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傳感器電路的內(nèi)部噪聲
　　傳感器電路的內(nèi)部噪聲，大家知道嗎？下面就一起來看看吧！
傳感器電路的內(nèi)部噪聲
1.1 高頻熱噪聲
高頻熱噪聲是由于導(dǎo)電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動產(chǎn)生的。
溫度越高，電子運動就越激烈。導(dǎo)體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動會在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動，因其是無序運動，故它的平均總電流為零，但當(dāng)它作為一個元件（或作為電路的一部分）被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。
通常在工頻內(nèi)，電路的熱噪聲與通頻帶成正比，通頻帶越寬，電路熱噪聲的影響就越大。在通頻帶△f內(nèi)
1.2 低頻噪聲
低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導(dǎo)電微粒不連續(xù)造成的。
特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時，會使電阻的導(dǎo)電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸**的閃爆電弧。
另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。
1.3 半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲
由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。
當(dāng)外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動，相當(dāng)于對電容充電。當(dāng)正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當(dāng)于電容放電。
當(dāng)外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。
1.4 電路板上的電磁元件的干擾
許多電路板上都有繼電器、線圈等電磁元件，在電流通過時其線圈的電感和外殼的分布電容向周圍輻射能量，其能量會對周圍的電路產(chǎn)生干擾。
像繼電器等元件其反復(fù)工作，通斷電時會產(chǎn)生瞬間的反向高壓，形成瞬時浪涌電流，這種瞬間的高壓對電路將產(chǎn)生極大的沖擊，從而嚴重干擾電路的正常工作。
1.5 電阻器的噪聲
電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應(yīng)和電阻本身的熱噪聲。
例如一個阻值為R的實芯電阻，可等效為電阻R、寄生電容C、寄生電感L的串并聯(lián)。
一般來說，寄生電容為0.1~0.5 pF,寄生電感為5~8 nH.在頻率高于1 MHz時，這些寄生電感電容就不可忽視了。
各類電阻都會產(chǎn)生熱噪聲，一個阻值為R的電阻（或BJT的體電阻、FET的溝道電阻）未接入電路時
以上就是關(guān)于傳感器電路的內(nèi)部噪聲的詳細介紹，希望可以幫到大家！