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回路電阻測試儀的原因分析
回路電阻測試儀的原因分析
合理選擇配電變壓器的關(guān)健所在一般情況下配電變壓器的高壓側(cè)(跌落保險(xiǎn))熔絲選擇在1.21.5倍高壓側(cè)額定電流以內(nèi)回路電阻測試儀，防止二次短路。配電變壓器二次短路是造成變壓器損壞的*直接的原因。低壓側(cè)按額定電流選用，此情況下回路電阻測試儀預(yù)測的負(fù)擔(dān)，即使發(fā)生低壓短路故障，熔絲也能對變壓器起到應(yīng)有的保護(hù)作用。
簡單可靠成本低。適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。圖7b所示驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)速度很快，a為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，為防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.51Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的**率開關(guān)設(shè)備。這兩種電路特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單。
只要柵極和源極之間施加的電壓超過其閥值電壓就會(huì)導(dǎo)通。由于MOSFET存在結(jié)電容，功率MOSFET屬于電壓型控制器件。關(guān)斷時(shí)其漏源兩端電壓的突然上升將會(huì)通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。常用的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)斷回路阻抗小，關(guān)斷速度較快，但它不能提供負(fù)壓，故抗干擾性較差。為了提高電路的抗干擾性，可在此種驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上增加**有V1V2R組成的電路回路電阻測試儀，產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓，電路原理圖如圖8所示。MOSFET漏源之間的電流通過一個(gè)溝道（CHA NNEL上的柵（GA TE來控制。按MOSFET原意，MOS代表金屬（META L氧化物（OXIDE半導(dǎo)體（SEMICONDUCTOR即以金屬層（M柵極隔著氧化層（O利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（SFETFIELDEFFECTPA NSISTOR場效應(yīng)晶體管）名字也由此而來。然而我HEXFET中的柵極并不是金屬做的而是用多晶硅（POLY來做柵極，這也就是圖中所注明的硅柵極（SILICONGA TEIR1978年時(shí)是用金屬做柵極的1979年的GEN1HEXFET世界上**個(gè)采用多晶硅柵極的多原胞型功率MOSFET
目前世界上密度*高的IR第八代（GEN8HEXFET每平方厘米已有1740萬個(gè)原胞。這就完全可以理解，IR功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)中每一個(gè)六角形是一個(gè)MOSFET原胞（CELL正因?yàn)樵橇切蔚腍EXA NGULA R因而IR常把它稱為 HEXFET功率MOSFET通常由許多個(gè)MOSFET原胞組成。已風(fēng)行了十余年的IR第三代（GEN3HEXFET每平方厘米約有18???個(gè)原胞?，F(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的精細(xì)工藝已和微電子電路相當(dāng)。新一代功率器件的制造技術(shù)已進(jìn)入亞微米時(shí)代。為降低JFET電阻，很早就采用了一種工藝，即增加所夾溝道中的摻雜濃度，以求減小JFET溝道電阻。
溝槽式結(jié)構(gòu)也為降低JFET電阻帶來好處。原結(jié)構(gòu)中的JFET溝槽型結(jié)構(gòu)中已經(jīng)消失。這也就使其RDSON得以進(jìn)一步下降。然而溝槽式的缺點(diǎn)是其工藝成本要比原平面型的結(jié)構(gòu)較高。
3降低漂移電阻
必需提高硅片的電阻率。雙極型晶體管中（晶閘管也一樣）有少數(shù)載流子注入基區(qū)來調(diào)節(jié)體內(nèi)電阻，上面的討論已涉及到如何降低溝道電阻RCH和JFET電阻RJ現(xiàn)在剩下的如何來減小芯片的體電阻RD上面已經(jīng)提到當(dāng)要求MOSFET工作于較高電壓時(shí)。所以硅片電阻率的提高對內(nèi)阻的增加影響較小。但 MOSFET則不屬于雙極型晶體管，依賴多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以完全是以外延層的電阻率來決定其RD因而使MOSFETRDSON與器件耐壓有一個(gè)大概2.42.6次方的關(guān)系。即要求器件的耐壓提高時(shí)，其RDSON必然有一個(gè)十分迅速的上升。這也是為什么在600伏以上常采用IGBT原因。IGBT絕緣柵雙極型晶體管的簡稱回路電阻測試儀，IGBT雖然結(jié)構(gòu)與MOSFET相似，但卻是一種雙極型器件。也是采用少數(shù)載流子的注入來降低其體電阻的隨著中國技術(shù)、經(jīng)濟(jì)各方面的迅猛發(fā)展，能源與電網(wǎng)相應(yīng)承載了許多****的壓力，節(jié)能減排、能源結(jié)構(gòu)、能源分布、電力調(diào)配、防災(zāi)能力、供電可靠性等方面存在諸多問題。
2009年11月25日，節(jié)能減排方面。國務(wù)院召開常務(wù)會(huì)議，決定到2002年中國單位國內(nèi)生產(chǎn)總值二氧化碳排放比2005年下降40%-50%;按照7.5%增長速率，中國GDP問題到2020年將達(dá)到74.3萬億人民幣，中國GDP能耗從2005年萬元DFP1.222噸煤降低到2020年的0.672噸，年能耗50億噸標(biāo)煤，接近美國、歐盟和日本屆時(shí)的總和;如果中國的能源結(jié)構(gòu)不實(shí)行大的調(diào)整，二氧化碳排放將達(dá)到120億噸回路電阻測試儀固有特性，屆時(shí)美國、歐盟、日本的排放總和為80億噸，全球的排放總量限額則是300億噸?？梢娭袊诠?jié)能減排的道路上要求高，任務(wù)重，承擔(dān)著巨大的減排壓力。隨著智能電網(wǎng)發(fā)展，微電網(wǎng)及其關(guān)鍵技術(shù)也成為各界關(guān)注的熱點(diǎn)。
所有微型電源采用恒PQ控制策略。當(dāng)主網(wǎng)故障微網(wǎng)孤網(wǎng)運(yùn)行時(shí)，微電網(wǎng)并網(wǎng)時(shí)。其中一個(gè)微型電源將切換為V/f控制策略，對微網(wǎng)系統(tǒng)電壓和頻率直到支撐作用，其它微型電源保持PQ控制運(yùn)行，不能與電壓和頻率的調(diào)整。孤網(wǎng)運(yùn)行模式，微網(wǎng)內(nèi)可以通過V/f控制單元的功率跟隨特性來實(shí)現(xiàn)電力供需平衡，同時(shí)保證較高的電壓和頻率質(zhì)量。當(dāng)微電網(wǎng)再次并網(wǎng)時(shí)，通過鎖相環(huán)控制回路電阻測試儀，確保微網(wǎng)和主網(wǎng)間的頻率和電壓相位相角的一致，基本實(shí)現(xiàn)平滑、柔性并網(wǎng)。通過PSCA D仿真研究也證明了該控制策略的有效性，采用合理的控制策略，微電網(wǎng)可以并網(wǎng)或孤網(wǎng)運(yùn)行，并可實(shí)現(xiàn)兩種運(yùn)行狀態(tài)的平滑過渡和轉(zhuǎn)換。
提供了一種充分利用分布式能源發(fā)電所機(jī)制?；谖⒕W(wǎng)結(jié)構(gòu)的電網(wǎng)調(diào)整能夠方便大規(guī)模的分布式能源互聯(lián)并接入中低壓配電系統(tǒng)。
這種結(jié)構(gòu)具有顯著的社會(huì)經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益。通過建立微網(wǎng)可以使得分布式發(fā)電應(yīng)用于電力系統(tǒng)并發(fā)揮其*大的潛能。微網(wǎng)可作為輸電網(wǎng)、配電網(wǎng)之后的第三級電網(wǎng);相比目前的大電網(wǎng)。
機(jī)遇和挑戰(zhàn)
所有功能均可遙控實(shí)現(xiàn)。通信系統(tǒng)傳輸?shù)男畔⒏暾悄茈娋W(wǎng)和微電網(wǎng)技術(shù)將為促進(jìn)清潔能源的發(fā)展、減小碳排放、提高電力企業(yè)效益、解決我國電網(wǎng)的快速發(fā)展與網(wǎng)架結(jié)構(gòu)薄弱的矛盾做出貢獻(xiàn);為設(shè)備制造商、電力企業(yè)和電力用戶提供新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。數(shù)字化變電站的采用智能一次設(shè)備。通信的可靠性和實(shí)時(shí)性都大幅度提高。變電站因此可實(shí)現(xiàn)更多、更復(fù)雜的自動(dòng)化功能，提高自動(dòng)化水平。一次設(shè)備、二次設(shè)備和通信網(wǎng)絡(luò)都可具備完善的自檢功能，可根據(jù)設(shè)備的健康狀況實(shí)現(xiàn)狀態(tài)檢修。
智能一次設(shè)備
1智能柜
進(jìn)口智能一次設(shè)備相當(dāng)昂貴，由于尚無國產(chǎn)智能一次設(shè)備?？赏ㄟ^在傳統(tǒng)一次設(shè)備的接線端子箱中安裝智能控制單元來實(shí)現(xiàn)過程層設(shè)備智能化。針對以上種種配電變壓器損壞的原因分析回路電阻測試儀，有相當(dāng)一部分配電變壓器損壞是可以避免的還有一些只要加強(qiáng)設(shè)備巡視檢查，嚴(yán)格安規(guī)章制度辦事，就可以將變壓器損壞事故消滅在萌芽狀態(tài)。具體對策如下。
1做好運(yùn)行前的檢查測試
其主要內(nèi)容如下。配電變壓器投運(yùn)前必須進(jìn)行現(xiàn)場檢測。
油位是否清晰且在與環(huán)境相符的油位線上。油位過高，油枕上的油位計(jì)是否完好。變壓器投入運(yùn)行帶負(fù)荷后，油溫上升，油膨脹很可能使油從油枕頂部的呼吸器連接管處溢出;過低，則在冬季輕負(fù)荷或短時(shí)間內(nèi)停運(yùn)時(shí)，可能使油位下降至油位計(jì)看不到油位。
有無滲油現(xiàn)象。否則當(dāng)變壓器帶負(fù)荷后，套管、油位計(jì)、排油閥等處是否密封良好。熱狀態(tài)下會(huì)發(fā)生更嚴(yán)重的滲漏現(xiàn)象。配電變壓器一、二次側(cè)裝設(shè)避雷器，并將避雷器接地引下線、變壓器的外殼、二次側(cè)中性點(diǎn)3點(diǎn)共同接地，對100kVA 以上容量且電感設(shè)備較多的變壓器上層油溫不宜經(jīng)常超過85℃，*高不得超過95℃(配電變壓器側(cè)溫孔插入溫度計(jì)可隨時(shí)測得運(yùn)行變壓器的即時(shí)溫度)不得長期過負(fù)荷運(yùn)行回路電阻測試儀的特點(diǎn)。但在日負(fù)荷系數(shù)小于1日平均負(fù)荷與*大負(fù)荷之比)上層油溫不超過允許值的情況下，可以按正常過負(fù)荷的規(guī)定運(yùn)行回路電阻測試儀，總過負(fù)荷值不應(yīng)超過變壓器為20%當(dāng)變壓器內(nèi)的絕緣(油等絕緣介質(zhì))老化速度要增加一倍，使用年限要相應(yīng)減少。因此，必須避免長時(shí)間過負(fù)荷運(yùn)行。
將造成三相電流的不平衡，避免三相負(fù)載不平衡運(yùn)行。變壓器三相負(fù)載不平衡運(yùn)行。此時(shí)三相電壓也不平衡。對三相負(fù)載不平衡運(yùn)行的變壓器，應(yīng)視為*大電流的負(fù)荷，若在*大負(fù)荷期間測得的三相*大不平衡電流或中性線電流超過額定電流的25%時(shí)，應(yīng)將負(fù)荷在三相間重新分配。