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電流傳感器引線框磁場
　　使用配備集成載流環(huán)的IC具有很多優(yōu)勢：無需磁芯、基本沒有磁滯、功率低、并且具有較高的溫度精 確度。但是，由于不存在磁芯，傳感器容易受到磁體或傳感器IC周圍導(dǎo)線電流產(chǎn)生的雜散磁場的影響。為了抑制雜散磁場的出現(xiàn)，Allegro的很多電流傳感器都具有雙霍爾共模抑制方案?；魻柊宓牟贾梅绞揭_保當(dāng)電流通過IC集成導(dǎo)體或載流環(huán)時，每個霍爾板感應(yīng)的場極性相反。兩個霍爾板的位置用H1和H2表示。
采用CMR技術(shù)的基本原理是：如果兩個霍爾板的信號相減，然后可以將集成環(huán)引發(fā)的信號求和，這樣就可以抑制來自進(jìn)入IC的任何雜散磁場共模（單極）信號。簡單舉例，假定每個霍爾板的磁場±B大小相等，方向相反，則：
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B – B2 = B – （–B）
B – （–B） = 2 × B
因此，
H1 – H2 ∝ 2 × B
假定兩個霍爾板上具有相等的雜散磁場Bext,則：
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B1 – B2 = （B + Bext ） – （–B + Bext）
（B + Bext ） – （–B + Bext ） = 2 × B + Bext – Bext
2 × B + Bext – Bext = 2 × B
因此，
H1 – H2 ∝ 2 × B
Allego的其它技術(shù)資料《無磁芯霍爾效應(yīng)電流傳感器IC采用的共模場抑制技術(shù)》更詳細(xì)地介紹了CMR技術(shù)的理論和指導(dǎo)方程。本文介紹的主要技術(shù)是如何設(shè)計和布置這些電流傳感器IC的載流線路。此外，本文也提供了*小化其他雜散來源的指南。