可制冷傳感器有著45和70攝氏度的溫度增量
10MHz的掃描頻率
動態(tài)范圍:>1000:1
低暗電流小于0.4pA
選通時間從微秒到秒
像素可操作性:>99.5%
光譜范圍從0.9到1.7微米
風冷/水冷
太陽能電池檢查
裸露的太陽能電池硅片檢測
半導體檢測
天文學
熔爐溫度檢測
工業(yè)熱成像
光譜成像
皮膚病學成像
低分辨率SWIR
高分辨率SWIR
陣列規(guī)格
320(h)×256(v)砷化銦鎵陣列
640(h)×512(v)砷化銦鎵陣列
輸入像素尺寸
30×30µm
25×25µm
輸入尺寸
9.6×7.68mm
16×12.8mm
fps
全分辨率下25fps@10MHz
讀出噪聲
高增益模式下插值降噪為120-150e—@10MHz;在低增益模式下為380 e—
高增益模式下插值降噪為120-150e—@10MHz;??低增益模式下為380 e—
滿阱容量
在高增益模式下為170,000e—;在低增益模式下為3,500,000 e—
在高增益模式下為 39,000e—;在低增益模式下為1,900,000 e—
輸出字節(jié)
16-bit 動態(tài)擴展范圍
響應度
低增益模式下:0.7 µV/e—
高增益模式下:13.3µV/e—
低增益模式下:1.2 µV/e—
高增益模式下:31µV/e—
16位動態(tài)擴展范圍
峰值QE
>70%@1100nm,>65%從1000—1600nm
>70%@1100nm,>65%@1000—1600nm
SWIR1.7
SWIR LR2.2擴展型
30×30微米
高增益模式下插值降噪為100-130e—@10MHz;在低增益模式下為350 e—
在高增益模式下為150,000e—;在低增益模式下為3,500,000 e—
在高增益模式下為170,000e—;在低增益模式下為3,500,000 e—
>80%@1670nm,>70%從1400—2100nm