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	RTS-5四探針測(cè)試儀	RTS-5四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱雙位組合)測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。咨詢電話：18602102632.
	SDY-4四探針測(cè)試儀	SDY-4四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試專用儀器. 咨詢電話：18602102632
	RTS-9雙電測(cè)四探針測(cè)試儀	RTS-9雙電測(cè)四探針測(cè)試儀（適用晶片尺寸：2"～12"選配探針臺(tái)；電阻率：10-4～105 Ω.cm(可擴(kuò)展)；方塊電阻：10-3～106Ω.cm (可擴(kuò)展)；可測(cè)晶片厚度：≤3.00mm）。咨詢電話：18602102632.
	RTS-8四探針測(cè)試儀	RTS-8四探針測(cè)試儀適用晶片尺寸：2"～12"(選配探針臺(tái))；電阻率：10-4～105 Ω.cm(可擴(kuò)展)；方塊電阻：10-3～106 Ω.cm (可擴(kuò)展)是用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器，按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的。咨詢電話：18602102632.

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