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噪聲分析儀紡織檢測儀器 Toc分析儀 PT-303紅外測溫儀轉(zhuǎn)矩測試儀繼電保護試驗儀定氮儀

北京錦正茂科技有限公司
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產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號	產(chǎn)品簡單介紹
	霍爾效應系統(tǒng)-低溫型可變溫設備 JH60D	為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。
	霍爾效應系統(tǒng)-可變溫測試系統(tǒng) JH60C	JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。霍爾效應系統(tǒng)-高低溫磁場型
	霍爾效應系統(tǒng)-高磁場 JH60B	為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。
	霍爾效應測試儀 JH60A	用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。
	高溫霍爾效應測試系統(tǒng) JH60E	高溫霍爾效應測試系統(tǒng)可測試材料: 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應測試系統(tǒng)低溫型儀器 JH60D	霍爾效應測試系統(tǒng)-低溫型可測試材料: 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應測試系統(tǒng)-高低溫磁場型 JH60C	霍爾效應測試系統(tǒng)-高低溫磁場型可測試材料: 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應測試系統(tǒng)-高磁場 JH60B	JH60B霍爾效應測試系統(tǒng)-高磁場可測試材料: 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；? 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應測試儀-電磁鐵型 JH60A	霍爾效應測試儀-電磁鐵型可測試材料: 半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	高溫磁場加熱系統(tǒng) GC350-200	主要技術(shù)指標： ※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度） ※ 控溫精度：±1℃ ※ 溫度分辨率：0.1℃ ※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨固定）
	錦正茂科技低溫三維磁場探針臺	可以進行真空環(huán)境中的高低溫測試（10K~325K）。磁場強度在x軸上為0.75T，在Y軸上為0.75 T，在z軸上為0.4T。
	高低溫探針臺半導體光電測試 T8-LY100	1、真空腔體約直徑260mm， 2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英 3、樣品載臺直徑：50mm 樣品載臺平整度<5微米
	高?？蒲袑嶒炇腋叩蜏靥结樑_ T8-LY100	可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學測試。
	錦正茂科技定制高低溫探針臺 T8-LY100	高低溫探針臺T8-LY100能夠為半導體芯片的電學參數(shù)測試提供一個80K-420K高低溫測試環(huán)境，
	芯片測試設備真空磁場探針臺	實驗測量設備磁場探針臺芯片測試半導體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等。
	半導體材料測量探針臺真空磁場	半導體材料測量探針臺高低溫真空磁場環(huán)境高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等。
	氣氛型高溫探針臺鉑電阻溫度計 JZM-63H JZM-100H	快速實現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對樣品進行光學，電學測試。
	實驗室半導體材料測量探針臺 JZM-D30	實驗室半導體材料測量儀器定制精度實驗臺該探針臺和我司自主研發(fā)的精度雙極性恒流電源搭配使用，可以提高磁場的穩(wěn)性。
	氣氛型高溫探針臺測試系統(tǒng) JZM-63H JZM-100H	氣氛型高溫探針臺測試系統(tǒng)光學電學儀器此款探針臺可在真空環(huán)境下對樣品進行光學，電學測試。
	多維磁場探針臺測試系統(tǒng)	多維磁場探針臺測試系統(tǒng)無磁材質(zhì)半導體測試樣品臺直徑：50mm可定制；磁場分辨率：0.05 mT