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回路電阻測試儀的相位差信息
回路電阻測試儀的相位差信息
可以看出，圖6三相輸入電壓中a相電壓和鎖相輸出的電壓波形。該鎖相方式具有很快的響應(yīng)速度回路電阻測試儀，很好的精度，并且對畸變電壓有很強的抑制作用。
由于MOS管工作在飽和區(qū)回路電阻測試儀熱穩(wěn)定性強，一般基于自偏置的基準電路。其工作電流一般在微安級，雖然可以適用于大部分消費類電子芯片的應(yīng)用，但對于一些特殊應(yīng)用，如充電電池保護芯片，則無法達到其設(shè)計要求。于是降低基準電路的電流則成為芯片低功耗設(shè)計的關(guān)鍵。為了減小電路的靜態(tài)電流，這里的基準與偏置電路采用增強管與耗盡管相結(jié)合的方式。對于增強型MOS管，閾值電壓隨溫度的升高而下降；對于耗盡型MOS管，閾值電壓為負，其閾值電壓的溫度系數(shù)與增強型相反。利用增強型MOS管閾值電壓的負溫度系數(shù)和耗盡管閾值電壓的正溫度系數(shù)產(chǎn)生一個精度很高的基準電壓。溫度測量和其他物理及化學(xué)量的測量中，經(jīng)常會出現(xiàn)“零點”時候信號不是零的情況，這時候，下面的電橋輸入”電路就被優(yōu)先采用了可以根據(jù)被測信號的特點，用傳感器替換電橋回路中的某一個電阻元件。數(shù)字電壓表的兩個輸入端也不再有接地點，作為一種典型的差分”輸入來使用了因此回路電阻測試儀，輸入輸出壓差越低、靜態(tài)電流(輸入電流和輸出電流之差)越低線性穩(wěn)壓器的工作效率就越高。實際應(yīng)用中，分析效率時還必須清楚:電池不是理想電源，具有輸出電阻，供電時，電壓是逐漸下降的電池的這種特性是非常有利于LDO線性穩(wěn)壓器工作效率的LDO線性穩(wěn)壓器工作效率隨著電池電壓的下降而逐漸升高。另外，小負載電流時，穩(wěn)壓器的效率將受靜態(tài)電流的限制，比如輸出電流等于輸入電流的一半，則穩(wěn)壓器的效率將減少一半，因此當(dāng)設(shè)備處于“待機”狀態(tài)時，靜態(tài)電流決定了電池的使用壽命。因此設(shè)計低壓差、低靜態(tài)電流的線性穩(wěn)壓器已成為便攜式設(shè)備電源管理課題的一大技術(shù)解決方案。農(nóng)村電網(wǎng)的燈動合一線路，常帶來三相負荷不平衡，從而使三相電壓也出現(xiàn)不平衡，于是給很多從事生產(chǎn)與加工的三相動力用戶和農(nóng)電工作人員，帶來在不平衡電壓下，需要分析電動機的運行特性問題。而為了分析電動機，包括小水電站發(fā)電機的運行特性，就需要把不對稱三相電壓分解成為對稱的正序電壓分量和負序電壓分量。用計算方法求解比較困難，這里用很簡單的作圖法，對三相不平衡電壓進行分解。輸出電壓的溫度漂移系數(shù)是衡量電壓基準芯片性能的一個重要參數(shù)。代表一個平均量，可以通過這個參數(shù)估算芯片輸出電壓在整個工作溫度范圍內(nèi)的變化范圍回路電阻測試儀，這個參數(shù)不代表某一特定溫度點的輸出電壓隨溫度變化的斜率。由溫度漂移導(dǎo)致的精度誤差很難通過系統(tǒng)校準的方法來減小。
溫度漂移系數(shù)小于10ppm/?C圖2為測試得到典型溫度漂移曲線。如果一塊極板相對于另一塊處在正電位，ICN25XX系列電壓基準芯片采用**的補償電路和修調(diào)電路實現(xiàn)了良好的溫度漂移特性：-40?C125?C溫度范圍內(nèi)。那么電子束將被吸向正電位的極板，電子束的偏轉(zhuǎn)引起光點在屏上的偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)多少依賴于極板間的電勢差。
光斑將由屏的中央移到中央的左或右的某點，具體偏移多少有賴于極權(quán)所加的電壓回路電阻測試儀固有特性，如果電壓加在Y偏轉(zhuǎn)板上，光斑將向上或向下移動。-圖6顯示了具有代表性的模型,如果兩極板間所加的一個穩(wěn)定的電壓。其說明了對開關(guān)電源性能能夠產(chǎn)生影響作用的大多數(shù)寄生元件。為了簡化,只給出了低側(cè)同步整流器MOSFET和驅(qū)動器級。與驅(qū)動器汲極和源極阻抗相關(guān)聯(lián)的電阻通常都具有不同值,但制造商的數(shù)據(jù)表中都應(yīng)做了指定。需要指出的,驅(qū)動器和MOSFET間寄生電感的作用同樣是十分重要的進行較高頻率操作時,該電感將限制門電流對MOSFET輸入電容充電的嘗試。公式2表明這將導(dǎo)致更長的上升與下降時間以及額外的開關(guān)損耗。本例中,假定總寄生電感LLUMP為50nH如圖6所示,LLUMP由與MOSFET和驅(qū)動器封裝類型相關(guān)的內(nèi)部引線電感組成。由于設(shè)計人員無法真正控制這些參數(shù),因此**可以控制的寄生電感組件是線跡電感Ltrace為此,*大程度地縮短驅(qū)動器與MOSFET之間的線跡長度以及直接在接地平面上運行短且寬的線跡,都可降低寄生線跡電感。表2表明,對于Fsw=200kHz且IOUT=20A ,采用VGS=9V比采用VGS=5V驅(qū)動Q1與Q2能提高整體效率近1.7%表2中的結(jié)果與圖7圖10中的計算圖形結(jié)果完全一致。本例中,采用VGS=9V驅(qū)動Q1與Q2能顯著提高整體效率,然而在IOUT低于7A 時,效率有所降低。表2中Q1與Q2總損耗似乎是合理的,然而,每個MOSFET封裝的熱阻抗也應(yīng)該考慮在內(nèi),這樣才能確保連接點溫度處于額定的限制范圍中回路電阻測試儀。如果連接點溫度未超過選定的設(shè)計限值,則可進一步提高開關(guān)頻率。
結(jié)論
動態(tài)響應(yīng)速度快，對畸變輸入電壓有很強的抑制作用。---使用給定的一組同步降壓功率級設(shè)計參數(shù),以9V而不是5V驅(qū)動MOSFET門極能夠?qū)崿F(xiàn)高達1.7%滿負載效率增加值。本文介紹的SPLL結(jié)構(gòu)比較簡單。
即把電壓轉(zhuǎn)換到αβ坐標系中。再經(jīng)pq變換得到uq變換所使用的角度是鎖相的輸出θ＊，SPLL基本結(jié)構(gòu)如圖2所示。把三相輸入電壓采樣后做32變換。uq值代表輸入電壓a相相位和鎖相輸出相位θ＊的差，然后利用一個PI環(huán)節(jié)將該差調(diào)整到零，從而達到相位捕獲的目的下面對原理做詳細闡述。頻率沒有鎖定時，uq一個交流分量，頻率鎖定，相位沒有鎖定時，一個直流分量回路電阻測試儀，其大小代表鎖相輸入與輸出之間的相位差信息。頻率，相位完全捕獲的情況下，有ω1=ω，φ=0此時uq=0恒定的直流分量，而且它并不隨電源電壓幅值的變化而變化?？梢钥闯?，只有頻率和相位完全捕獲的情況下才有uq=0所以通過把uq調(diào)節(jié)為0就可以達到鎖相的目的該結(jié)構(gòu)利用PI環(huán)節(jié)達到這一目的同時，因在數(shù)字系統(tǒng)中正弦和余弦的值靠查表得到所以θ＊的值不能太大，故每隔一個工頻周期復(fù)位一次。
做C32變換后其值為0對結(jié)果沒有影響回路電阻測試儀的特點，假設(shè)三相輸入電源電壓畸變即電壓中含有零序、負序和諧波分量。對于零序回路電阻測試儀。所以不予考慮。此時的三相電壓為 以一臺三相四線制6kWDVR為平臺，對該控制方案進行試驗驗證?？刂品桨傅膶崿F(xiàn)采用TI公司的DSP2000系列的C32利用此裝置進行電壓跌落下的鎖相和補償試驗。