 
    寧波瑞柯微智能科技有限公司
    
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     粉末振實(shí)密度儀,松裝密度測(cè)定儀,堆積密度儀,表觀密度測(cè)試儀,史考特容量計(jì),霍爾流速計(jì),粉末流動(dòng)性測(cè)試儀,粉體流變儀,安息角測(cè)定儀,休止角測(cè)定儀,流動(dòng)角測(cè)定儀,粉體特性測(cè)試儀,粉體綜合特性測(cè)試儀,粉體物性測(cè)試儀,粉體物理特性測(cè)試儀,粉末電阻率測(cè)試儀,材料電阻率測(cè)試儀,四探針測(cè)試儀,四探針電導(dǎo)率測(cè)試儀,方塊電阻測(cè)試儀,方阻儀,表面和體積電阻率測(cè)試儀,電壓降測(cè)試儀
  
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                        方阻計(jì)注意事項(xiàng)
日期:2025-10-25 16:23
            瀏覽次數(shù):146
        
            摘要:
        
    方阻計(jì)注意事項(xiàng)
如果方阻值比較小,如在幾個(gè)歐姆以下,因?yàn)榇嬖诮佑|電阻以及萬(wàn)用表本身性能等因素,用萬(wàn)用表測(cè)試就會(huì)存在讀數(shù)不穩(wěn)和測(cè)不準(zhǔn)的情況。這時(shí)就需要用專門(mén)的用四端測(cè)試的低電阻測(cè)試儀器,如毫歐計(jì)、微歐儀等。測(cè)試方法如下:用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上,二所示。四根銅棒用A、B、C、D表示,它們上面焊有導(dǎo)線接到毫歐計(jì)上,我們使BC之間的距離L等于導(dǎo)電薄膜的寬度W,至于AB、CD之間的距離沒(méi)有要求,一般在10--20mm就可以了,接通毫歐計(jì)以后,毫歐計(jì)顯示的阻值就是材料的方阻值。這種測(cè)試方法的優(yōu)點(diǎn)是:(1)用這種方法毫歐計(jì)可以測(cè)試到幾百毫歐,幾十毫歐,甚至更小的方阻值,(2)由于采用四端測(cè)試,銅棒和導(dǎo)電膜之間的接觸電阻,銅棒到儀器的引線電阻,即使比被測(cè)電阻大也不會(huì)影響測(cè)試精度。(3)測(cè)試精度高。由于毫歐計(jì)等儀器的精度很高,方阻計(jì)方阻的測(cè)試精度主要由膜寬W和導(dǎo)**BC之間的距離L的機(jī)械精度決定,由于尺寸比較大,這個(gè)機(jī)械精度可以做得比較高。方阻計(jì)在實(shí)際操作時(shí),為了提高測(cè)試精度和為了測(cè)試長(zhǎng)條狀材料,W和L不一定相等,可以使L比W大很多,此時(shí)方阻Rs=Rx*W/L,Rx為毫歐計(jì)讀數(shù)。
如果方阻值比較小,如在幾個(gè)歐姆以下,因?yàn)榇嬖诮佑|電阻以及萬(wàn)用表本身性能等因素,用萬(wàn)用表測(cè)試就會(huì)存在讀數(shù)不穩(wěn)和測(cè)不準(zhǔn)的情況。這時(shí)就需要用專門(mén)的用四端測(cè)試的低電阻測(cè)試儀器,如毫歐計(jì)、微歐儀等。測(cè)試方法如下:用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上,二所示。四根銅棒用A、B、C、D表示,它們上面焊有導(dǎo)線接到毫歐計(jì)上,我們使BC之間的距離L等于導(dǎo)電薄膜的寬度W,至于AB、CD之間的距離沒(méi)有要求,一般在10--20mm就可以了,接通毫歐計(jì)以后,毫歐計(jì)顯示的阻值就是材料的方阻值。這種測(cè)試方法的優(yōu)點(diǎn)是:(1)用這種方法毫歐計(jì)可以測(cè)試到幾百毫歐,幾十毫歐,甚至更小的方阻值,(2)由于采用四端測(cè)試,銅棒和導(dǎo)電膜之間的接觸電阻,銅棒到儀器的引線電阻,即使比被測(cè)電阻大也不會(huì)影響測(cè)試精度。(3)測(cè)試精度高。由于毫歐計(jì)等儀器的精度很高,方阻計(jì)方阻的測(cè)試精度主要由膜寬W和導(dǎo)**BC之間的距離L的機(jī)械精度決定,由于尺寸比較大,這個(gè)機(jī)械精度可以做得比較高。方阻計(jì)在實(shí)際操作時(shí),為了提高測(cè)試精度和為了測(cè)試長(zhǎng)條狀材料,W和L不一定相等,可以使L比W大很多,此時(shí)方阻Rs=Rx*W/L,Rx為毫歐計(jì)讀數(shù)。
  影響探頭法測(cè)試方阻精度的因素:
  (1)要求探頭邊緣到材料邊緣的距離大大于探針間距,一般要求10倍以上。
  (2)要求探針頭之間的距離相等,否則就要產(chǎn)生等比例測(cè)試誤差。
 ?。?)理論上講探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸的點(diǎn)越小越好。但實(shí)際應(yīng)用時(shí),因針狀電極容易破壞被測(cè)試的導(dǎo)電薄膜材料,所以一般采用圓形探針頭。
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