半導(dǎo)體粒子射線探測(cè)器semiconductor particledetector

用于檢出高能粒子( α 射線、β射線),強(qiáng)度的半導(dǎo)體敏感元件。它通常做成PN結(jié)、表面勢(shì)壘、PIN結(jié)等結(jié)構(gòu)形式，使入射的粒子射線轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進(jìn)行檢測(cè)。

半導(dǎo)體放射線檢測(cè)器semiconductor radiation detector

用于檢出放射線粒子數(shù)量(即放射線強(qiáng)度)的半導(dǎo)體射線敏感元件。它通常由半導(dǎo)體材料(Si、Ge)制成PIN結(jié)構(gòu)形式，可將放射線( γ射線、X 射線等)粒子轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進(jìn)行檢測(cè)。

射線敏感元件radiation sensor;radiation-electric signal transducer

對(duì)放射線( X 射線、γ 射線)、粒子射線( α 射線、β 射線)等信息或能量具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。

防雷用電壓敏電阻器arrester varistor

用于吸收大氣過電壓的壓敏電阻器。

消磁電壓敏電阻器anti-magnetized varistor

用來消除勵(lì)磁電路中因被切斷而儲(chǔ)存的能量的壓敏電阻器。

消噪電壓敏電阻器noise suppressing varistor

用來消除電噪聲的電壓敏電阻器。

消弧電壓敏電阻器arc suppressing varistor

用來消除各種型式的繼電器火花、開關(guān)電弧的電壓敏電阻器。

高頻電壓敏電阻器high frequency varistor

在載波機(jī)等較高頻率的電子設(shè)備中作為過電壓吸收的壓敏電阻器。

高能電壓敏電阻器high energy varistor

單位體積內(nèi)吸收能量大的電壓敏電阻器。

過電壓保護(hù)電壓敏電阻器over voltage protection varistor

用于抑制過電壓的電壓敏電阻器。

穩(wěn)壓電壓敏電阻器stabilized voltage varistor

利用非線性特性對(duì)電子線路輸出電壓起穩(wěn)定作用的電壓敏電阻器。

膜式電壓敏電阻器film varistor

由薄膜構(gòu)成電阻體的電壓敏電阻器。

單顆粒層電壓敏電阻器single grain layer varistor 

將碳化硅、硅等半導(dǎo)體顆粒單層排列在一個(gè)平面內(nèi)且彼此絕緣，每個(gè)顆粒的上下兩面都與電極相接觸而構(gòu)成的電壓敏電阻器。

結(jié)型氧化鋅電壓敏電阻器junction type zinc oxide varistor

由氧化鋅電阻體與金屬電極之間的非歐姆接觸而形成非線性特性的電壓敏電阻器。

體型氧化鋅電壓敏電阻器bulk zinc oxide varistor

兩電極與電阻體之間呈歐姆接觸，由電阻體內(nèi)大量氧化鋅顆粒之間的界面層形成非線性特性的電壓敏電阻器。

氧化鋅電壓敏電阻器zinc oxide varistor

電阻材料以氧化鋅為主，添加適當(dāng)?shù)钠渌饘傺趸锊⒂靡话闾沾晒に囍瞥傻碾妷好綦娮杵鳌?br>
碳化硅電壓敏電阻器silicon carbride varistor

電阻體材料以碳化硅為主，用一般陶瓷工藝制成的電壓敏電阻器。

電壓敏電阻器varistor;voltage-dependent resitotr

在正常條件下，當(dāng)電壓超過某一臨界值時(shí)，電流隨電壓升高而急劇增加的半導(dǎo)體非線性電阻器。

電阻式濕敏元件resistive moisture sensor

電阻值隨相對(duì)濕度變化而改變的濕敏元件。

電容式濕敏元件capacitive moisture sensor

電容量隨相對(duì)濕度變化而改變的濕敏元件。

濕敏元件moisture sensor 

對(duì)環(huán)境濕度(水蒸氣)具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件?？捎肎e、Se、氧化物半導(dǎo)體等材料制成。

復(fù)合氧化物系氣敏元件compound oxide series gas sensor

以稀土和過渡金屬?gòu)?fù)合氧化物為基體材料制成的氣敏元件。

SnO\-2系氣敏元件tin oxide series gas sensor

以SnO\-2為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。

燒結(jié)式氣敏元件sintered gas sensor

將一定配比的氣敏材料、摻雜劑和粘合劑，經(jīng)混合、研磨制成漿料，然后滴入模具(事先已放好Pt絲)或涂在電極上自然干燥或壓模成型，在一定溫度下燒結(jié)而成的氣敏元件。

薄膜式氣敏元件thin film gas sensor

利用蒸發(fā)或?yàn)R射法在絕緣基片上淀積氣敏性氧化物薄膜而制成的氣敏元件。

硅單晶氣敏元件silicon crystal gas sensor

利用光刻和化學(xué)腐蝕技術(shù)在硅單晶基片上制成的氣敏元件。它具有微型化和集成化的特點(diǎn)。

P型氧化物氣敏元件P-type oxide gas sensor

由P型氧化物材料(NiO、CoO、Cr\-2O\-3等)制成的氣敏元件。P型氣敏元件吸附氧化性氣體時(shí)，其電阻值下降；而吸附還原性氣體時(shí)，其電阻值增高。

N型氧化物氣敏元件N-type oxide gas sensor

由N型氧化物材料(ZnO、SnO\-TiO\-2等)制成的氣敏元件。N型氧化物氣敏元件吸附還原性氣體時(shí)，其電阻值下降；而吸附氧化性氣體時(shí)，其電阻值增高。

氣敏元件gas sensor

對(duì)環(huán)境氣體具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。氣敏元件大多由非化學(xué)配比的金屬氧化物材料制成，其電阻值隨表面吸附氣體的種類和吸附量而發(fā)生相應(yīng)變化。用于有毒氣體、可燃?xì)怏w及其他氣體的報(bào)警、檢漏、定量檢測(cè)等。

光電磁敏元件photoelectro magnetic(PEM) element

利用半導(dǎo)體的光電磁敏效應(yīng)制成的檢測(cè)紅外線和熱輻射的敏感元件?？捎糜诒O(jiān)控鐵路車輪或制動(dòng)器的發(fā)熱狀況。*小探測(cè)功率為10\+\{-9\}～10\+\{-10\}瓦。

注：光電磁敏效應(yīng)是指，當(dāng)光生載流子在半導(dǎo)體(Insb)內(nèi)因擴(kuò)散而流動(dòng)時(shí)，在外加磁場(chǎng)形成的霍爾效應(yīng)作用下可在電極間產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)。

磁敏晶體管magnetic transistor

具有晶體管結(jié)構(gòu)的電流型磁電轉(zhuǎn)換器件。其靈敏度是磁敏二極管的幾倍至十幾倍。

磁敏二極管magnatic diode

其電阻值隨磁場(chǎng)方向與大小有顯著變化的二極管。

磁敏電阻器magnetic resistor

半導(dǎo)體的電阻值隨外加磁場(chǎng)強(qiáng)度平方成正比例變化的電阻器。與霍爾元件相比，可檢測(cè)較強(qiáng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度(大于1千高斯)，可用作無觸點(diǎn)可變電阻器。

霍爾集成電路Hall integrated circuit

將霍爾元件和放大器等元件制作在同一塊半導(dǎo)體基片上的集成電路。

霍爾調(diào)制器Hall modulator

為信號(hào)調(diào)制目的而特殊設(shè)計(jì)的霍爾元件。

霍爾探頭Hall probe

為測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度而特殊設(shè)計(jì)的霍爾元件。

霍爾乘法器Hall multiplier

利用霍爾元件的輸出電壓VH與外加磁場(chǎng)強(qiáng)度H和控制電流I乘積成正比的關(guān)系而構(gòu)成的乘法器?？捎米餍盘?hào)調(diào)制器。

霍爾元件Hall element

又稱霍爾效應(yīng)器件(Hall effetdevice)利用半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)制成的磁敏元件。主要用于磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量和磁滯信號(hào)的接收等。

注：在半導(dǎo)體或金屬制成的長(zhǎng)方體內(nèi)，如果在X方向上通以電流、在Z方向上施加磁場(chǎng)強(qiáng)度Hz，那么在垂直于兩者的Y方向上則產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這種現(xiàn)象稱作霍爾效應(yīng)。

磁敏元件magneto sensor

對(duì)外界磁場(chǎng)強(qiáng)度變化具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。包括霍爾元件、磁敏電阻器、磁敏二極管、磁敏晶體管等。

ZnO系氣敏元件zinc oxide series gas sensor

以ZnO為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。

光集成電路optical integrated circuit