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箱式爐	晶體生長爐	熔煉/鑄造爐	高壓爐	氫氣爐	工業(yè)爐
管式爐	RTP快速加熱爐

產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號	產(chǎn)品簡單介紹
	1100℃Φ20管式高壓爐	OTF-1200X-HP-55是一款通過CE認(rèn)證的開啟式管式爐，其爐管采用無縫鎳基合金管,此款設(shè)備專為高溫高壓實驗設(shè)計，*高壓力高達21MPa，*高溫度可達1100℃，并可通入多種氧化或惰性保護氣體。對于高壓制備新材料和作為小型熱等靜壓處理合金樣品，這是一款理想的高溫管式爐。
	1200℃三溫區(qū)滑軌爐	應(yīng)用范圍：OTF-1200X-III-80SL是一款CE認(rèn)證的三溫區(qū)可滑動管式爐，配置dia80x94” 石英管和法蘭，工作溫度*高達1200°C。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。加熱和冷卻速率*大可達100°C/min。為取得*快加熱，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得*快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達到10°C/s，是低成本快速熱處理的理想爐子 產(chǎn)品型號 ：OTF-1200X-III-80SL 安裝尺寸：2500mm L x 510mm W x 750mm 重量：250Kg
	1200℃三溫區(qū)雙管開啟式管式爐	應(yīng)用范圍：OTF-1200X-5-III-D4 是一款三溫區(qū)的雙管爐，其*高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。 產(chǎn)品型號：OTF-1200X-III-D5- 4 安裝尺寸：1030 x 430 x 580 mm 重量：90 kg
	4英寸雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)CVD管式爐	4英寸雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)CVD管式爐，安裝有自動送料器和收料罐。自動可定份額地將粉料送入到爐管中，此過程可在氣氛保護環(huán)境下進行，可實現(xiàn)用連續(xù)CVD方法對粉體材料進行包覆和修飾。收料罐可在氣氛保護環(huán)境下對處理好的粉料進行收集。此款管式爐設(shè)計主要是在鋰離子電池的陰極材料（如LiFePO3, LiMnNiO3）上包覆導(dǎo)電層，同時也可用CVD方式制備 Si/C 陽極材料。
	定向CVD生長爐	OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑軌爐，其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可以根據(jù)實驗需要而設(shè)置（1mm/sec-100mm/s),并可以設(shè)置左右反復(fù)滑動，同時還可以設(shè)置爐體的滑動距離。此款管式爐專門設(shè)計用CVD方法定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）。通時此款滑軌爐也可用來在硅片上生長熔點較低的金屬單晶。此系統(tǒng)包含了可設(shè)30段程序的高溫爐、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭。
	金屬晶體生長爐	SKJ-M50-16 金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備。可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下,在可控的局部壓力狀態(tài)下運行。根據(jù)金屬的屬性，本設(shè)備可采用中頻感應(yīng)加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱電源。采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫,使結(jié)晶體按照一定的直徑進行控制。
	晶體生長爐	SKJ-50 晶體生長爐是用提拉法生長高質(zhì)量氧化物單晶材料（YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的設(shè)備。每位材料研究者都知道可靠的數(shù)據(jù)來源于完整性好的單晶。 在新材料研究時，為了避免可變因數(shù)造成的影響，一臺性能穩(wěn)定的單晶生長設(shè)備是非常必要的，然而很多晶體生長設(shè)備是非常昂貴的。沈陽科晶可提供性能穩(wěn)定，價格適中的SKJ-50 單晶生長爐，可生長多種高熔點氧化物晶體，晶體尺寸達2-3"
	提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ	提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ是用提拉法生長高質(zhì)量氧化物單晶材料的設(shè)備。每位材料研究者都知道可靠的數(shù)據(jù)來源于完整性好的單晶。 在新材料研究時，為了避免可變因數(shù)造成的影響，一臺性能穩(wěn)定的單晶生長設(shè)備時非常必要的，然而很多晶體生長設(shè)備時非常昂貴的?？商峁┬阅芊€(wěn)定，價格適中的提拉法晶體生長爐SKJ-50CZ，可生長多種氧化物高熔點晶體，晶體尺寸達 2-3" 。
	OTF-1200X-50-SL 迷你型快速加熱冷卻爐	加熱和冷卻速率*大可達100°C/m。為取得*快加熱，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得*快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達到15°C/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。
	RTP快速升溫管式爐1000℃	爐管尺寸: 110 外徑 x 103內(nèi)徑 x 381 長 樣品支架及滑軌法蘭, which is made 支架托盤采用氮化鋁制成. 控溫精度± 5℃ 氮化鋁支架托盤*大可放置 3"樣品 氮化鋁具有非常好的導(dǎo)熱性，它能及時顯示在樣品平臺中樣品的*佳真實的溫度誤差 密封系統(tǒng)由不銹鋼法蘭、精密針閥及硅膠O型圈構(gòu)成. 滑軌式法蘭，放取樣品更加方便
	快速升溫管式爐 OTF-1200X-4-RTP	快速升溫管式爐 OTF-1200X-4-RTP以碘鎢燈為發(fā)熱元件，額定溫度950℃，采用S型熱電偶測溫和518P溫控儀30段可編程智能控溫，具有較高的控溫精度（±5℃）。另快速升溫管式爐 OTF-1200X-4-RTP有真空裝置，配套美國進口數(shù)字真空表，可**直觀的讀取實時真空度；自帶浮子流量計，可直接讀取氣體流量；操作簡單、使用方便。
	小型懸浮真空感應(yīng)熔煉爐	應(yīng)用范圍：FMF-10是一款小型真空懸浮感應(yīng)熔煉系統(tǒng)，特別適合與磁性材料和金屬合金的探索。成套設(shè)備中包括一10KW的高頻感應(yīng)熔煉爐，使樣品熔融（*大熔樣品量為5g)，同時儀器中還包括了真空泵和石英管使樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下進行熔煉，而且含有一特殊設(shè)計的銅坩堝可使樣品在熔煉過程中產(chǎn)生微懸浮，保證樣品不被雜質(zhì)污染，得到高純的金屬單質(zhì)或是合金。 產(chǎn)品型號 ：FMF-10 安裝尺寸：450mm（L） * 950mm（W）* 1485mm（H） 重量：120Kg
	磁懸浮真空熔煉爐	磁懸浮真空熔煉爐FMF-40適合研究鐵磁材料，利用40KW高頻電感應(yīng)加熱器和特殊研制的水冷銅坩堝，在加熱融化的同時使真空石英管底部產(chǎn)生磁力將鐵磁合金樣品懸浮起來。因此，本機可以在無污染的環(huán)境下生產(chǎn)出高純度的鐵或磁性合金。
	高溫鎢加熱爐	HVF-2100W-60 高溫鎢加熱爐專為高等院校﹑科研院所的實驗室及工礦企業(yè)在高真空狀態(tài)下對金屬，非金屬及其它化合物進行燒結(jié)例如：硬質(zhì)合金、不銹鋼、鎳基合金、粉末冶金、合金鋼、鎳鈷合金、稀土釹鐵錋等﹑熔化﹑分析而研制的專用理想設(shè)備。
	OTF-1200X-HP-55 1100℃高溫高壓管式爐	OTF-1200X-HP-55高壓真空管式爐，加熱爐體可以中間打開,方便拆卸爐管和快速降溫，控制部分和爐體一體化，采用耐高溫的合金鋼爐管，在1100度以內(nèi)可以承受7Mpa的高壓，是需要在高壓氧氣或高壓惰性氣體中處理特殊材料的客戶研發(fā)的專用設(shè)備。 我公司供應(yīng)的產(chǎn)品符合國家有關(guān)環(huán)保法律法規(guī)的規(guī)定（含采購商ISO14000環(huán)境體系要求），不會造成環(huán)境污染；
	1100℃Φ20管式高壓爐	OTF-1200X-HP-55是一款通過CE認(rèn)證的開啟式管式爐，其爐管采用無縫鎳基合金管,此款設(shè)備專為高溫高壓實驗設(shè)計，*高壓力高達21MPa，*高溫度可達1100℃，并可通入多種氧化或惰性保護氣體。對于高壓制備新材料和作為小型熱等靜壓處理合金樣品，這是一款理想的高溫管式爐。
	12升1700℃氫氣爐	KSL-1700X-H2是一款通過CE認(rèn)證的高溫箱式爐，此款儀器專門針對于材料在氫氣環(huán)境或惰性氣體環(huán)境進行燒結(jié)或是退火，其*高溫度可高達1700℃。KSL-1700X-H2采用氧化鋁纖維作為爐膛材料（爐膛尺寸為8"x 8"x12"），以鉬絲作為加熱元件，爐體頂部密封板中嵌有冷卻水管，以保證儀器工作時的密封性能。對需在惰性氣體或還原性氣體環(huán)境下燒結(jié)的材料（如熒光材料，鈦合金等），KSL-1700X-
	1600℃小型氫氣管式爐	GSL-1600X-42HG此款管式爐是專門針對于材料在氫氣環(huán)境下進行燒結(jié)，其*高溫度可以達到1600℃。此款管式爐的爐管為.高純剛玉管，其直徑為Φ42mm.儀器中包含有一高純氫氣發(fā)生氣，可以**地為高溫爐提供高純氫氣，同時為了實驗的**性，此款高溫爐還配有一3M公司的氫氣探測器，當(dāng)氫氣有略微的泄露（爆炸點的10%），氫氣探測器將發(fā)出信號使得氫氣發(fā)生器斷電，從而切斷氫氣源，對于**地在氫氣環(huán)境下的
	1500℃小型氫氣管式爐	GSL-1500X-50HG此款管式爐是專門針對于材料在氫氣環(huán)境下進行燒結(jié)，其*高溫度可以達到1500℃。此款管式爐的爐管為.高純剛玉管，其直徑為Φ50mm.儀器中包含有一高純氫氣發(fā)生氣，可以**地為高溫爐提供高純氫氣，同時為了實驗的**性，此款高溫爐還配有一3M公司的氫氣探測器，當(dāng)氫氣有略微的泄露（爆炸點的10%），氫氣探測器將發(fā)出信號使得氫氣發(fā)生器斷電，從而切斷氫氣源，對于**地在氫氣環(huán)境下的
	氫氣雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐	OTF-1200X-R-60HG氫氣雙溫區(qū)回轉(zhuǎn)爐是一款通過CE認(rèn)證的氫氣雙溫區(qū)旋轉(zhuǎn)管式爐，此款儀器專門針對于材料在氫氣環(huán)境或惰性氣體環(huán)境進行燒結(jié)或是退火，也可針對于粉料的混燒，*高工作溫度可以達到1200度，爐管內(nèi)部焊有4片楊料板，儀器運行時爐管可以360°轉(zhuǎn)動，可以增加粉料燒結(jié)的均勻性。
	雙溫區(qū)濕度可控氫氣熱處理爐	雙溫區(qū)濕度可控氫氣熱處理爐是一款雙溫區(qū)濕度可控氫氣熱處理爐，此設(shè)備帶有兩通道氣體控制器，氣液混合罐，露點儀和氫氣探測器，此設(shè)備專門設(shè)置對材料進行濕氫處理，以達到材料表面部分氧化，同時也進行各種CVD實驗。精密露點儀測量精度可以達到 +/-1.5%RH。若有實驗中發(fā)生氫氣微露現(xiàn)象（氫氣爆炸點的10%），3M公司的氫氣探測器將發(fā)生報警信號，使整個實驗在優(yōu)良**的環(huán)境下進行。
	1100℃高壓氫氣管式爐	1100℃高壓氫氣管式爐是專為在氫氣條件下處理樣品，*高溫度可達1100℃。爐管材質(zhì)采用無縫鎳基合金，爐管可用于所有惰性氣體和氧氣到30 PSI。可編程30段精密溫度控制器。 設(shè)有3M氫氣探測報警器，一旦發(fā)現(xiàn)泄露報警器將自動關(guān)閉高純氫氣發(fā)生器。
	1400°C鐘罩爐	KSL-1400X-BL是一款大型的鐘罩爐，其*高溫度為1400度，容積為512L，它是專為金屬退火和高溫?zé)Y(jié)的*佳理想設(shè)備.
	臺車爐--ZWDL-900X	ZWDL系列箱式高溫?zé)Y(jié)爐為分體結(jié)構(gòu)，爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用硅碳棒為加熱元件。工件式樣在箱體中加熱，加熱元件均勻的裝于兩壁，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩(wěn)定，長壽命的“S”型熱電偶，以提高控溫的精準(zhǔn)性。爐體的控制面板配有智能溫度調(diào)節(jié)儀，控制電源開關(guān)、主加熱工作/停止按鈕，配有電源和保險指示燈，電壓、電流指示，以便隨時觀察本系統(tǒng)的工作狀態(tài)。
	1100°C豎式哈弗爐--GSL-1100D11	GSL-1100D11是一款大型的豎式哈弗爐，其*高溫度為1100度，**溫控系統(tǒng)包含了30段升溫和降溫曲線設(shè)置，其控溫精度達到+/- 1 °C。爐管配置為外徑275內(nèi)徑250長為2000mm，它是專為金屬退火和高溫?zé)Y(jié)的*佳理想設(shè)備.爐體垂直安裝在可移動的支架上方便爐管的取放.

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