薄膜鉑電阻是用真空沉積的薄膜技術(shù)把鉑噴濺在陶瓷基片上，膜厚在2微米以內(nèi)，用玻璃燒結(jié)把Ni（或Pd）引線固定，經(jīng)微光調(diào)阻制成的薄膜元件。
    

• 薄膜鉑電阻的相關(guān)參數(shù)

  • 技術(shù)指標(biāo)   名稱  分度號  測溫范圍   ℃    精度等級  誤差Δt ℃

    薄膜鉑電阻    Pt100  Pt500  Pt1000 -200～600 1/3DIN ±(0.10+0.0017| t | )

    A級     ±(0.15±0.002 | t | )

    B級     ±(0.30±0.005 | t | )

    公稱壓力

    一般是指在常溫下，保護(hù)管所能承受的靜態(tài)外壓而不破裂，試驗壓力一般采用公稱壓力的1.5倍，實際上，允許公稱壓力不僅與保護(hù)管材料、直徑、壁厚有關(guān)，而且還與其結(jié)構(gòu)形式、安裝方法、置入深度以及被測介質(zhì)的流速、種類有關(guān)。

    熱響應(yīng)時間

    在溫度出現(xiàn)階躍變化時，薄膜鉑電阻的輸出變化至量程變化的50[%]所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用τ0.5表示。

    薄膜鉑電阻絕緣電阻

    常溫絕緣電阻的試驗電壓可取直流10～100V任意值，環(huán)境溫度在15～35℃范圍內(nèi)，相對濕度應(yīng)不大于80[%]，常溫絕緣電阻值應(yīng)大于100MΩ。

    薄膜鉑電阻允許通過電流

    通過薄膜鉑電阻的測量電流*大不應(yīng)超過1mA 。

• 薄膜鉑電阻的特點及應(yīng)用

       薄膜鉑電阻具有精度高，穩(wěn)定性好，可靠性強(qiáng)，產(chǎn)品壽命長等優(yōu)點,適用于工業(yè)自動化測量及各種實驗。

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