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產(chǎn)品資料

局部放電測(cè)試儀

局部放電測(cè)試儀
  • 如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話,可以
  • 產(chǎn)品名稱:局部放電測(cè)試儀
  • 產(chǎn)品型號(hào):YQ-GF-JB1
  • 產(chǎn)品展商:其它品牌
  • 產(chǎn)品文檔:無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
產(chǎn)品參考標(biāo)準(zhǔn):IEC 61730:2-2004“局部放電試驗(yàn)”,局部放電測(cè)試儀用于晶體硅組件TPT背膜檢測(cè)。
產(chǎn)品描述

產(chǎn)品參考標(biāo)準(zhǔn):IEC 61730:2-2004“局部放電試驗(yàn)”,用于晶體硅組件TPT背膜檢測(cè)。

        IEC61730-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的是起弧電壓(Inception Voltage)和滅弧電壓(Extinction Voltage)。由于判定這二個(gè)電壓需要依照局部放電電荷量,而這是不能直接測(cè)量的,因此,IEC61730-2標(biāo)準(zhǔn)引入了IEC60644-1標(biāo)準(zhǔn)中的視在電荷量(q)的定義和相應(yīng)的間接測(cè)量法,視在電荷量以公式q = CbΔ(Vc)表示,以PC(皮庫(kù)侖)為單位。

 

局部放電測(cè)試儀性能介紹

施加交流電壓:AC0.01kV?5kVrms(電壓變化:自動(dòng)/手動(dòng)) 

電壓自動(dòng)變化模式:3種基本模式 

電荷測(cè)量:0.1pC~1000pC

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