1. 介紹

對(duì)電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜谙冗M(jìn)封裝和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝，小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此，對(duì)于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長(zhǎng)，以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級(jí)的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景，需要能夠通過先進(jìn)封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造（HVM）行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計(jì)，并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時(shí)代。

EV Group開發(fā)了MLE?（EVG無掩膜光刻技術(shù)），通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和zui小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性，并具有多級(jí)冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。

EVG的MLE?無掩膜曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。

2. EVG無掩膜光刻技術(shù)特征

1.全分辨率，免縫合動(dòng)態(tài)光刻膠圖案

2.任意方向上的線/空間分辨率均優(yōu)于2 μm

3.得益于數(shù)字可編程布局，設(shè)計(jì)自由和數(shù)據(jù)具有機(jī)密性

4.單獨(dú)的模具標(biāo)識(shí)（序列號(hào)，加密密鑰等）

5.晶圓級(jí)自適應(yīng)配準(zhǔn)的補(bǔ)償

6.不受基材變形和翹曲的影響（厚晶圓，玻璃或有機(jī)基材）

7.智能敏捷的數(shù)字光刻處理基礎(chǔ)設(shè)施

8.無耗材技術(shù)

3. 先進(jìn)封裝的后端光刻技術(shù)面臨的新挑戰(zhàn)

隨著異構(gòu)集成成為半導(dǎo)體開發(fā)和**中日益增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力，影響了先進(jìn)的封裝，MEMS和PCB市場(chǎng)，對(duì)后端光刻的要求也在不斷增長(zhǎng)。例如，在先進(jìn)封裝中，對(duì)重新分布層（RDL）和中間層及其連續(xù)密集的線/空間（L / S）的zui低分辨率要求變得越來越嚴(yán)格。在某些情況下，它們接近或超過2微米，而裸片放置變化和使用經(jīng)濟(jì)高效的有機(jī)基板則要求在圖案形成方面具有更大的靈活性。在垂直側(cè)壁圖案化中對(duì)更高的覆蓋精度以及高聚焦深度的要求也在增長(zhǎng)。新的要求，例如zui小化因扇出型晶圓級(jí)封裝（FoWLP）中的晶圓變形引起的圖案變形和芯片偏移以及對(duì)厚光刻膠和薄光刻膠的支持，僅是現(xiàn)有和未來先進(jìn)封裝光刻系統(tǒng)的一些標(biāo)準(zhǔn)。EVG無掩膜光刻技術(shù)適合以下的應(yīng)用：

3.1 先進(jìn)封裝

1.用于大型中間層，扇出和扇入晶圓級(jí)封裝（WLP）器件的重新分布層圖案

2.無掩模版尺寸限制

3.具有失真和模頭偏移補(bǔ)償?shù)目勺儓D案

4.高圖案產(chǎn)量，低成本

3.2 微機(jī)電系統(tǒng)

1.高產(chǎn)品組合和高掩模/掩模版成本推動(dòng)了對(duì)無掩膜光刻的需求

2. 3D光刻膠構(gòu)圖，用于多步和傾斜角邊緣工藝

3.高聚焦深度，可在溝槽中進(jìn)行構(gòu)圖

3.3 生物醫(yī)學(xué)

1.大型射流裝置

2.圖案在微米到毫米的范圍內(nèi)

3.理想的低擁有成本

4.適應(yīng)性強(qiáng)的圖案解決方案，適用于多種產(chǎn)品組合

5.可擴(kuò)展用于各種基材尺寸和生物相容性材料

3.4 HDI印刷電路板

1.嵌入式裸片和高密度重新分配所需的PCB線和空間分辨率

2.必要的翹曲和模具位置校正

3.多種面板尺寸的可變圖案

探針卡的制作過程會(huì)用到這樣的技術(shù)。

探針卡的制作過程會(huì)用到以上的EVG無掩膜光刻技術(shù)，如MEMS，電路印刷等。無掩膜曝光光刻技術(shù)非常適合于探針卡的研發(fā)和制作的用戶。

接下來，我們介紹一下EVG無掩膜光刻技術(shù)的原理和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，請(qǐng)點(diǎn)擊閱讀全文...