創(chuàng)傷性腦損傷(traumatic brain injury，TBI)是神經(jīng)外科*常見的**，是導致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、神經(jīng)病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護**提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型，是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點。
VCU動物顱腦損傷儀可以分為細胞損傷控制儀（CIC），電子腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀（eCCI）及液壓沖擊損傷儀（FPI）。這三種產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于世界范圍內(nèi)的顱腦創(chuàng)傷研究中心，是目前**的顱腦創(chuàng)傷模型制作的金標準。同時FPI損傷儀還可應用到眼科損傷模型，CIC細胞損傷儀可以應用到其它種類細胞損傷模型的制作。
液壓沖擊損傷儀（FPI）
|
液壓沖擊損傷儀（Fluid Percussion Injury）是由VCU大學所制作設計的，針對神經(jīng)創(chuàng)傷機制研究。成為全球研究神經(jīng)創(chuàng)傷廣泛使用的儀器，基本的組件是采取*先進的Power coating process技術，鋁制部分的組件都已經(jīng)電鍍以避免氧化且可以長久使用。液壓沖擊腦損傷儀可以重復一致的產(chǎn)生液壓沖擊損傷(FPI)。
系統(tǒng)優(yōu)點：
可方便的排除氣飽。
角度刻度可方便觀察撞擊角度。
集成壓基準力輸出，方便校準?？奢敵?*沖擊壓力。
配備高精度的壓力傳感
|
|
細胞損傷控制儀（CIC）
| 細胞損傷控制儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品，或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性（strain-induced trauma）損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學、生理學，**干預等方面的研究。細胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有**的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室，以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數(shù)值可以用來**地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因為根據(jù)所采用的細胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況，受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復，所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應用在下列損傷反應研究：細胞受損、修護，死亡，**介入。 |
|
電子腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀（eCCI）
由VCU大學所制作設計的電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀（electric Cortical Contusion Impactor），主要針對腦皮質(zhì)挫傷模型。是神經(jīng)損傷研究機構(gòu)*受歡迎的損傷模型制作工具。電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀（eCCI）的組件有： 堅固的鋁架，動物平臺，撞擊控制器和撞擊頭。動物平臺可以和各種立體定位儀搭配使用。eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀使用**的線性馬達驅(qū)動撞擊頭，并由控制器來控制撞擊參數(shù)，實現(xiàn)不同程度的損傷。撞擊頭的組件部分有含感應器，可以確定速率、撞擊深度及撞擊停留。這些撞擊參數(shù)完全可以重復實現(xiàn)。
與傳統(tǒng)Feeney＇s自由落體硬膜外撞擊方法相比有以下優(yōu)點：
可**連續(xù)的控制撞擊速度，并獲得實際撞擊深度和停留時間等參數(shù)。而非重量差異很大的撞擊。由于可**控制撞擊速度和獲得實際撞擊結(jié)果參數(shù)，eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀可以**重復制作挫傷損傷模型。減少動物死亡。使實驗過程更加直觀，可控。 |
|