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技術(shù)文章

硅壓力傳感器可靠性強(qiáng)化試驗研究
    為什么我們要提出這個話題呢-硅壓力傳感器可靠性強(qiáng)化試驗研究？因為在我國傳感器領(lǐng)域該項技術(shù)研究起步較晚，壓力傳感器可靠性提高工作的模式依然傳統(tǒng)，通常通過常規(guī)的可靠性測試實驗，首先測試出產(chǎn)品的可靠性壽命，當(dāng)可靠性測試出現(xiàn)產(chǎn)品失敗后，再考慮結(jié)構(gòu)內(nèi)部原理等設(shè)計上的更改，會需要很長的時間才能獲得較高的可靠性，太沒效率太慢跟不上技術(shù)更新的速度了。所以我們這里一定要說說硅壓力傳感器可靠性強(qiáng)化試驗研究。

    首先我們談?wù)効煽啃詮?qiáng)化試驗的技術(shù)思想，即為技術(shù)理論上的東西，它可以指導(dǎo)我們行動更新目前我們的意識形態(tài)。傳統(tǒng)的可靠性測試是基于模擬真實環(huán)境的測試方法,其特征在于:所述模擬環(huán)境,考慮設(shè)計真正的邊緣向過去。缺點，這個試驗方法周期長、成本高,測試的目的可靠性和加速只是識別和量化在產(chǎn)品的壽命的最后失敗的損失和破壞機(jī)理出發(fā),不暴露的缺陷,傳統(tǒng)的產(chǎn)品和可靠性試驗比較了不產(chǎn)生新的破壞機(jī)制?？煽啃詮?qiáng)化試驗突破傳統(tǒng)觀念的可靠性試驗技術(shù)的缺陷,很快就會激發(fā)試驗引入可靠性測試的機(jī)制。在一個果汁階段,通過產(chǎn)品,加強(qiáng)環(huán)境壓力和工作應(yīng)力可靠度驗證,刺激產(chǎn)生故障的薄弱環(huán)節(jié)和暴露在設(shè)計、產(chǎn)品設(shè)計和曝光早期的失敗,容易修改設(shè)計。它可以大大縮短試驗時間、提高效率和降低成本的測試試驗。采用這種方法比傳統(tǒng)方法可靠性更高,更重要的是,可以在短時間內(nèi)得到了早期的可靠性,傳統(tǒng)方法的可靠性,需要長時間的增長。
 
    其次就是硅德魯克壓力傳感器的失效原理，這是實驗的重中之重必須了解。我們之前有講過硅壓阻壓力傳感器工作原理以及應(yīng)用場合 。根據(jù)可靠性測試結(jié)果統(tǒng)計、擴(kuò)散硅壓力傳感器失效模式主要有以下幾種形式:參數(shù)漂移(零點漂移,當(dāng)溫度漂移、絕緣性能降低,而體內(nèi)的滲漏、隔膜、焊接裂紋、結(jié)合點斷開,內(nèi)部部件脫落,領(lǐng)先的斷開,參數(shù)退化等??與正常溫度、機(jī)械、電器老化試驗,可以作出不同的所有問題的一部分,但由于常規(guī)試驗存在著所有的缺陷暴露于基本實現(xiàn)高可靠性的傳感器。硅壓力傳感器故障模式及故障比統(tǒng)計結(jié)果表明,溫度和濕度變化等環(huán)境因素導(dǎo)致了失敗有一個大的份額。這種問題的出現(xiàn),主要是在晶片表面膜吸附水分子后發(fā)生電化學(xué)腐蝕的原因和焊結(jié)合點芯片,界面可能發(fā)生電化學(xué)腐蝕水分子,這些包裝材料主要來自內(nèi)在的吸潮性,并引進(jìn)了外界水分,無論是哪種水分吸收方式、吸吸潮率方程機(jī)制。