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產(chǎn)品名稱(chēng)：BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào)：BeneQ TFS 200
產(chǎn)品廠商：BeneQ
產(chǎn)品價(jià)格：0
折扣價(jià)格：0
產(chǎn)品文檔：

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簡(jiǎn)單介紹：

BeneQ TFS 200 原子層沉積薄膜系統(tǒng)是適合科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的*靈活的ALD平臺(tái)。設(shè)備的每個(gè)細(xì)節(jié)都充分考慮了多功能，模塊化和易用性。對(duì)倍耐克來(lái)說(shuō)，讓用戶(hù)能夠自由地開(kāi)發(fā)工藝和各種應(yīng)用而不是被設(shè)備所限制是非常重要的。TFS 200代表了*先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念和薄膜沉積解決方案，它可以實(shí)現(xiàn)在各種不同尺寸和不同基底材料上的高質(zhì)量的薄膜制備。

詳情介紹：

TFS 200 是適合科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的*靈活的ALD平臺(tái)。設(shè)備的每個(gè)細(xì)節(jié)都充分考慮了多功能，模塊化和易用性。對(duì)倍耐克來(lái)說(shuō)，讓用戶(hù)能夠自由地開(kāi)發(fā)工藝和各種應(yīng)用而不是被設(shè)備所限制是非常重要的。TFS 200代表了*先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念和薄膜沉積解決方案，它可以實(shí)現(xiàn)在各種不同尺寸和不同基底材料上的高質(zhì)量的薄膜制備。

TFS 200的襯底材料可以是硅片或其他平面基底材料，也可以是多孔材料，或是具有較高深寬比的復(fù)雜的三維物體?？蛻?hù)可以根據(jù)基底材料的不同選擇三種標(biāo)準(zhǔn)的反應(yīng)腔體，也可以按照客戶(hù)的需要定制腔體。手動(dòng)傳送臂選項(xiàng)可以提高硅片的處理能力。作為標(biāo)準(zhǔn)可選項(xiàng)，我們也可提供直接和遠(yuǎn)程等離子增強(qiáng)型配置（PEALD）。TFS 200ALD可提供多種前驅(qū)體管路系統(tǒng)，*多可配置8個(gè)氣態(tài)源管路，4個(gè)液態(tài)源管路和4個(gè)加熱源管路；從而可以滿(mǎn)足*苛刻的科研要求。熱源包含*高加熱源可達(dá)

特點(diǎn)/性能

•循環(huán)周期小于2秒。在特定的條件下可以小于1秒(對(duì) 200mm晶圓，以Al₂O₃為例，薄膜厚度均勻性小于±1%)

•高深寬比(HAR)選項(xiàng)適用于較深溝槽和多孔的基底材料。

•多種熱源選擇，作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)熱源可以加熱到 500°C。

作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)的直接和遠(yuǎn)程電容性耦合等離子體 (CCP)增強(qiáng)功能。
高速數(shù)據(jù)記錄采集和人機(jī)交互界面

多功能和模塊化

在科研工作中，技術(shù)的可靠性和重復(fù)性是必不可少的。同時(shí)試驗(yàn)設(shè)備配置和試驗(yàn)工藝調(diào)整的靈活性也是十分重要的。因此我們?cè)O(shè)計(jì)了可靠的TFS200科研設(shè)備，使其能夠通過(guò)快速便捷地調(diào)整即可滿(mǎn)足不同的基底材料和工藝試驗(yàn)要求。

•可以快速加熱和冷卻的冷壁真空腔

•安裝在真空腔的輔助接口可以實(shí)現(xiàn)等離子體和原位檢測(cè)。

•熱壁反應(yīng)腔可以使基底溫度均勻分布，同時(shí)避免了前驅(qū)物的凝結(jié)和二次反應(yīng)。

•三種不同的反應(yīng)腔，而且可以根據(jù)客戶(hù)的需要定制

•基底旋轉(zhuǎn)選項(xiàng)

•手動(dòng)傳送臂可以快速更換基底材料，而且可以和其他設(shè)備配合使用。

•可在潔凈室環(huán)境下使用

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倍耐克公司生產(chǎn)的設(shè)備兼顧了操作的簡(jiǎn)單和使用者的**，不論他是科研人員，操作者還是維護(hù)人員。TFS 200所有的功能都是由PLC和額外的EN**繼電器來(lái)控制的。HMI人機(jī)界面和數(shù)據(jù)采集安裝在PC上。 TFS 200滿(mǎn)足CE,UL和CSA的要求。

TFS 200適合于沉積各種常用材料如: 氧化物，氮化物，碳化物，金屬，硫化物，氟化物，生物材料，聚合物，摻雜，納米涂層和復(fù)合結(jié)構(gòu)