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回路電阻測試儀額定負載轉(zhuǎn)入輕載和待機狀態(tài)時
回路電阻測試儀額定負載轉(zhuǎn)入輕載和待機狀態(tài)時
脈沖前沿很陡的柵極電壓加到柵極和發(fā)射極之間，極驅(qū)動電壓UGEIGBT開通時。使IGBT快速開通，開通時間短，減小開通損耗;關(guān)斷時回路電阻測試儀，下降沿陡的反向偏置電壓加到柵極與發(fā)射極間，使之快速關(guān)斷，減小關(guān)斷損耗。因此，用內(nèi)阻小的驅(qū)動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓UGE有足夠陡的前后沿，使IGBT開關(guān)損耗盡量小。IGBT導(dǎo)通中及瞬時過載時，柵極驅(qū)動源應(yīng)能提供足夠的功率回路電阻測試儀穩(wěn)定的調(diào)速，使IGBT不退出飽和而損壞。
而功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。差模噪聲主要由大的di/dt與雜散電容引起;共模噪聲則主要由較高的dv/dt與雜散電感相互作用而產(chǎn)生的高頻振蕩引起。電磁干擾(ElectroMagnetInterfer有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過導(dǎo)電介質(zhì)把一個電網(wǎng)絡(luò)上的信號耦合到另一個電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過空間把其信號耦合到另一個電網(wǎng)絡(luò)回路電阻測試儀。差模干擾和共模干擾是主要的傳導(dǎo)干擾形態(tài)。
形成電磁干擾的條件有三：A向外發(fā)送電磁干擾的源—噪聲源 B傳遞電磁干擾的途徑—噪聲耦合和輻射 C承受電磁干擾(對噪聲敏感)客體—受擾設(shè)備
需研制一臺高壓大功率直流開關(guān)電源。采用開關(guān)電源主要是因為開關(guān)電源功率可以做大、電壓可以做高、電壓調(diào)節(jié)范圍可以做廣。但是整個研制過程中發(fā)現(xiàn)驅(qū)動電路是比較困難且重要的環(huán)節(jié)。目前開關(guān)電源的國內(nèi)外發(fā)展速度很快，由于遠程供電的需要。技術(shù)非常成熟。20世紀(jì)90年代以來，高頻變換技術(shù)飛速地發(fā)展，不斷涌現(xiàn)了新型電力電子器件，高智能化IC和新電路拓撲。
多電平逆變器在高電壓、大功率領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用回路電阻測試儀。多電平變換器有三種基本的拓撲結(jié)構(gòu)：二極管嵌位型、飛跨電容型、多單元串聯(lián)型。相比較而言，自九十年代初以來。多單元串聯(lián)型有如下幾個主要的優(yōu)點：
因此主電路拓撲結(jié)構(gòu)非常簡單。1逆變器結(jié)構(gòu)基于傳統(tǒng)的兩電平逆變器單元。
因此所有功率單元可以互換回路電阻測試儀提高產(chǎn)品性能，2功率單元采用模塊化結(jié)構(gòu)。維修非常方便，電路中也不存在大量的嵌位二極管或電壓平衡電容器。
同一相的功率單元輸出相同幅值和相位的基波電壓，逆變器輸出采用水平移相式PWM技術(shù)。但各個功率單元的載波之間互相錯開一定電角度，實現(xiàn)多電平PWM波輸出，輸出電壓非常接近正弦波。輸出電壓每個電平臺階只有單元直流母線電壓大小，所以dV/dt很小。由于采用水平移相式PWM技術(shù)，輸出電壓的等效開關(guān)頻率大大提高，且輸出電平數(shù)增加，因此功率單元采用較低的開關(guān)頻率回路電阻測試儀，以降低開關(guān)損耗，提高效率。波形圖如圖4所示。圖4中，UA 1UA 2UA 3分別為**功率單元、**功率單元、第三功率單元的輸出PWM波形，UA 1為三單元串聯(lián)后的PWM波形。
人們對開關(guān)電源待機效率期望越來越高，隨著能源效率和環(huán)保的日益重要?？蛻粢箅娫粗圃焐烫峁┑碾娫串a(chǎn)品能滿足BLUEA NGELENERGYSTA RENERGY2000等綠色能源標(biāo)準(zhǔn)，而歐盟對開關(guān)電源的要**2005年，額定功率為0.3W~15W15W~50W和50W~75W開關(guān)電源回路電阻測試儀，待機功耗需分別小于0.3W0.5W和0.75W
電源效率急劇下降，目前大多數(shù)開關(guān)電源由額定負載轉(zhuǎn)入輕載和待機狀態(tài)時。待機效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
提高待機效率，要減小開關(guān)電源待機損耗。首先要分析開關(guān)電源損耗的構(gòu)成。以反激式電源為例，其工作損耗主要表現(xiàn)為：MOSFET導(dǎo)通損耗MOSFET導(dǎo)通損耗
主電路電流較小，待機狀態(tài)。MOSFET導(dǎo)通時間ton很小回路電阻測試儀，電路工作在DCM模式，故相關(guān)的導(dǎo)通損耗，次級整流管損耗等較小，此時損耗主要由寄生電容損耗和開關(guān)交疊損耗和啟動電阻損耗構(gòu)成。
PWM控制器及其啟動電阻損耗，開關(guān)交疊損耗。輸出整流管損耗，箝位保護電路損耗，反饋電路損耗等。其中前三個損耗與頻率成正比關(guān)系，即與單位時間內(nèi)器件開關(guān)次數(shù)成正比。
提高開關(guān)電源待機效率的方法
切斷啟動電阻，根據(jù)損耗分析可知。降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)次數(shù)可減小待機損耗回路電阻測試儀，提高待機效率。具體的方法有：降低時鐘頻率;由高頻工作模式切換至低頻工作模式，如準(zhǔn)諧振模式（QuasiResonQR切換至脈寬調(diào)制（PulseWidthModulPWM脈寬調(diào)制切換至脈沖頻率調(diào)制（PulseFrequencyModulPFM;可控脈沖模式（BurstMod
具有一個(36V閾值電壓，功率IGBT電壓驅(qū)動元件。有一個較大的容性輸入阻抗回路電阻測試儀功率的定義，對柵極電荷非常敏感，故驅(qū)動電路必須很可靠，IGBT開關(guān)特性和**工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路性能的變化而變化回路電阻測試儀，驅(qū)動電路性能直接決定IGBT能否正常工作，IGBT常采用柵極驅(qū)動，與其它自關(guān)斷器件一樣，IGBT對驅(qū)動電路也有一些特殊要求。