IGBT模塊由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合的一個(gè)組件,它的輸入是極其MOSFET,輸出非常PNP晶體管,它將兩個(gè)組件的優(yōu)點(diǎn),既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì),小功率和開關(guān)速度快,具有雙相情感元素的優(yōu)勢(shì),低飽和電壓,容量大,其頻率特性和功率晶體管之間MOSFET,可以正常工作在幾十千赫頻率范圍,在現(xiàn)代電力電子技術(shù)已經(jīng)被越來越多的廣泛使用,在高頻率的大、**率應(yīng)用占據(jù)了主導(dǎo)地位。如果在中間的IGBT門G和發(fā)射極E和驅(qū)動(dòng)正電壓,接通,這收集器MOSFET C和底部的PNP晶體管晶體管傳導(dǎo)為中間低阻狀態(tài);如果IGBT門和發(fā)射極電壓為0 v,MOS切斷,切斷了PNP晶體管基極電流供應(yīng),晶體管截止。IGBT作為MOSFET是電壓控制元件,在網(wǎng)格G - 10 V直流電壓之間應(yīng)用發(fā)射器E,只有在uA水平的泄漏電流通過,基本上不消耗功率。
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