企業(yè)信息
第12年
- 入駐時間： 2011-12-22
- 聯(lián)系人：楊
- 電話：15814477180
-
聯(lián)系時，請說明易展網(wǎng)看到的
- Email：1602117525@qq.com
文章詳情
管式爐CVD原理供氣系統(tǒng)
日期：2025-11-09 21:01
瀏覽次數(shù)：4796
摘要：
上海微行機械高溫管式爐行者領(lǐng)跑者，提供開啟式管式爐CVD原理供氣系統(tǒng)
CVD(Chemical Vapor Deposition）原理
CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積），指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產(chǎn)生的刮痕。
CVD特點
淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。
CVD制備的必要條件
1） 在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室；
2） 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；
3） 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。
何為cvd？
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應(yīng)，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術(shù)*初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但目前，不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層，而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等，是一個頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。
其技術(shù)特征在于：⑴高熔點物質(zhì)能夠在低溫下合成；⑵析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；⑶不僅可以在基片上進行涂層，而且可以在粉體表面涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質(zhì)，在節(jié)能方面做出了貢獻，作為一種新技術(shù)是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發(fā)展。
CVD工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進**相反應(yīng)；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發(fā)生熱分解。
CVD的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應(yīng)部分和排除氣體處理部分所構(gòu)成。目前，正在開發(fā)批量生產(chǎn)的新裝置。
CVD是在含有原料氣體、通過反應(yīng)產(chǎn)生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當(dāng)被覆涂層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對于涂層的致密度有很大影響。圖2所示是這種擴散層的示意圖。這樣，由許多化學(xué)分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是復(fù)雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。
作為新的CVD技術(shù)，有以下幾種：
⑴采用流動層的CVD；
⑵流體床；
⑶熱解射流；
⑷等離子體CVD；
⑸真空CVD，等。
應(yīng)用流動層的CVD如圖3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），應(yīng)用等離子體的CVD同樣也有可能在低溫下析出，而且這種可能性正在進一步擴大。
上海微行機械高溫管式爐提供三路供氣系統(tǒng)，規(guī)格分別為0-1000sccm、0-200sccm、0-50sccm，三路氣分別有混氣室，有截止閥，出氣口，所有氣路都有銅管或者鋼管連接，氣路架上都有配套支撐，管子兩邊法蘭的裝置在去掉爐子石英管后，兩邊的法蘭都能保證不掉下來。可以滿足客戶的不同需求。上海微行機械電爐廠（http://www.shmicrox.com/）竭誠歡迎各界對高溫電爐,箱式電爐,管式爐,箱式氣氛爐有興趣的朋友前來參觀、考察、洽談業(yè)務(wù)!
24小時專線：021-51061222 URL：http://www.shmicrox.com
