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產(chǎn)品資料

CVT自激法變頻介損儀

CVT自激法變頻介損儀
  • 如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話(huà),可以
  • 產(chǎn)品名稱(chēng):CVT自激法變頻介損儀
  • 產(chǎn)品型號(hào):LY6000
  • 產(chǎn)品展商:其它品牌
  • 產(chǎn)品文檔:無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
CVT自激法變頻介損儀采用數(shù)字波形分析和電橋自校準(zhǔn)等技術(shù),使得正/反接線(xiàn)的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性一致,配合高精度三端標(biāo)準(zhǔn)電容器,實(shí)現(xiàn)高精度介損測(cè)量。CVT自激法變頻介損儀所有量程輸入電阻低于2Ω,消除了測(cè)量電纜附加電容的影響。
產(chǎn)品描述

CVT自激法變頻介損儀采用數(shù)字波形分析和電橋自校準(zhǔn)等技術(shù),使得正/反接線(xiàn)的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性一致,配合高精度三端標(biāo)準(zhǔn)電容器,實(shí)現(xiàn)高精度介損測(cè)量。儀器所有量程輸入電阻低于2Ω,消除了測(cè)量電纜附加電容的影響。

CVT自激法變頻介損儀是上海來(lái)?yè)P(yáng)電氣科技有限公司自主研制的生產(chǎn)的一種新型的測(cè)試儀器,CVT自激法變頻介損儀采用變頻電源技術(shù),利用單片機(jī)和電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算,達(dá)到抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試速度快、精度高、操作簡(jiǎn)便的功能。

CVT自激法變頻介損儀性能特點(diǎn):
     1、具備CVT的自激法測(cè)試,一次接線(xiàn),同時(shí)測(cè)量C1、C2電容tgδ。
     2、具有反接線(xiàn)低壓屏蔽功能,在CVT母線(xiàn)接地情況下,對(duì)C11可進(jìn)行不拆線(xiàn)10kV反接線(xiàn)介損測(cè)量。
     3、具有外施電壓和外加CN的測(cè)量功能。
     4、儀器測(cè)量準(zhǔn)確度高,可滿(mǎn)足油介損測(cè)量要求,因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯,和專(zhuān)用測(cè)試線(xiàn)即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量。
     5、CVT自激法變頻介損儀采用變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾,即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)。
     6、接地保護(hù)功能,當(dāng)儀器不接地線(xiàn)或接地不佳時(shí),儀器不進(jìn)入正常程序,不輸出高壓。
     7、過(guò)流保護(hù)功能,在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞。
     8、內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源,便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,減少現(xiàn)場(chǎng)接線(xiàn)。
     9CVT自激法變頻介損儀采用大屏幕液晶顯示器,測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀(guān)又便于操作。
CVT自激法變頻介損儀主要技術(shù)指標(biāo): 

      1、環(huán)境溫度:~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)         

      2、相對(duì)濕度:30% ~ 70% 

      3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 

      4、外形尺寸:長(zhǎng)××高   500mm×300mm×400mm 

      5、重量:    約18Kg           

      6、輸出功率:0.6KVA 

      7、顯示分辯率:3位、4(內(nèi)部全是6

      8、測(cè)量范圍及輸出電壓選擇: 

         介質(zhì)損耗(tgδ)±0.00±999% 

         試品電容容量(Cx)和加載電壓: 

         2.5KV:≤300nF(300000pF)            3KV:≤200nF(200000pF) 

         5KV:≤76nF(76000pF)                7.5KV:≤34nF(34000pF) 

         10KV:≤20nF(20000pF) 

      9、基本測(cè)量誤差: 

         介質(zhì)損耗(tgδ)1%±7個(gè)字(加載電流20uA500mA) 

         介質(zhì)損耗(tgδ)2%±9個(gè)字(加載電流5uA20uA) 

         電容容量(Cx)1.5%±1.5pF

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