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回路電阻測(cè)試儀可靠的特點(diǎn)
回路電阻測(cè)試儀可靠的特點(diǎn)
將電能轉(zhuǎn)換為熱能的元器件是熱源。能量轉(zhuǎn)換成熱會(huì)增加熱源器件的和周?chē)h(huán)境的溫度回路電阻測(cè)試儀。轉(zhuǎn)變成熱的能量就是元器件的功率損耗。整個(gè)溫升（T取決于功率損耗（P和環(huán)境。對(duì)于一個(gè)在固定測(cè)試臺(tái)上的某塊PCB板，一個(gè)電路中。T功率損耗的**函數(shù)。因此，如果我測(cè)量出？T就可以推導(dǎo)計(jì)算每個(gè)熱源功率損耗的方法。
必然要加上一些控制邏輯來(lái)進(jìn)行功耗優(yōu)化，功耗和面積永遠(yuǎn)是相矛盾的如果想要降低系統(tǒng)的功耗。而這部分邏輯會(huì)增加芯片的面積，所以在功耗和面積之間就要有個(gè)折衷。上面的三種寄存器傳輸級(jí)的低功耗設(shè)計(jì)回路電阻測(cè)試儀工藝流程，不會(huì)增加很多邏輯，因而對(duì)芯片面積的影響不大。而經(jīng)過(guò)了這三種低功耗設(shè)計(jì)，使整個(gè)系統(tǒng)動(dòng)態(tài)功耗的改善很明顯。例如，使用功耗仿真工具powermil對(duì)一款SIM卡芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行管級(jí)功耗仿真，這里采用的華杰的0.25um標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，表1優(yōu)化前后功耗及芯片面積的對(duì)比。
因而，從表1可以看到經(jīng)過(guò)低功耗設(shè)計(jì)后的芯片平均動(dòng)態(tài)電流比優(yōu)化前降了16%然而優(yōu)化前后芯片的面積沒(méi)有發(fā)生改變回路電阻測(cè)試儀。上面的三種設(shè)計(jì)方法對(duì)于降低系統(tǒng)動(dòng)態(tài)功耗是非常有效的
本文小結(jié)
基于這個(gè)理論基礎(chǔ)介紹了三種寄存器傳輸級(jí)的低功耗設(shè)計(jì)方法，本文首先分析了CMOS電路功耗的來(lái)源。*后，通過(guò)一款手機(jī)SIM卡芯片的功耗優(yōu)化并進(jìn)行仿真，得出結(jié)論：這三種方法對(duì)降低系統(tǒng)功耗有很大的幫助，而且?guī)缀鯖](méi)有增加芯片的面積。據(jù)報(bào)道，IGBT則出現(xiàn)時(shí)，電壓電流的額定值只有600V/25A很長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)耐壓水平都限定在12001700V經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的探索研究和 改造回路電阻測(cè)試儀，現(xiàn)在IGBT電壓電流的額定值已經(jīng)達(dá)到3300V/1200A4500V/1800A L等，高壓IGBT單片耐壓甚至達(dá)到6500V一般IGBT工作頻率上限為 2040kHz基于PT結(jié)構(gòu)、應(yīng)用新技術(shù)所制造的IGBT可以工作在150kHz硬開(kāi)關(guān)）和300kHz軟開(kāi)關(guān)）
3集成門(mén)極換流晶間管IGCT
簡(jiǎn)稱(chēng)IGCT利用功率 MOSFET優(yōu)點(diǎn)，集成門(mén)極換流晶閘管（IntegratGateCommutThyristor1977年出現(xiàn)的一種新型高電壓大電流開(kāi)關(guān)器件。將MOS???術(shù)與晶間管組合。損耗比可關(guān)斷晶閘管GTO小，接線比GTO簡(jiǎn)單可靠，并可以采用風(fēng)冷?，F(xiàn)在已開(kāi)始應(yīng)用于中大型功 率的電力電子變頻調(diào)速系統(tǒng)，如MW級(jí)的變頻器、新型的靜止式無(wú)功功率補(bǔ)償裝置等。模擬通道信號(hào)輸入A/D轉(zhuǎn)換芯片之前，需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行一定的調(diào)整。可以利用運(yùn)放構(gòu)成同相放大電路。這里使用的TI公司的TLV2761TLV2761一款帶關(guān)斷功能的微功耗運(yùn)放，工作電流僅為20μA關(guān)斷時(shí)電流可低至10nA TLV2761采用CMOS軌對(duì)軌輸入輸出，專(zhuān)為電池供電等低功耗系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的
靜態(tài)工作電流*大為1.8mA 關(guān)斷模式下電流僅1μAAD7854L支持單極性輸入及準(zhǔn)差分輸入回路電阻測(cè)試儀功率電阻，A /D轉(zhuǎn)換芯片采用的AnalogDevICAD7854LAD7854L一款高速、低功耗的12位并行ADC采樣頻率可以達(dá)到100ksp采用3V5V單電源供電。單極性輸入的精度略高于差分輸入。該芯片采用CMOS工藝，正常工作時(shí)典型功耗為5.4mW關(guān)斷模式下功耗僅為3.6μW流回路電阻測(cè)試儀，聰明的單片機(jī)設(shè)計(jì)師能夠充分的利用MCU中斷功能讓MCU周期性的工作和睡眠從而大大的降低MCU工作電流。
說(shuō)這個(gè)有點(diǎn)像廢話一樣，五、盡量關(guān)閉MCU內(nèi)部不用的資源—這個(gè)嗎地球人都知道的好處。不用的東西你干嗎開(kāi)著呢比如ATmega8內(nèi)部的模擬比較器，默認(rèn)是開(kāi)著的還有ATmega88內(nèi)部的大多數(shù)資源都可以在不用的時(shí)候用軟件關(guān)閉。
道理很簡(jiǎn)單VMOS驅(qū)動(dòng)的時(shí)候是電壓行器件驅(qū)動(dòng)是幾乎不產(chǎn)生功耗，六、盡量使用VMOS做為外部功率擴(kuò)展器件。要比普通的晶體管省電多了而且由于VMOS導(dǎo)通內(nèi)阻低通常只有幾十個(gè)毫歐，小電流的時(shí)候器件自身發(fā)熱也小，尤其是小電流是效率遠(yuǎn)比傳統(tǒng)晶體管要高的多的多這里還是建議使用高速VMOS因?yàn)楦咚賄MOS開(kāi)關(guān)速度相當(dāng)高的PWM時(shí)效率會(huì)更高。
其中 1-3端用于檢測(cè)電源電壓 U11-2端用于檢測(cè)附加電阻電壓 U22-3端用于檢測(cè)負(fù)載電壓 U3七、片外IC電源*好都能由MCUIO控制比如說(shuō)我常用的24C02由于它掉電記憶的所以我完全可以在不工作的時(shí)候?qū)λP(guān)電源以節(jié)約電流還有比如說(shuō)我常用的6116SRA M完全可以用單片機(jī)來(lái)控制它片選端口來(lái)控制它工作與休眠從而節(jié)約電流。電壓傳感器完成對(duì)電壓的檢測(cè)。
該芯片是目前集成外圍設(shè)備模塊*多、功能*強(qiáng)的單片機(jī)系列之一 [4]該單片機(jī)芯片帶有 8通道、10位分辨率的數(shù)模轉(zhuǎn)換器 ADC模塊，單片機(jī)選用 PIC16F877單片機(jī)。并具有 4KFLA SH程序存儲(chǔ)器。RA 端口是一個(gè)只有 6個(gè)引腳的雙向 I/O端口，基本輸入/輸出功能的基礎(chǔ)上復(fù)合了A/D轉(zhuǎn)換器功能回路電阻測(cè)試儀，通過(guò)端口方向控制器可定義端口引腳為輸入或輸出。RBRC分別為具有 8個(gè)引腳的輸入/輸出可編程接口，每個(gè)I/O口能提供或吸收 20mA 電流，能直接驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管和固態(tài)繼電器，并有看門(mén)狗電路。具有外部電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，性能可靠的特點(diǎn)。功率因數(shù)由單片機(jī)直接輸出通過(guò) 4位紅色高亮度數(shù)碼管，對(duì)功率因數(shù)進(jìn)行顯示，顯示精度達(dá)到0.001通信子程序的任務(wù)是完成串行通信的初始化。PIC16F877單片機(jī)帶有的同步異步接收發(fā)送模塊（USA RT利用 C口的RC6RC7兩個(gè)引腳作為二線制的串行通信接口，為使 USA RT分別工作與發(fā)送和接收狀態(tài)，編程時(shí)首先將 USA RT接收狀態(tài)和控制寄存器的bit7和 PISC寄存器的bit7均置為1把 PISC寄存器的bit6均置為0其次，要使 USA RT工作在異步通信方式，還必須設(shè)置發(fā)送和接收速率即波特率回路電阻測(cè)試儀。*后通過(guò)對(duì)發(fā)送狀態(tài)和控制寄存器 TXSTA bit4設(shè)置為“0從而使 USA RT工作于異步通信模式。降壓轉(zhuǎn)換器中的主要熱源是高邊MOSFET低邊MOSFET和電感器。如果我使用電工學(xué)方法來(lái)判定高邊MOSFET功率損耗，那么就必須測(cè)量漏極電流、漏源電壓、柵極電流和柵源電壓。不幸的如果不在電流路徑中引入額外的電感和干擾電路的正常工作回路電阻測(cè)試儀符合規(guī)定，要在高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器中測(cè)得這些數(shù)據(jù)是非常困難的但借助熱成像攝像機(jī)，研究出一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法回路電阻測(cè)試儀，而且不會(huì)影響電路的工作。