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深圳市科晶智達(dá)科技有限公司
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晶體生長(zhǎng)爐
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定向CVD生長(zhǎng)爐
OTF-1200X-50-DSL是一款水平滑軌爐,其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動(dòng)速度可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要而設(shè)置(1mm/sec-100mm/s),并可以設(shè)置左右反復(fù)滑動(dòng),同時(shí)還可以設(shè)置爐體的滑動(dòng)距離。此款管式爐專門(mén)設(shè)計(jì)用CVD方法定向生長(zhǎng)單壁碳納米管(SWCNTs)。通時(shí)此款滑軌爐也可用來(lái)在硅片上生長(zhǎng)熔點(diǎn)較低的金屬單晶。此系統(tǒng)包含了可設(shè)30段程序的高溫爐、一根Φ50*1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭。
金屬晶體生長(zhǎng)爐
SKJ-M50-16 金屬晶體生長(zhǎng)爐是用坩堝下降法生長(zhǎng)金屬晶體的設(shè)備??稍谡婵铡⒋髿?、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下,在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性,本設(shè)備可采用中頻感應(yīng)加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱電源。采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫,使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。
晶體生長(zhǎng)爐
SKJ-50 晶體生長(zhǎng)爐是用提拉法生長(zhǎng)高質(zhì)量氧化物單晶材料(YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等)的設(shè)備。每位材料研究者都知道可靠的數(shù)據(jù)來(lái)源于完整性好的單晶。 在新材料研究時(shí),為了避免可變因數(shù)造成的影響,一臺(tái)性能穩(wěn)定的單晶生長(zhǎng)設(shè)備是非常必要的,然而很多晶體生長(zhǎng)設(shè)備是非常昂貴的。沈陽(yáng)科晶可提供性能穩(wěn)定,價(jià)格適中的SKJ-50 單晶生長(zhǎng)爐,可生長(zhǎng)多種高熔點(diǎn)氧化物晶體,晶體尺寸達(dá)2-3"
提拉法晶體生長(zhǎng)爐SKJ-50CZ
提拉法晶體生長(zhǎng)爐SKJ-50CZ是用提拉法生長(zhǎng)高質(zhì)量氧化物單晶材料的設(shè)備。每位材料研究者都知道可靠的數(shù)據(jù)來(lái)源于完整性好的單晶。 在新材料研究時(shí),為了避免可變因數(shù)造成的影響,一臺(tái)性能穩(wěn)定的單晶生長(zhǎng)設(shè)備時(shí)非常必要的,然而很多晶體生長(zhǎng)設(shè)備時(shí)非常昂貴的??商峁┬阅芊€(wěn)定,價(jià)格適中的提拉法晶體生長(zhǎng)爐SKJ-50CZ,可生長(zhǎng)多種氧化物高熔點(diǎn)晶體,晶體尺寸達(dá) 2-3" 。
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