Felles 硅片厚度測(cè)量?jī)x采用非接觸式測(cè)量方法，對(duì)晶圓的厚度和表面形貌進(jìn)行測(cè)量，F(xiàn)elles 硅片厚度測(cè)量?jī)x可廣泛用于：MEMS， 晶圓，電子器件，膜厚，激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測(cè)量。
Web: www.felles.cn （激光光學(xué)精密儀器網(wǎng)）
www.f-lab.cn （分析測(cè)試實(shí)驗(yàn)儀器網(wǎng)）
Felles 硅片厚度測(cè)量?jī)x特點(diǎn)
專業(yè)為掩膜，劃線的晶圓，粘到藍(lán)寶石或玻璃襯底上的晶圓等各種晶圓的厚度測(cè)量而設(shè)計(jì)，
適合50-300mm 直徑的晶圓的表面形貌測(cè)量。
采用紅外干涉技術(shù)，能夠**給出襯底厚度和厚度變化 （TTV)，
能實(shí)時(shí)給出超薄晶圓的厚度（掩膜過程中的晶圓），
非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等應(yīng)用。
具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，諸多材料例 如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測(cè)量，標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量空間分辨率可達(dá)50微米，更小的測(cè)量點(diǎn)也可以做到。
Felles 硅片厚度測(cè)量?jī)x特色
具有探針系統(tǒng)配件，使用該探針系統(tǒng)后，
可以高精度地測(cè)量圖案化晶圓,帶 保護(hù)膜的晶圓, 鍵合晶圓和帶凸點(diǎn)晶圓（植球晶圓），wafers with patterns, wafer tapes,wafer bump or bonded wafers 。
直接而**地測(cè)量晶圓襯底厚度和厚度變化TTV，
能夠測(cè)量晶圓薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness) 和凸點(diǎn)厚度（wafer pump height).，溝槽深度 （trench depth).
詳情瀏覽：http://www.felles.cn/jingyuanceshi/guipiancehou.html
- 溫馨提示：為規(guī)避購(gòu)買風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購(gòu)買前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)與產(chǎn)品質(zhì)量。
- 免責(zé)申明：以上內(nèi)容為注冊(cè)會(huì)員自行發(fā)布，若信息的真實(shí)性、合法性存在爭(zhēng)議，平臺(tái)將會(huì)監(jiān)督協(xié)助處理，歡迎舉報(bào)