技術(shù)參數(shù)

  * 柱箱：溫控范圍：室溫+5℃-399℃
溫控穩(wěn)定性：0.5%
    升溫速率：200℃以內(nèi)為39℃/分鐘；200℃以上為20℃/分鐘
    程序升溫重復(fù)性：2%
程序升溫階數(shù)：9階
  *
檢測器：FID：溫控范圍：室溫+5℃-399℃;檢測限：≤5×10^-12g/s;基線噪聲：≤5×10^-14A
  TCD：溫控范圍：室溫+5℃-399℃;檢測限：≥10000mV·ml/mg(正十六烷）;
  基線噪聲：≤0.03mV(載氣為99.999的氫氣）
  ECD：溫控范圍：室溫+5℃-350℃;檢測限：≤3×10^-14g/ml（γ-666）;
  基線噪聲：≤15μV;
放射源：63Ni
  NPD：溫控范圍：室溫+5℃-399℃;檢測限：≤5×10^-12g/s(N)、≤5×10^-13g/s(P);
  基線噪聲：≤2×10^-12A
  FPD：溫控范圍：室溫+5℃-399℃;檢測限：≤1×10^-11g/s(P)、≤1×10^-10g/s(S);
  基線噪聲：≤8×10^-11A