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產(chǎn)品詳情
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  • 產(chǎn)品名稱:FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號(hào):FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備
  • 產(chǎn)品廠商:其它品牌
  • 產(chǎn)品價(jià)格:0
  • 折扣價(jià)格:0
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簡單介紹:
FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備:美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年,總部位于圣何塞,多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備,客戶遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備、電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)
詳情介紹:


產(chǎn)品簡介:

美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年,總部位于圣何塞,多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測(cè)量設(shè)備,客戶遍布全世界, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測(cè)量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測(cè)量設(shè)備、 紅外干涉厚度測(cè)量設(shè)備、電學(xué)測(cè)量設(shè)備:高溫四探針測(cè)量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測(cè)量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測(cè)試設(shè)備

在襯底鍍上薄膜后, 因?yàn)閮烧卟馁|(zhì)不一樣, 所以會(huì)引起應(yīng)力. 如應(yīng)力太大會(huì)引起薄膜脫落, *終引致組件失效或可靠性不佳的問題. 薄膜應(yīng)力激光測(cè)量儀利用激光測(cè)量樣本的形貌,透過比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計(jì)算出應(yīng)力, 是品檢及改進(jìn)工藝的有效手段。

 

°  快速、非接觸式測(cè)量

 

°  樣品臺(tái)可通用于3至8寸晶圓

128L型號(hào)適用于12寸晶圓

128G 型號(hào)適用于470 X 370mm樣品,

另可按要求訂做

 

°  **雙激光自動(dòng)轉(zhuǎn)換技術(shù)

    如某一波長激光在樣本反射度不足,系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)使用

另一波長激光進(jìn)行掃瞄,滿足不同材料的應(yīng)用

 

°  全自動(dòng)平臺(tái),可以進(jìn)行2D及3D掃瞄(可選)

 

°  可加入更多功能滿足研發(fā)的需求

   電介質(zhì)厚度測(cè)量

   光致發(fā)光激振光譜分析

(III-V族的缺陷研究)

 

°  500 及 900°C高溫型號(hào)可選

 

°  樣品上有圖案亦適用


規(guī)格:

 

測(cè)量方式: 非接觸式(激光掃瞄)

 

樣本尺寸: 

FSM 128  : 75 mm to 200 mm

FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm

FSM 128G: *大550×650 mm

 

掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)

 

激光強(qiáng)度: 根據(jù)樣本反射度自動(dòng)調(diào)節(jié)

 

激光波長:  650nm及780nm自動(dòng)切換(其它波長可選)

 

薄膜應(yīng)力范圍: 1 MPa — 1.4 GPa

(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)

 

重復(fù)性: 1% (1 sigma)*

 

準(zhǔn)確度: < 2.5%*

*使用20米半徑球面鏡

 

設(shè)備尺寸及重量:

FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 270 lbs

FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 280 lbs

FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 400 lbs

電源 : 110V/220V, 20A


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