一、污染控制：解決納米級顆粒物核心痛點(diǎn)

半導(dǎo)體制造對顆粒物極度敏感（>0.3μm即導(dǎo)致良率下降）。

1. Fuzzy Ball抑制技術(shù)

   • 通過短脈沖電壓波形（Short-Pulse）減少放電針能量過載，抑制NH?NO?結(jié)晶生成（傳統(tǒng)AC模式的固有缺陷）。
   • 實(shí)際影響：

     • 避免晶圓表面污染（見4周運(yùn)行對比圖）：

       

     • 延長設(shè)備維護(hù)周期至6個(gè)月（傳統(tǒng)設(shè)備需頻繁清潔）：

       

2. 靜電顆粒過濾器（VQ3系列）

   • 帶電粉塵捕獲效率：0.3μm顆粒達(dá)92%~99.5%（關(guān)鍵尺寸覆蓋光刻膠顆粒）。
   • 應(yīng)用場景：
     • 潔凈室回風(fēng)系統(tǒng)
     • 設(shè)備內(nèi)部微環(huán)境凈化（如光刻機(jī)腔體）

二、靜電損傷防護(hù)：提升微電路可靠性

靜電放電（ESD）導(dǎo)致芯片隱性損傷，損失達(dá)年度營收8%。

1. 超近距離離子發(fā)生器（ASG-N）
   • 技術(shù)突破：

     • 電場屏蔽結(jié)構(gòu) → 殘留電壓≤±5V（@100mm距離，傳統(tǒng)設(shè)備>±15V）

       

     • 1秒快速除電（@100mm） → 適配高速晶圓傳輸系統(tǒng)

   • 影響：
     • 保護(hù)FinFET/3nm以下制程的柵極結(jié)構(gòu)
     • 減少封裝環(huán)節(jié)的介質(zhì)擊穿

三、成本優(yōu)化：降低綜合擁有成本（TCO）

1. 能耗與維護(hù)成本雙降
   • High Class Ionizer功耗僅3.6VA（傳統(tǒng)AC模式設(shè)備超10VA）
   • 電極壽命延長50% → 降低備件更換頻率（鎢針成本$200+/支）
2. 過濾器半永 久設(shè)計(jì)
   • VQ3濾芯可清洗復(fù)用 → 年維護(hù)成本降低60%

四、適配先進(jìn)制造環(huán)境：突破工藝極限

1. 惰性氣體兼容性
   • 所有離子發(fā)生器支持氮?dú)猸h(huán)境（ASG-L/N規(guī)格表）
     → 滿足EUV光刻的氧敏感需求
2. 超潔凈材料
   • 主體ABS+鎢電極 → 金屬離子釋放<0.05ppm
3. 微距控制能力
   • ASG-N工作距離10–500mm → 適配晶圓機(jī)械手狹小空間

五、實(shí)證性能：量化指標(biāo)對標(biāo)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

結(jié)論：技術(shù)代際升級的關(guān)鍵推手

DIT產(chǎn)品通過：

1. 污染控制（Fuzzy Ball/顆粒物雙路徑抑制）→ 提升晶圓良率
2. 靜電防護(hù)（μ級距離精準(zhǔn)除電）→ 保護(hù)先進(jìn)制程結(jié)構(gòu)
3. 成本與能效優(yōu)化 → 降低半導(dǎo)體廠OPEX
   *終影響：為3nm以下制程、高密度封裝等場景提供基礎(chǔ)環(huán)境保障，直接支撐摩爾定律延續(xù)。