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回路電阻測試儀經(jīng)過優(yōu)化和調(diào)試
回路電阻測試儀經(jīng)過優(yōu)化和調(diào)試
使發(fā)射機(jī)的可靠性和可維護(hù)性大大提高。與傳統(tǒng)的分米波雙極型功放管相比回路電阻測試儀，本文采用摩托羅拉ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ器件ＭＲＦ３７３作為功放的放大芯片。該芯片在線性、增益和輸出能力上相對于ＢＪＴ器件有較大的提升。ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ具有以下顯著優(yōu)點：
與標(biāo)準(zhǔn)工藝相比回路電阻測試儀的動態(tài)特性，很容易可以看出。單位面積RDSon大概比CoolMOS低4倍~5倍。這意味著，標(biāo)準(zhǔn)封裝中，CoolMOS可實現(xiàn)*低**導(dǎo)通電阻值。這將帶來*低導(dǎo)通損耗和*高效率。CoolMOS工藝的單位面積RDSon表現(xiàn)出更好的線性度。當(dāng)電壓為600V時回路電阻測試儀，CoolMOS優(yōu)勢顯而易見，如果電壓更高，其優(yōu)勢就會加大。目前，*高的電壓級為800V
優(yōu)于采用標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET和二極管工藝（如圖4所示）解決方案。經(jīng)多次研究表明：使用碳化硅二極管和超級結(jié)MOSFET如CoolMOS.
正受到業(yè)界越來越多的關(guān)注。WiMA XWorldwidInteroperforMicrowavAccess微波接入全球互操作性）即802.16e標(biāo)準(zhǔn)，寬帶無線接入技術(shù)作為下一代通信網(wǎng)絡(luò)中*具發(fā)展?jié)摿Φ慕尤爰夹g(shù)之一。一項無線城域網(wǎng)技術(shù)回路電阻測試儀，針對微波和毫米波頻段提出的一種新的空中接口標(biāo)準(zhǔn)。
由于子載波之間的正交性，WiMA X規(guī)定了OFDM和OFDMA 兩種多載波技術(shù)。OFDMA 技術(shù)可以*大限度的利用頻譜資源。允許子信道的頻譜相互重疊；正交調(diào)制和解調(diào)可以基于IDFT和DFT可以通過動態(tài)子信道分配的方法充分利用信噪比較高的子信道，克服頻率選擇性衰落。但是OFDMA 技術(shù)的一個缺點是具有較高的峰均比（peak-to-averagpowerratioPA PR這就要求功率放大器具有較大的線性動態(tài)范圍，以避免由非線性失真引起的傳輸信號的頻譜擴(kuò)散及帶內(nèi)失真引起的誤碼率的增加，這就增加了系統(tǒng)實現(xiàn)的難度和成本。
算法描述
從而使得時域信號xm+cm峰均比達(dá)到*小，P算法使用預(yù)留的子載波形成降低峰均比的信號cm將其疊加到OFDMA 符號xm上回路電阻測試儀。加入用于降低峰均比的附加信號后的峰均比定義為
所以求該式的*小值就等價于求*優(yōu)解的cm使得xm+cm峰值*小，由于上式中的分母并不是cm函數(shù)。即。則上述*優(yōu)化問題對于變量C^m來說是一個二次優(yōu)化二次規(guī)劃的問題，而對于基帶多載波傳輸來說，上述問題通過增加優(yōu)化變量回路電阻測試儀具體的要求，可以進(jìn)一步地簡化為一定有解的線性規(guī)劃（LP問題。
該算法有三大優(yōu)點，綜上所述。一是由于OFDMA 系統(tǒng)中的預(yù)留子載波具有正交性，不會導(dǎo)致傳輸信號的線性失真，屬于非畸變方法；二是無須邊帶信息，接收端也不需要進(jìn)行額外的處理回路電阻測試儀，可以降低實現(xiàn)器件的資源使用率；三是P算法解決的線性規(guī)劃問題，和其他算法相比，不僅計算復(fù)雜度大大降低，而且由于要降低峰均比而需要發(fā)射信號增加的功率值也相對減小了
MOSFET以其高開關(guān)速度，功率半導(dǎo)體器件中。低開關(guān)損耗，低驅(qū)動損耗等特點而在各種功率變換，特別是高頻功率變換中扮演著主要角色。但隨著MOS耐壓的提高，其導(dǎo)通電阻也隨之以2.42.6次冪增長，其增長速度使MOSFET制造者和應(yīng)用者不得不以數(shù)十倍的幅度降低額定電流，以折中額定電流、導(dǎo)通電阻和成本之間的矛盾。即便如此，高壓MOSFET額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下回路電阻測試儀，如表1所示。Infineon內(nèi)建橫向電場的MOSFET耐壓600V和800V與常規(guī)MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導(dǎo)通電阻分別下降到常規(guī)MOSFET1/5和1/10相同的額定電流，導(dǎo)通電阻分別下降到1/2和約1/3額定結(jié)溫、額定電流條件下，導(dǎo)通壓降分別從12.6V19.1V下降到6.07V和7.5V導(dǎo)通損耗下降到常規(guī)MOSFET1/2和1/3由于導(dǎo)通損耗的降低，發(fā)熱減少，器件相對較涼，故稱COOLMOS
為確保地面數(shù)字電視傳輸?shù)恼７€(wěn)定回路電阻測試儀各項參數(shù)實測 ，發(fā)射系統(tǒng)的放大部分分為激勵和主放大電路。其中激勵部分為寬帶功率放大器。需要具有良好的穩(wěn)定性和可靠性，其工作頻段在４７０ＭＨｚ～８６０ＭＨｚ，工作狀態(tài)為ＡＢ類；要求增益大于１０ｄＢ，交調(diào)抑制小于－３５ｄＢ，噪聲功率密度大于１３０ｄＢｃ／Ｈｚ。本文采用*新的ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ器件回路電阻測試儀，及平衡放大電路結(jié)構(gòu)?熏設(shè)計數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的驅(qū)動級功率放大器，經(jīng)過優(yōu)化和調(diào)試，滿足系統(tǒng)要求。