1、環(huán)境因素對(duì)IC封裝的影響

　　在半導(dǎo)體IC生產(chǎn)中，封裝形式由早期的金屬封裝或陶瓷封裝逐漸向塑料封裝方向發(fā)展。塑料封裝業(yè)隨著IC業(yè)快速發(fā)展而同步發(fā)展。據(jù)中國半導(dǎo)體信息網(wǎng)對(duì)我國國內(nèi)28家重點(diǎn)IC制造業(yè)的IC總產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)，2001年為44．12億塊，其中95％以上的IC產(chǎn)品都采用塑料封裝形式。

　　眾所周知，封裝業(yè)屬于整個(gè)IC生產(chǎn)中的后道生產(chǎn)過程，在該過程中，對(duì)于塑封IC、混合IC或單片IC，主要有晶圓減薄(磨片)、晶圓切割(劃片)、上芯(粘片)、壓焊(鍵合)、封裝(包封)、前固化、電鍍、打印、后固化、切筋、裝管、封后測(cè)試等等工序。各工序?qū)Σ煌墓に嚟h(huán)境都有不同的要求。工藝環(huán)境因素主要包括空氣潔凈度、高純水、壓縮空氣、C02氣、N：氣、溫度、濕度等等。

　　對(duì)于減薄、劃片、上芯、前固化、壓焊、包封等工序原則上要求必須在超凈廠房內(nèi)設(shè)立，因在以上各工序中，IC內(nèi)核--芯粒始終裸露在外，直到包封工序后，芯粒才被環(huán)氧樹脂包裹起來。這樣，包封以后不僅能對(duì)IC芯粒起著機(jī)械保護(hù)和引線向外電學(xué)連接的功能，而且對(duì)整個(gè)芯片的各種參數(shù)、性能及質(zhì)量都起著根本的保持作用。在以上各工序中，哪個(gè)環(huán)節(jié)或因素不合要求都將造成芯粒的報(bào)廢，所以說，凈化區(qū)內(nèi)工序?qū)Νh(huán)境諸因素要求比較嚴(yán)格和苛刻。超凈廠房的設(shè)計(jì)施工要嚴(yán)格按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》的內(nèi)容進(jìn)行。

2．1 空調(diào)系統(tǒng)中潔凈度的影響
　　對(duì)于凈化空調(diào)系統(tǒng)來講，空氣調(diào)節(jié)區(qū)域的潔凈度是*重要的技術(shù)參數(shù)之一。潔凈廠房的潔凈級(jí)別常以單位體積的空氣中*大允許的顆粒數(shù)即粒子計(jì)數(shù)濃度來衡量。為了和國際標(biāo)準(zhǔn)盡快接軌，我國在根據(jù)IS014644-1的基礎(chǔ)上制定了新的國家標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》，其中把潔凈室的潔凈度劃分了9個(gè)級(jí)別，具體見表1所示。

　　結(jié)合不同封裝企業(yè)的凈化區(qū)域面積的大小不一，再加之由于塵粒在各工序分布的不均勻性和隨機(jī)性，如何針對(duì)不同情況來確定合適恰當(dāng)?shù)牟杉瘻y(cè)試點(diǎn)和頻次，使?jié)崈魠^(qū)域內(nèi)潔凈度控制工作既有可行性，又具有經(jīng)濟(jì)性，進(jìn)而避免偶然性，各封裝企業(yè)可依據(jù)國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JGJ71-91《潔凈室施工及驗(yàn)收規(guī)范》中的規(guī)定靈活掌握。具體可參照表2進(jìn)行。

　　由于微電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，對(duì)環(huán)境中的塵粒含量和潔凈度有嚴(yán)格的要求，目前，大規(guī)模IC生產(chǎn)要求控制0．1μm的塵粒達(dá)到1級(jí)甚至更嚴(yán)。所以對(duì)IC封裝來說，凈化區(qū)內(nèi)的各工序的潔凈度至少必須達(dá)到1級(jí)。

2．2超純水的影響

　　IC的生產(chǎn)，包括IC封裝，大多數(shù)工序都需要超純水進(jìn)行清洗，晶圓及工件與水直接接觸，在封裝過程中的減薄工序和劃片工序，更是離不開超純水，一方面晶圓在減薄和劃片過程中的硅粉雜質(zhì)得到洗凈，而另一方面純水中的微量雜質(zhì)又可能使芯粒再污染，這毫無疑問將對(duì)封裝后的IC質(zhì)量有著極大的影響。

　　隨著IC集成度的進(jìn)一步提高，對(duì)水中污染物的要求也將更加嚴(yán)格。據(jù)美國提出的水質(zhì)指標(biāo)說明，集成度每提高一代，雜質(zhì)都要減少1／2~1／10。表3所示為*新規(guī)定的對(duì)超純水隨半導(dǎo)體IC進(jìn)展的不同要求。

　　從表3可以看到，隨著半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)規(guī)則從1．5~0．25μm的變化，相應(yīng)地超純水的水質(zhì)除電阻率已接近理論極限值外，其TOC(總有機(jī)碳)、DO(溶解氧)、Si02、微粒和離子性雜質(zhì)均減少2-4個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　在當(dāng)前的水處理中，各項(xiàng)雜質(zhì)處理的難易程度依次是TOC、SiO2、DO、電阻率，其中電阻率達(dá)到18MΩ·cm(25℃)是當(dāng)前比較容易達(dá)到的。由于TOC含量高會(huì)使柵氧化膜尤其是薄柵氧化膜中缺陷密度增大，所以柵愈薄要求TOC愈低，況且現(xiàn)在IC技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)中，芯片上柵膜越來越薄，故降低TOC是當(dāng)前和今后的*大難點(diǎn)，因而已成為當(dāng)今超純水水質(zhì)的象征和重心。據(jù)有關(guān)資料介紹，在美國芯片廠中，50％以上的成品率損失起因于化學(xué)雜質(zhì)和微粒污染；在日本工廠中由于微粒污染引起器件電氣特性的**比例，已由2μm的70％上升到0．8μm超大規(guī)模IC的90％以上，可見IC線條寬度越細(xì)，其危害越突出。相應(yīng)的在IC封裝過程中超純水的重要性就顯而易見了。

　　在半導(dǎo)體制造工藝中，大約有80％以上的工藝直接或間接與超純水，并且大約有一半以上工序，硅片與水接觸后，緊接著就進(jìn)人高溫過程，若此時(shí)水中含有雜質(zhì)就會(huì)進(jìn)入硅片而導(dǎo)致IC器件性能下降、成品率降低。確切一點(diǎn)說，向生產(chǎn)線提供穩(wěn)定上等的超純水將涉及到企業(yè)的成本問題。

2．3純氣的影響

　　在IC的加工與制造封裝中，高純的氣體可作為保護(hù)氣、置換氣、運(yùn)載氣、反應(yīng)氣等，為保證芯片加工與封裝的成品率和可*性，其中一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，就是嚴(yán)格控制加工過程中所用氣體的純度。所謂"高純"或"超純"也不是無休止的要求純而又純，而是指把危害IC性能、成品率和可*性的有害雜質(zhì)及塵粒必須減少到一定值以下。表4列出了半導(dǎo)體大規(guī)模IC加工與制造中用的幾種常用氣體的純度。

　　例如在IC封裝過程中，把待減薄的晶圓，劃后待粘片的晶圓，粘片固化后待壓焊的引線框架(LF)與芯粒放在高純的氮?dú)鈨?chǔ)藏柜中可有效地防止污染和氧化；把高純的C02氣體混合人高純水中，可產(chǎn)生一定量的H+，這樣的混合水具有一定的消除靜電吸附作用，代劃片工序使用可有效地去除劃痕內(nèi)和芯粒表面的硅粉雜質(zhì)，以此來減少封裝過程中的芯粒浪費(fèi)。

2．4 溫、濕度的影響

　　溫、濕度在IC的生產(chǎn)中扮演著相當(dāng)重要的角色，幾乎每個(gè)工序都與它們有密不可分的關(guān)系。GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》中明確強(qiáng)調(diào)了對(duì)潔凈室溫、濕度的要求要按生產(chǎn)工藝要求來確定，并按冬、夏季分別規(guī)定。根據(jù)國家要求標(biāo)準(zhǔn)，也結(jié)合我廠IC塑封生產(chǎn)線的實(shí)際情況，特對(duì)相關(guān)工序確定了溫、濕度控制的范圍，運(yùn)行數(shù)年來效果不錯(cuò)。但是，由于空調(diào)系統(tǒng)發(fā)生故障，在2001年12月18日9：30~9：40期間，粘片工序工作區(qū)域發(fā)生了一起濕度嚴(yán)重超標(biāo)事故。當(dāng)時(shí)相對(duì)濕度高達(dá)86．7％RH，而在正常情況下相對(duì)濕度為45~55％RH。

當(dāng)時(shí)濕度異常時(shí)粘片現(xiàn)場狀況描述如下：

　　所有現(xiàn)場桌椅板凳、玻璃、設(shè)備、晶圓、芯片以及人身上的防靜電服表面都有嚴(yán)重的水汽，玻璃上的水汽致使室內(nèi)人看不清過道，用手觸摸桌椅設(shè)備表面，都有很明顯的手指水跡印痕。更為嚴(yán)重的是在粘片工序現(xiàn)場存放的芯片有許多，其中SOPl6L產(chǎn)品7088就在其列，對(duì)其成品率的影響見表7所示。所有這些產(chǎn)品中還包括其它系列產(chǎn)品，都象經(jīng)過了一次"蒸汽浴"一樣。

　　針對(duì)這批7088成品率由穩(wěn)到不穩(wěn)，再到嚴(yán)重下降這一現(xiàn)象，我們對(duì)粘片、壓焊、塑封等工序在此批次產(chǎn)品加工期間的各種工藝參數(shù)，原材料等使用情況進(jìn)行了詳細(xì)匯總，沒有發(fā)現(xiàn)異常情況，排除了工藝等方面的原因。

　　事后進(jìn)一步對(duì)廢品率極高的18#、21#、25#、340、55#卡中不合格晶進(jìn)行了超聲波掃描，發(fā)現(xiàn)均有不同程度的離層，經(jīng)解剖發(fā)現(xiàn)：從離層處發(fā)生裂痕、金絲斷裂、部分芯片出現(xiàn)裂紋。*后得出結(jié)論如下：

(1)造成成品率下降的原因主要是封裝離層處產(chǎn)生裂痕，導(dǎo)致芯片裂紋或金絲斷裂。

(2)產(chǎn)生離層的原因是由于芯片表面水汽包封在塑封體內(nèi)產(chǎn)生。

　　由此可見，溫、濕度對(duì)IC封裝生產(chǎn)中的重大影響！

2．5其它因素的影響

　　諸如壓差因素、微振因素、噪聲因素等對(duì)IC封裝加工中都有一定的影響。鑒于篇幅所限，這里就不再逐一贅述。