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- 產(chǎn)品名稱:中子sCMOS探測(cè)器
- 產(chǎn)品型號(hào):
- 產(chǎn)品展商:其它品牌
- 產(chǎn)品文檔:無(wú)相關(guān)文檔
- 發(fā)布時(shí)間:2019-12-17
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簡(jiǎn)單介紹
中子sCMOS探測(cè)器,PSEL制冷型中子探測(cè)器系列采用LiF:ZnS:Ag閃爍體熒光屏,由極低中子成像應(yīng)用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體,并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機(jī)。中子sCMOS探測(cè)器 快中子系列不僅可以用于實(shí)驗(yàn)室密封源研究,也可用于研究反應(yīng)堆設(shè)施。
產(chǎn)品描述
PSEL制冷型中子探測(cè)器系列采用LiF:ZnS:Ag閃爍體熒光屏,由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應(yīng)用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體,并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機(jī)。衍射和小角散射應(yīng)用使用26cm×20cm有效區(qū)域的高效閃爍體,并結(jié)合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機(jī),可實(shí)現(xiàn)單量子探測(cè)功能。通過(guò)將多個(gè)相機(jī)拼接在一起可以實(shí)現(xiàn)更大區(qū)域的探測(cè)??熘凶酉盗胁粌H可以用于實(shí)驗(yàn)室密封源研究,也可用于研究反應(yīng)堆設(shè)施。
中子sCMOS探測(cè)器 主要特點(diǎn):
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16-bit數(shù)字圖像實(shí)時(shí)采集
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單中子等效讀出噪聲
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可達(dá)20000:1的高動(dòng)態(tài)范圍
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標(biāo)準(zhǔn)相機(jī)與計(jì)算機(jī)接口
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芯片陣列可多路采集
應(yīng)用:
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中子成像/斷層掃描
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中子衍射
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小角中子散射
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蛋白質(zhì)晶體學(xué)
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中子反射
技術(shù)指標(biāo):
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參數(shù)
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中子ICCD
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中子sCMOS
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閃爍體
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LiF:ZnS:Ag
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有效像元尺寸
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200μm
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105 μm
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有效探測(cè)尺寸
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20cm×26cm
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43cm×43cm
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幀速
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0.6 fps
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5 fps
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動(dòng)態(tài)范圍
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>10000:1
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>20000:1
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讀出噪聲
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<3 e-
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4e-
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增益
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>1000:1
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N/A
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門控寬度
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<1 ms @ 1kHz
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N/A
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芯片制冷溫度
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-20 ℃
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曝光時(shí)間(單幀)
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*長(zhǎng)可達(dá)30分鐘
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*長(zhǎng)可達(dá)1分鐘
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相機(jī)接口
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千兆以太網(wǎng)
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Li-6熒光屏來(lái)自于scintacor
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特征
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物理性質(zhì)
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屏幕類型
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ND
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磷光體類型
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混合顆粒
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發(fā)光顏色
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藍(lán)色
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峰值波長(zhǎng)
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450nm
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衰減10%
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3.5μs
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余輝拖尾
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低階
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X射線吸收
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極低
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紫外光吸收
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寬帶
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