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- 產(chǎn)品名稱：難溶金屬硅PECVD設(shè)備
- 產(chǎn)品型號：PECVD設(shè)備
- 產(chǎn)品展商：上海升利
- 產(chǎn)品文檔：無相關(guān)文檔
- 發(fā)布時間：2018-08-31
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簡單介紹
難溶金屬硅PECVD設(shè)備 PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積) 設(shè)備用于太陽能電池、多晶硅薄膜電池研究，也可沉積氧化硅、氮化硅、多晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜。
產(chǎn)品描述
難溶金屬硅PECVD設(shè)備
技術(shù)指標(biāo)
· 系統(tǒng)極限真空度：≤6.67×10-5Pa
· 真空室尺寸Ф400mm×300mm
· 樣品大小Ф100mm
· 熱電偶閉環(huán)反饋控制加熱溫度 600℃±1℃
· 四路質(zhì)量流量計進(jìn)氣
應(yīng)用領(lǐng)域
PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積) 設(shè)備用于太陽能電池、多晶硅薄膜電池研究，也可沉積氧化硅、氮化硅、多晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜。
產(chǎn)品說明
由PECVD室、上下電極、射頻電源、樣品加熱臺、泵抽系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)等組成。
特別說明：
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