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紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測(cè)工藝的應(yīng)用
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測(cè)工藝的應(yīng)用
------功率器件散熱問(wèn)題的解決方案
隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點(diǎn)話題之一。而要想實(shí)現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗，功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品，如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和FRD（快恢復(fù)二極管）等均屬于該領(lǐng)域的重要產(chǎn)品。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體在降低電路損耗和提高電源使用效率中，在信息技術(shù)與先進(jìn)制造之間發(fā)揮著重要的橋梁作用。
功率半導(dǎo)體器件正從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多產(chǎn)業(yè)邁進(jìn)。當(dāng)前行業(yè)內(nèi)主流公司在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上越來(lái)越多體現(xiàn)出小型化、高可靠的特點(diǎn)，此外采用先進(jìn)封裝技術(shù)和新型SiC、GaN材料也是主要關(guān)注對(duì)象。
產(chǎn)品開(kāi)發(fā)關(guān)注可靠性與散熱性
家電中應(yīng)用的功率半導(dǎo)體，器件小型化、更高可靠性和良好散熱性將是非常重要的特性。
“如何在保證溫升小（功耗?。┑幕A(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)更高的能源轉(zhuǎn)換效率是功率半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)的主題。”而功率半導(dǎo)體在家電中應(yīng)用，小型化將是一個(gè)非常重要的特性。為此，很多功率半導(dǎo)體企業(yè)近年來(lái)在產(chǎn)品的小型化上，都下足了功夫。以改善關(guān)斷損耗對(duì)飽和壓降的折中比例，提高功率半導(dǎo)體的性能，減少電力損耗，達(dá)到節(jié)能效果。
1，降低熱阻
（1）熱阻Rth定義：器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，℃/ W。即當(dāng)器件消耗掉1W功率時(shí)其自身溫度升高的度數(shù)。
熱阻大小是代表功率器件品質(zhì)優(yōu)劣的一個(gè)重要參數(shù)。
（2）降低器件發(fā)熱量的三個(gè)基本途徑：
A， 優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，避免器件工作時(shí)進(jìn)入放大區(qū)域，減少功率損耗；
B， 提高器件散熱能力，避免器件發(fā)熱失效；
C， 提高器件電流性能，降低相關(guān)飽和壓降。
在電路設(shè)計(jì)和芯片工藝都已經(jīng)定型的條件下，提高器件散熱能力是避免器件發(fā)熱失效的**手段，重要途徑就是盡量降低器件的熱阻。
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測(cè)工藝上的應(yīng)用----
功率器件散熱問(wèn)題的解決方案
測(cè)溫范圍： -20℃ ～ 900℃， 熱靈敏度： 0.04K / 0.08K
高分辨率： 382 x 288 像素， *快幀頻： 120Hz
顯微尺寸： 25μm（熱場(chǎng)分布）, 100μm（熱場(chǎng)溫度）
光學(xué)鏡頭： 標(biāo)準(zhǔn)鏡頭、望遠(yuǎn)鏡頭、廣角鏡頭可選
 

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