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熱蒸發(fā)鍍膜儀的物理過程主要包括材料的蒸發(fā)、氣態(tài)粒子的輸運以及在基底上的沉積成膜。在蒸發(fā)過程中,材料需要獲得足夠的熱能以克服分子間的結合能,從而轉變?yōu)闅鈶B(tài)分子并從蒸發(fā)源表面逸出 。這些氣態(tài)粒子在輸運過程中基本上無碰撞地直線飛行到基底表面,并在那里凝聚形核生長成固相薄膜
本產(chǎn)品為專為高真空設計的桌面型小型蒸發(fā)鍍膜儀,可提供*大150A的鍍膜電流,*大蒸發(fā)溫度可達1800℃,能夠滿足各種常見金屬的蒸鍍及部分非金屬蒸鍍。真空腔體采用不不銹鋼制作,出廠經(jīng)過除氣處理,配合分子泵組可達到5x10-5Pa極限真空,能夠滿足絕大部分材料蒸發(fā)所需的真空環(huán)境。真空腔體采用前開門開啟方式,便于取放樣,腔體上配置有帶擋板的適應觀察窗,用于觀察鍍膜過程,擋板則可以有效防止觀察窗被膜料污染.
蒸發(fā)鍍膜儀產(chǎn)品特點:
	高純度薄膜:由于在高真空條件下進行,減少了氣體分子與蒸發(fā)材料的碰撞,從而能夠制備出高純度的薄膜。
**控制:蒸發(fā)鍍膜技術允許對薄膜的厚度、成分和結構進行**控制,這在許多高精度應用中至關重要。
適用多種材料:蒸發(fā)鍍膜技術可以用于多種材料,包括金屬、合金、氧化物、碳化物、氮化物以及有機材料等。
高沉積速率:特別是使用電子束蒸發(fā)時,由于高能量的電子束能夠快速加熱材料,可以實現(xiàn)高沉積速率。
均勻性:通過適當?shù)墓に噮?shù)調(diào)整,可以在大面積基底上獲得均勻的薄膜。
低損傷:由于加熱主要集中在蒸發(fā)材料上,對基底的熱影響較小,適用于熱敏材料的薄膜沉積。
技術參數(shù):
| 產(chǎn)品名稱 | 桌面型三源蒸發(fā)鍍膜儀 | |
| 產(chǎn)品型號 | CY-EVZ254- III-H-SS | |
| 真空腔體 | 腔體材質(zhì) | 304不銹鋼焊接而成,表面做拋光處理 | 
| 取放模式 | 前開門方式取放樣品和蒸鍍材料 | |
| 觀察窗 | 直徑80mm真空窗口,配有磁力擋板,防止污染 | |
| 樣品臺 | 樣品尺寸 | ≦100mm | 
| 旋轉速度 | 0-20RPM | |
| 加熱溫度 | ≦300℃ | |
| 蒸發(fā)系統(tǒng) | 蒸發(fā)源 | 塢舟3個 | 
| 鍍膜方式 | 熱蒸發(fā)鍍膜 | |
| 真空系統(tǒng) | 抽氣接口:KF25/40, 排氣接口: KF16 | |
| 復合真空計 | ||
| 前級泵 | 旋片泵 抽速: 1.1L/S | |
| 分子泵 | 抽速: 60L/S (大阪分子泵) | |
| 膜厚測量 | 通常配CYKY膜厚測量儀 | |
| 供電電壓 | AC220V,50Hz | |
| 整機功率 | 2KW | |
| 外形尺寸 | 710mm X 480mm X690mm | |
| 包裝重量 | 70 KG | |
 
                    



