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電流傳感器IC下的擴(kuò)展
　　電流傳感器IC下的擴(kuò)展，你知道嗎？下面就一起來看看吧！
電流傳感器IC下的擴(kuò)展
臨近電流產(chǎn)生的磁場
為了充分利用這些器件的CMR功能，包含IC的電路板應(yīng)設(shè)計(jì)為兩個霍爾板的外部磁場相同。這有助于*大限度減少載流PCB自身產(chǎn)生的外部磁場導(dǎo)致的錯誤。每個載流軌跡的三個主要參數(shù)據(jù)決定了導(dǎo)致IC錯誤：與IC的距離、載流體的寬度以及它和IC之間的角度。
兩個霍爾板的位置和方向隨IC的不同而有所變化。
如果無法保持θ接近90°，下一個*好的選擇是保持電流路徑與電流傳感器IC之間距離d盡可能大。假定電流路徑與IC的夾角*差，即θ=0°或180°
此處，H距離是兩個霍爾板之間的距離，Cf是IC耦合因數(shù)。此耦合因數(shù)隨IC不同而變化。ACS780的耦合因數(shù)是5至5.5G/A,而其他Allegro IC的耦合因數(shù)范圍是10至15G/A.
誤差估計(jì)
等式1假定是無限長、無限細(xì)的導(dǎo)線。它沒有考慮載流導(dǎo)體的寬度和厚度。圖4是在*差條件方向（θ = 0° 或180°）計(jì)算得出的通過ACS780的載流體誤差。該誤差是采用理想等式以及考慮導(dǎo)體寬度和厚度的計(jì)算密集方程組計(jì)算得出。
使用更**的計(jì)算方法可以為不同寬度的電流路徑以及器件和電流路徑之間不同的角度計(jì)算誤差。對于所有角度和寬度，都假定使用4盎司規(guī)格銅導(dǎo)體設(shè)定電流軌跡厚度。
其他需要考慮的布局原則
如果布置包含具有CMR的Allegro電流傳感器IC的電路板，所有載流路徑的方向和接近性是重要因素，但優(yōu)化IC性能還要考慮其他因素。可能影響系統(tǒng)誤差的其他雜散場來源包括與IC集成載流體相連的軌跡以及臨近長久磁體的位置。
必須小心規(guī)劃電路板與電流傳感器IC的連接方式?？赡苡绊懶阅艿某Ｒ婂e誤是：
電流路徑到IP管腳的接近角度
電流軌跡在IC下面擴(kuò)展得過遠(yuǎn)
IC下的擴(kuò)展
另一個常見錯誤是電流軌跡與IP管腳距離過遠(yuǎn)。根據(jù)器件的不同，這可能導(dǎo)致兩種不同的問題。如果是采用SOIC和類似封裝的器件，這可能導(dǎo)致IC上產(chǎn)生雜散場，使性能降低。如果采用LR封裝，由于IP總線較大并且暴露在外，在封裝下面過遠(yuǎn)布線可能改變通過IP總線的電流路徑，從而改變器件的性能。下面內(nèi)容將更詳細(xì)地介紹對LR封裝的影響。
對于雜散場而言，如果電流軌跡以一定的角度進(jìn)入IP總線，問題會更加嚴(yán)重。如果發(fā)生這種情況，電流實(shí)際在部件下面流過，背向IP管腳，然后向上通過IP管腳。改變的電流路徑可能會導(dǎo)致雜散場產(chǎn)生，降低IC精度。禁止在器件下面擴(kuò)展至IP管腳的電流軌跡就可以防止這種情況。
以上就是關(guān)于電流傳感器IC下的擴(kuò)展的詳細(xì)介紹，相信大家也都知道了，希望可以幫到大家！