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IGBT模塊常用的功率器件

　　變頻器向前發(fā)展，一直是隨著電力電子器件的發(fā)展而發(fā)展。只要電力電子器件有了新的飛躍，變頻器就一定有個(gè)新飛躍，必定有新的變頻器出現(xiàn)。在20世紀(jì)50年代出現(xiàn)了硅晶閘管(SCR);60年代出現(xiàn)可關(guān)斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現(xiàn)了高功率晶體管(GTR)和功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET);80年代相繼出現(xiàn)了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門(mén)控晶閘管(IGCT)和電力加強(qiáng)注入型絕緣柵極晶體管(IEGT)，90年代出現(xiàn)智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現(xiàn)，相應(yīng)出現(xiàn)了以這些逆變器件為主的變頻器，反過(guò)來(lái)，變頻器要求逆變器件有個(gè)理想的靜態(tài)特性：在阻斷狀態(tài)時(shí)，能承受高電壓;在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，能大電流通過(guò)和低的導(dǎo)通壓降，損耗小，發(fā)熱量小;在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，具有短的開(kāi)、關(guān)時(shí)間，即開(kāi)關(guān)頻率高，而且能承受高的du/dt;全控功能，壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等特點(diǎn)，當(dāng)然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求，有些是逐步向這個(gè)方向發(fā)展，達(dá)到完善的要求，特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
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