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回路電阻測試儀的電源特性和共模特性
回路電阻測試儀的電源特性和共模特性
而且就像MOSFET一樣，增強型氮化鎵(eGaNFET與硅功率MOSFET相比有許多優(yōu)勢。許多設計人員想通過并聯(lián)器件來提高其轉(zhuǎn)換器的功率性能。因為eGaNFET開關(guān)速度要比商用MOSFET快十倍回路電阻測試儀，所以并聯(lián)會帶來許多新挑戰(zhàn)。這篇文章分成兩部分回路電阻測試儀功率耗散值，討論了這些挑戰(zhàn)并提出了如何獲得優(yōu)異性能的建議。
8多臺變頻器共用直流母線的方法
因為任何一臺變頻器從直流母線上取用的電流一般均大于同時間從外部饋入的多余電流，至少兩臺同時運行的變頻器共用直流母線可以很好的解決變頻器中間直流回路過電壓問題。這樣就可以基本上保持共用直流母線的電壓。使用共用直流母線存在*大的問題應是共用直流母線保護上的問題，利用共用直流母線解決過電壓的問題時應注意這一點。器，用來調(diào)節(jié)輸出電壓為一穩(wěn)定值。電流誤差信號經(jīng)過調(diào)節(jié)后生成PWM脈沖信號輸出，L4981A 輸出端(20腳)將輸出的PWM控制IGBT管的導通和關(guān)斷，通過外接振蕩器的定時電阻和電容來設定PWM開關(guān)頻率回路電阻測試儀，經(jīng)過輸出電容Ca濾波來實現(xiàn)直流輸出。升壓后的輸出電壓VOUT經(jīng)R29R30R31和W4可調(diào)電位器)分壓后加到3腳，當此管腳的電壓大于5.1V時，即VOUT超過410V時，L4981A 將實現(xiàn)過壓保護，輸出將被強制接地，來強制截至功率開關(guān)管[3-4]單片機通過地址總線和數(shù)據(jù)總線分別控制片外EPROM和鎖存器，其中8位數(shù)據(jù)總線和14位地址總線的低8位分時復用。EPROM存放單片機程序，當單片機上電后將運行EPROM中的程序。鎖存器起到數(shù)據(jù)暫存作用，當讀取EPROM某個地址中的程序時，先由單片機對EPROM進行地址操作，然后通過鎖存器暫存地址總線的低8位，此時它作為8位數(shù)據(jù)總線將選定地址中的程序送入單片機去執(zhí)行。
單片機第46~48引腳對輸出三相電壓進行采樣，控制系統(tǒng)中。第40引腳為外部參考電壓輸入，第62引腳為故障信號輸入，第30~35引腳為PWM輸出，第12~16引腳為高6位地址總線，第17~24引腳為低8位地址總線和8位數(shù)據(jù)總線的復用總線。典型的現(xiàn)??通信信號鏈由發(fā)射和接收端組成，兩個部分都需要RF射頻)功率監(jiān)測和控制(圖1目前，兩部分電路中，RF功率的監(jiān)測通常都采用將功率監(jiān)測和基于基準電壓設定點的自動增益控制(AGC技術(shù)結(jié)合起來的技術(shù)。接收端的信號監(jiān)測往往是中頻(IF完成的而發(fā)射端的功率監(jiān)測則可以在RF或IF部分完成。兩種*常見的方法是給控制鏈(往往在中頻)添加一個可變增益放大器(variable-gainamplifiVGA 或者通過調(diào)節(jié)功率放大器(PA 偏壓直接對RF信號進行控制。某些情況下回路電阻測試儀，兩種辦法都可能要用到DA C另一個關(guān)鍵要**盡可能減小偏移。如果輸出偏移過大，發(fā)射機可能過早接通。更高分辨率的DA C可以實現(xiàn)對增益控制電壓的更有力控制。一般來說，誤差放大器的輸入范圍小于DA C動態(tài)范圍，因此只能使用與誤差放大器的輸入范圍相對應的代碼。另外，也可以對DA C輸出進行縮放，以便與誤差放大器的輸入實現(xiàn)匹配回路電阻測試儀供電可靠性，從而增強對增益的控制分辯率(按dB/代碼縮放)使用負載點轉(zhuǎn)換器的情況下，用12V分布式供電系統(tǒng)實現(xiàn)就容易得多。也可以用電路中的順序控制FET晶體管來控制負載點接通電源和切斷電源的順序，其中有一些可以由負載點本身來控制，這時就不需要控制順序的FET晶體管，也減少了直流損失。市場上現(xiàn)在可以買到輸出電壓為12V模塊，一般是功能齊全的磚塊型轉(zhuǎn)換器，提供經(jīng)過穩(wěn)壓的12V輸出電壓。磚塊型12V轉(zhuǎn)換器中有反饋，通過一只光耦合器把反饋信號送回到轉(zhuǎn)換器的原邊。磚塊型12V轉(zhuǎn)換器的有效值電流很大，次級需要額定電壓為40V至100VFET晶體管，額定電壓較高的FET晶體管的Rdon高于額定電壓較低的FET晶體管的Rdon因而轉(zhuǎn)換器的效率比較低─如果平均輸出電較低的話就可以用額定電壓較低的FET晶體管。給定輸出功率的情況下，具有穩(wěn)壓作用的磚塊型轉(zhuǎn)換器往往相當貴回路電阻測試儀，而且體積大，因為在模塊內(nèi)有相當多的元件。使用分布式的12V母線電壓時，也會略微降低負載點轉(zhuǎn)換器的效率，因為輸入電壓直接影響負載點轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損生。為了讓大家看到直流母線電壓器的優(yōu)異性能，選擇原邊開關(guān)頻率為220kHz使用較高的開關(guān)頻率，可以減少輸出電壓的脈動，而且，由于磁通密降低了可以使用比較小的磁性元件。變壓器的磁芯比較小，損耗也降低了但是由于開關(guān)頻率較高，增加了原邊和副邊的開關(guān)損失，因而降低了整個電路的效率。磁通不平衡是橋式電路的一個問題，為了防止磁通不平衡，高壓邊和低壓邊的脈沖寬度之差不到25ns針對不同的應用、不同的輸出功率和不同的開關(guān)器件，頻率以及驅(qū)動半橋整流電路的低壓邊脈沖和高壓邊脈沖之間的死區(qū)時間是可以調(diào)節(jié)的這是利用外面的定時電容器來實現(xiàn)的Vbe室溫下的溫度系數(shù)約為-2．0mVK而熱電壓、VT室溫下的溫度系數(shù)約為0．085mVK合理設置R2R3和n值，可以得到零溫度系數(shù)的基準電壓。
使得實際設計中會存在很多困難。鑒于此，但是由于前述有關(guān)晶體管溫度特性的缺陷。將對傳統(tǒng)帶隙基準進行改進，基于MOS閾值電壓設計一款零溫度系數(shù)的基準電路。首先產(chǎn)生兩路分別與PMOS和NMOS閾值電壓成正比的電壓VP和VN通過設置合理的系數(shù)K1K2使得兩者的溫度系數(shù)相抵消，從而得到低溫度系數(shù)或零溫度系數(shù)的基準電壓。產(chǎn)生的基準電壓表達式如式（7所示：模塊1所示回路電阻測試儀，VP由PMOS管MP1MP2產(chǎn)生的一個隨溫度變化的線性電壓。運放A1使MP2漏極電壓等于Va通過適當調(diào)整R1和R2阻值，使得MP1工作在飽和區(qū)，MP2工作在線性區(qū)。電路中MP1與MP2形成正反饋，而R1與R2形成負反饋，且負反饋的作用大于正反饋?？梢钥闯觯a(chǎn)生線性電壓VP過程中，當VP為0時，流過MP1MP2電流為0即存在一個零點。所以增加MOS管MP3作為啟動管，通過給MP3源端提供一個啟動電壓VST1來使其脫離零點，進入正常工作。當VP=0V時，MP3導通，并向MP1灌人電流，使得MP1源極電壓升高，從而運放A1開始工作。當正常工作后，MP3關(guān)斷，降低功耗。由于啟動電壓VST1并沒有**的要求，所以可以直接從輸入電壓分壓得到為了提高基準電路的特性，設計電路中的運放A1A2A3均采用折疊式的共源共柵結(jié)構(gòu)，具有很高的電壓增益與寬的線性區(qū)間，保證了較高的基準精度與較大的調(diào)整空間，電路結(jié)構(gòu)如圖6所示。輸出端采用一個：PMOS源跟隨器M14以提高運放的輸出擺幅。經(jīng)HSpice仿真驗證，該運放開環(huán)增益105dBCMRR和PSRR均在150dB以上回路電阻測試儀，保證了較好的電源特性和共模特性回路電阻測試儀的特點，仿真波形如圖7所示。氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。