介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀北京GDAT高頻 Q 表作為*新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達(dá)到目前國內(nèi)*高的160MHz。
GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)**技術(shù)：
雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動(dòng)化測量技術(shù) -對(duì)測試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高**、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測試回路*優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至*低，徹底根除 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。
gdat高頻Q表的**設(shè)計(jì)，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了**的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具
，測量值更為**，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無須關(guān)注量程和換算單位。
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)??測試回路的殘余電感減至*低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測量值更為**。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
主要技術(shù)特性
Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述
BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)**。
測試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
電感：
線圈號(hào) 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
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一、核心特性
?精密測量系統(tǒng)?
采用高頻諧振法及電橋法相位差檢測技術(shù)，通過對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)電容器與待測樣品的電流相位差，計(jì)算復(fù)介電常數(shù)（ε' 和 ε''）及介質(zhì)損耗角正切（tanδ=ε''/ε'），測量精度可達(dá)微伏級(jí)信號(hào)分辨。
配備三電極結(jié)構(gòu)（保護(hù)電極、測量電極、高壓電極），消除邊緣效應(yīng)誤差，確保電場強(qiáng)度接近實(shí)際工況（如 IEC 60250 標(biāo)準(zhǔn)要求 1kV/mm）。
?寬頻與多參數(shù)覆蓋?
支持頻率范圍從低頻（20Hz）至高頻（1MHz），部分型號(hào)可擴(kuò)展至射頻范圍，滿足不同材料的電學(xué)特性分析需求。
同時(shí)測量電容、電感、電阻等參數(shù)，電容量覆蓋范圍從 3pF 至 30μF，適用于電容器、絕緣材料及復(fù)合材料的性能評(píng)估。
?智能控制與擴(kuò)展功能?
集成自動(dòng)化測試流程，通過 PID 算法實(shí)現(xiàn)溫度控制（-40℃至200℃），部分型號(hào)支持液氮低溫?cái)U(kuò)展，適應(yīng)極端環(huán)境測試。
配備大容量存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)分析軟件，支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出、遠(yuǎn)程監(jiān)控及報(bào)告生成，提升測試效率。
二、應(yīng)用意義
?材料研發(fā)與優(yōu)化?
通過介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）的**測量，揭示材料的極化能力、能量損耗特性及微觀結(jié)構(gòu)，指導(dǎo)新材料的開發(fā)與改性（如納米復(fù)合材料表面處理優(yōu)化）。
?工業(yè)質(zhì)量控制?
在電力系統(tǒng)中，檢測絕緣材料（如高壓電纜）的介質(zhì)損耗可預(yù)防因溫升導(dǎo)致的絕緣層老化或擊穿事故，保障設(shè)備**運(yùn)行。
優(yōu)化電容器、電感器等電子元件的介質(zhì)材料選擇，提升高頻工作條件下的 Q 值及元件壽命。
?科研與標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證?
研究介電馳豫現(xiàn)象及材料老化機(jī)制，通過不同頻率和溫度下的介電性能分析，揭示材料分子運(yùn)動(dòng)規(guī)律，為理論模型提供數(shù)據(jù)支撐。
驗(yàn)證材料是否符合國際標(biāo)準(zhǔn)（如 IEC 60250），推動(dòng)行業(yè)技術(shù)規(guī)范的制定與更新。
?總結(jié)?：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀通過高精度測量與智能化設(shè)計(jì)，為材料科學(xué)、工業(yè)制造及基礎(chǔ)研究提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)，是保障材料性能優(yōu)化和設(shè)備**的核心工具。
電常數(shù)測試方法主要分為接觸式和非接觸式兩大類，具體方法及其特點(diǎn)如下：
一、接觸式測量法
?電容法?
原理?：將待測材料作為電容器介質(zhì)，通過測量電容值計(jì)算介電常數(shù)。需注意消除邊緣電容誤差，常用保護(hù)電極技術(shù)。
優(yōu)點(diǎn)?：操作簡單、成本低。
缺點(diǎn)?：易受材料厚度和表面粗糙度影響。
應(yīng)用?：電子材料、絕緣材料等領(lǐng)域。
?諧振法（諧振腔法）?
原理?：將材料置于微波諧振腔中，通過諧振頻率變化計(jì)算介電常數(shù)。
優(yōu)點(diǎn)?：精度高。
缺點(diǎn)?：設(shè)備昂貴且操作復(fù)雜。
應(yīng)用?：高精度材料檢測。
?阻抗法?
原理?：將材料視為電阻和電容的并聯(lián)電路，測量阻抗后計(jì)算介電常數(shù)。
優(yōu)點(diǎn)?：可減少材料厚度影響。
缺點(diǎn)?：操作復(fù)雜度較高。
二、非接觸式測量法
微波法?
原理?：分析微波在材料中的反射/透射參數(shù)，推導(dǎo)介電常數(shù)。
優(yōu)點(diǎn)?：測量速度快。
缺點(diǎn)?：設(shè)備成本高。
變壓器介損測試儀（介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀）主要用于測量變壓器繞組、套管等設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）及等效電容，其工作原理與接線方法如下：
一、核心工作原理
?交流阻抗法?
通過施加特定頻率（如50Hz或異頻45Hz/55Hz）的交流電壓，測量絕緣介質(zhì)在電場作用下的極化與損耗現(xiàn)象，計(jì)算電流與電壓的相位差以確定tanδ。
?電橋平衡原理?
采用西林電橋結(jié)構(gòu)，將標(biāo)準(zhǔn)電容與試品電容構(gòu)成平衡電路，調(diào)節(jié)電橋參數(shù)直至電流平衡，通過比例關(guān)系直接讀出tanδ值和電容量。
?數(shù)字化測量?
現(xiàn)代儀器通過高速A/D轉(zhuǎn)換器采集電壓、電流波形，利用FFT算法提取相位差，結(jié)合電容模型計(jì)算介質(zhì)損耗參數(shù)。
二、接線方法與適用場景
（一）?正接法（常規(guī)測試）?
?適用場景?：試品低壓端對(duì)地絕緣（如變壓器繞組、套管主絕緣）。
?接線步驟?：
高壓輸出線（紅色）芯線接試品高壓端（如繞組短接點(diǎn)），屏蔽層接地；
CX輸入線（黑色）芯線接試品低壓端（如套管末屏），屏蔽線接地或懸空；
非被試?yán)@組及鐵芯接地，保持試品與地絕緣良好。
?注意?：HV與CX的芯線與屏蔽線嚴(yán)禁短路，否則無法采樣。
（二）?反接法（特殊接地場景）?
?適用場景?：試品低壓端直接接地?zé)o法絕緣（如末屏對(duì)地絕緣電阻異常）。
?接線步驟?：
高壓輸出線芯線接試品高壓端（如末屏抽頭），屏蔽線懸空；
低壓端接地，CX輸入線不連接；
測試電壓通常限制在2kV以內(nèi)，避免絕緣擊穿。
三、典型試驗(yàn)流程
?預(yù)檢準(zhǔn)備?
記錄環(huán)境溫濕度，確保試品表面清潔無污損；
短接非被試?yán)@組并接地（如A、B、C高壓繞組短接，低壓a、x短接）。
?操作流程?
選擇正/反接線模式并設(shè)置測試電壓（常規(guī)10kV，反接≤2kV）；
啟動(dòng)升壓，儀器自動(dòng)計(jì)算tanδ與電容量，超閾值時(shí)觸發(fā)告警；
測試完成后自動(dòng)放電，斷開接線。
?**規(guī)范?
高壓線懸空避免接觸地面，防止附加介質(zhì)損耗引入誤差；
過流保護(hù)需在擊穿后0.1秒內(nèi)切斷電源。
四、應(yīng)用實(shí)例
?測試對(duì)象? ?接線模式? ?關(guān)鍵參數(shù)?
變壓器繞組 正接法 tanδ≤0.5%（20℃基準(zhǔn)）
電容型套管末屏 反接法 絕緣電阻>1000MΩ，tanδ≤0.023
互感器繞組 正接法 電容量變化率≤±3%
通過上述原理與接線規(guī)范，可有效評(píng)估變壓器絕緣老化、受潮及局部缺陷，為設(shè)備狀態(tài)檢修提供數(shù)據(jù)支持。
變壓器介損測試的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，依據(jù)試驗(yàn)流程及**要求分類整理：
?測試前準(zhǔn)備?
?試品預(yù)處理?
清潔試品表面，確保無油污、灰塵或濕氣，套管法蘭及接線端子需干燥；
非被試?yán)@組（如高壓側(cè)A/B/C）應(yīng)短接并可靠接地，避免感應(yīng)電壓干擾。
?儀器校核?
檢查介損測試儀接地狀態(tài)，確保外殼電位與地一致（接地電阻≤4Ω）
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