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IGBT模塊的原理和測(cè)量及判斷
IGBT模塊的原理和量測(cè)及判斷
在拆機(jī)前,可對(duì)模塊的好壞進(jìn)行大致的量測(cè),來(lái)進(jìn)行初步的判斷。以上圖為例:4、5、6端子即為變頻器的U、V、W輸出端,22、24分別為變頻器內(nèi)部直流主電路的P(+)端和N(-)端。找到這5個(gè)端子后,用數(shù)字或指針式萬(wàn)用表都可以量測(cè)了。U、V、W三端子都對(duì)P、N端子有正、反向電阻。在IGBT管子正常的情況下,管子C、E之間電阻是無(wú)窮大的。只能測(cè)出管子上并聯(lián)的6只二極管的正、反向電阻。如果把4、5、6端子看成三相交流輸入端的話,六只二極管相當(dāng)于一個(gè)三相整流橋電路,用量測(cè)和判斷三相整流橋的方法就可以了。
一、在線量測(cè):
1、量測(cè)這個(gè)“三相整流橋”不正常了,則為模塊損壞了;
2、量測(cè)這個(gè)“三相整流橋”是正常的,還不能確定模塊就是好的。應(yīng)打開變頻器的主電路板,進(jìn)行進(jìn)一步的量測(cè)和驗(yàn)定。即量測(cè)觸發(fā)端子及內(nèi)電路是否正常。因觸發(fā)端子上往往并聯(lián)了10k(大功率機(jī)型并聯(lián)3k)左右的電阻,所以觸發(fā)端子的正反向在線在阻都應(yīng)為所并聯(lián)電阻的阻值。這6個(gè)觸發(fā)端子的阻值都應(yīng)是一樣的。如某一路觸發(fā)端子有了正反向電阻的差異,或是有電阻變小的現(xiàn)象,排除驅(qū)動(dòng)電路的故障后,則是此模塊已損壞了。
3、觸發(fā)端子的電阻量測(cè)也正常了,一般情況下認(rèn)為模塊基本上是好的。但此時(shí)宣布模塊絕無(wú)問(wèn)題,似乎尚為時(shí)過(guò)早。見后敘。
二、脫機(jī)量測(cè):
1、此法常用于大功率單、雙模塊和新購(gòu)進(jìn)集成式模塊的的量測(cè)。
將單、雙管模塊脫開電路后(或?yàn)樾沦?gòu)進(jìn)的模塊),可采用量測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管子(MOSFET)方法來(lái)測(cè)試了。MOSFET的柵陰極間有一個(gè)結(jié)電容的存在,故由此決定了極高的輸入阻抗和電荷保持功能。可利用此一特點(diǎn)有效地檢測(cè)IGBT管子的好壞。
方法是:將指針式萬(wàn)用表打到x10k檔,黑表接C極,紅表筆接E極,此時(shí)所量測(cè)電阻值近乎無(wú)窮大;搭好表筆不動(dòng),用手指將C極與G極碰一下并拿開,指示由無(wú)窮大阻值降為200k左右;過(guò)幾十秒鐘甚至于更長(zhǎng)一點(diǎn)的時(shí)間,再測(cè)一下C、E間電阻(仍是黑表筆接C極),仍能保護(hù)200k左右的電阻不變;搭好表筆不動(dòng),用手指短接一下G、E極,C、E極之間的電阻又重新變?yōu)榻咏鼰o(wú)窮大。
(當(dāng)然,E極搭黑筆,C極搭紅筆,是一只二極管的正向電阻的阻值了。如呈開路狀態(tài),說(shuō)明IGBT管子也是壞的了。以下將此一量測(cè)過(guò)程略去。)
實(shí)際上,用手指碰一下C、G,是給柵、陰結(jié)電容充電,拿開手指后,因此電容無(wú)放電回路,故電容上的電荷能保持一段時(shí)間。此電容上的充電電壓,為正向激勵(lì)電壓,使IGBT管子出現(xiàn)微導(dǎo)通,C、E之間的電阻減小;**次用手指短接G、E時(shí),提供了電容的放電通路,隨著電荷的泄放,IGBT的激勵(lì)電壓消失,管子變?yōu)榻刂?,C、E之間的電阻又趨于無(wú)窮大。
手指相當(dāng)于一只阻值為kΩ級(jí)的電阻,提供柵陰極結(jié)電容充、放電的通路;因IGBT管子的導(dǎo)通需較高的正向激勵(lì)電壓(10V以上),所以用萬(wàn)表的x10k檔,此檔位內(nèi)部電池供電為9V或12V,以滿足IGBT管子激勵(lì)電壓的幅度。
對(duì)觸發(fā)端子的量測(cè),還可以配合電容表測(cè)其容量,以增加判斷的準(zhǔn)確度。往往功率容量大的模塊,兩端子間的電容值也稍大。
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