半導體器件（晶體管或IC）是經過以下步驟制造出來的：

一．從Si單結晶晶柱制造出晶圓的制程；

二．前道制程：在晶圓上形成半導體芯片的制程；

三．后道制程：將半導體芯片封裝為IC的制程。

在每一步驟，NanoFocus3D共聚焦顯微鏡專業(yè)的三維形貌檢測技術都能提供**可靠快速的測試結果。

 一、【Si晶圓的制造工程】  ：從圓柱形的硅單結晶晶柱切出圓盤狀的晶圓，并將其表面磨光，如同鏡面一樣。

步、從硅單結晶晶柱切出晶圓狀的晶圓（切成薄片：Slicing）  

將圓柱狀的Si單結晶晶柱貼在支撐臺上，再使帶有鉆石粒的內圓周刀刃旋轉，就可切出圓盤狀的晶圓。

利用NanoFocus μsurf系列共聚焦顯微鏡的**多孔轉盤共聚焦技術結合針對刀具測量的專用算法，可以對刀刃部分的大傾角部分進行3D測量分析。

**步、Si晶圓的表面拋光（研磨-精磨：Polishing）

如果想制造缺陷少的器件，需要將Si晶圓表面用機械或化學方法加以拋光成鏡面，以去除表面的缺陷層。在此可使用nanofocus μsurf custom結合原子力探針實現(xiàn)對wafer表面上三維均實現(xiàn)高精度（亞納米）粗糙度測量，用于評定拋光效果；同時可選用色散傳感器完成對整個wafer的TTV，Flatness，Bow和Warp的測量。

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