統(tǒng)用汞量小于1毫升,設備具備自動換汞功能。測試腔體為負壓設計,以確保測試過程汞蒸發(fā)不會擴散,防止汞蒸汽泄露。
2
技術參數(shù)要求
1. 外延層載流子濃度測試范圍:1E14 carriers/cm3 to 1E19 carriers/cm3。載流子濃度測試重復性:1sigma <0.5%,測試精度:3sigma<3%; 測試標準:取單點靜態(tài)測試10次,10次測試值的STDEV/AVERAGE作為重復性測試值;精度是指(測試值-參考值)/參考值。
2. 單點測試面積:0.018-0.027 cm2;單點測試時間:<20s/點;單片測試時間:<3分鐘/片(4英寸SiC外延樣品測試9點)
3. 汞接觸面積重復性:1 sigma <0.167%。
4. 施加偏壓范圍不低于+/-100伏;
5. 測試電壓頻率可達到0.922MHz;測量電容為:0.922MHz時0~2000 pF,100kHz時0~20000 pF。
3
其他要求
1. 設備包含CV Meter單元、Test station單元、Chunk單元、Probe單元、PC控制單元。廠商隨機提供mos標準樣品。
功能要求
數(shù)量
單位
結構單元
MCV-530L測試臺
套
控制單元
馬達及氣動控制子系統(tǒng)
測量單元
Model 52 CV測試單元
4
電腦
電腦系統(tǒng)
5
汞探針
直徑1.7mm的錐形毛細管汞探針
10
個
General System Capabilities系統(tǒng)總體指標
Parameter參數(shù)
Response響應指標
Voltage電壓
+/-250Vlots standard
Ramp Rate升降壓速率
0 to 50 V/sec
Typical Accuracy(see below) 精度(詳見下表)
+/-0.5% of reading
+/-0.2% of full scale
Capacitance電容
0 to 2000 pF at 1 MHz
0 to 20000 pF at 100kHz
Conductance電導
0 to 2000 uS
Chuck樣品臺
200 mm diameter (MCV-530: 300mm diameter)
Capacitance Measurements (rdg=reading; FS=Full Scale) 電容測試系統(tǒng)指標
Range范圍
Resolution分辨率
Accuracy精度
2 pF
0.5 fF
+/-(0.5% rdg +/- 0.5%FS)
20 pF
5 fF
+/-(0.5% rdg +/- 0.2%FS)
200 pF
50 fF
2000 pF
0.5 pF
20000 pF (100kHz only)
5 pF
Conductance Measurements (rdg=reading; FS=Full Scale) 電導測試系統(tǒng)指標
2 uS
0.5 nS
20 uS
5 nS
200 uS
50 nS
2000 uS
0.5 uS
Drive Signal 驅動信號指標
Nominal Frequency名義頻率
100 kHz
1 MHz
Actual Frequency實際頻率
0.9216 MHz
Frequency Accuracy頻率精度
+/- 0.01%
Drive Voltage 驅動電壓
15mV, rms
粵公網(wǎng)安備 44030402001250號