西門康IGBTSKM150GB12T4G兩單元封裝,芯片使用SPT技術(shù),飽和壓降約為2.0伏左右,開關(guān)損耗比NPT技術(shù)的IGBT模塊降低20%左右,西門康IGBTSKM150GB12T4G完全可以在逆變焊機中使用,西門康IGBTSKM150GB12T4G可以使用在315安到500安的電焊機中,.5千瓦以上的變頻器中等。
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