產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

美國(guó)Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位　于圣何塞，多年來(lái)為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備，客戶(hù)遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:

光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備

電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

FSM 413 紅外干涉測(cè)量設(shè)備

°  **紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量

°  適用于所有可讓紅外線通過(guò)的材料

    硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

°  應(yīng)用:

    襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

    平整度

    厚度變化 (TTV)

    溝槽深度

    過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

    粗糙度

    薄膜厚度

    環(huán)氧樹(shù)脂厚度

    襯底翹曲度

    晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

    MEMS 薄膜測(cè)量

    TSV 深度、側(cè)壁角度...

TSV應(yīng)用

Total Thickness Variation (TTV) 應(yīng)用

規(guī)格:

測(cè)量方式: 紅外干涉(非接觸式)

樣本尺寸:  50、75、100、200、300 mm

測(cè)量厚度: 30 — 780 μm (單探頭)

          3 mm (雙探頭總厚度測(cè)量)

掃瞄方式: 半自動(dòng)及全自動(dòng)型號(hào),

         另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

襯底厚度測(cè)量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差...

粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*

       0.8 μm (1 sigma)雙探頭*

分辨率:   10 nm

設(shè)備尺寸:

413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)

413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 

重量: 500 lbs

電源 : 110V/220VAC      真空: 100 mm Hg

*樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)

** 150μm厚硅片（沒(méi)圖案、雙面拋光并沒(méi)有摻雜）