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IGBT模塊常用的功率器件
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時應(yīng)該降等使用。
變頻器向前發(fā)展,一直是隨著電力電子器件的發(fā)展而發(fā)展。只要電力電子器件有了新的飛躍,變頻器就一定有個新飛躍,必定有新的變頻器出現(xiàn)。在20世紀(jì)50年代出現(xiàn)了硅晶閘管(SCR);60年代出現(xiàn)可關(guān)斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現(xiàn)了高功率晶體管(GTR)和功率場效應(yīng)管(MOSFET);80年代相繼出現(xiàn)了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強(qiáng)注入型絕緣柵極晶體管(IEGT),90年代出現(xiàn)智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現(xiàn),相應(yīng)出現(xiàn)了以這些逆變器件為主的變頻器,反過來,變頻器要求逆變器件有個理想的靜態(tài)特性:在阻斷狀態(tài)時,能承受高電壓;在導(dǎo)通狀態(tài)時,能大電流通過和低的導(dǎo)通壓降,損耗小,發(fā)熱量小;在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換時,具有短的開、關(guān)時間,即開關(guān)頻率高,而且能承受高的du/dt;全控功能,壽命長、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等特點,當(dāng)然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求,有些是逐步向這個方向發(fā)展,達(dá)到完善的要求,特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
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