| 利用管式氣氛爐快速升溫制備硒化鋅納米晶薄膜的方法，取單質硒粉和單質鋅粉按１∶１的摩爾比混合并轉入高能球磨罐中，在氮氣或氬氣保護下球磨，使ＺｎＳｅ粉末的尺度為５～２０納米；將ＺｎＳｅ納米粉放入石英舟一端的凹槽中，硅片或石英基片放在石英舟的另一側；再將石英舟置于長度大于管式爐爐體長度１．５倍以上的石英管中，開啟抽氣機排氧并充入氬氣，重復三次；將石英管冷端推入管式氣氛爐中，要求５分鐘內將石英管內放置的ＺｎＳｅ納米粉末原料升溫到８００℃～１０００℃，使硅片或石英基片的溫度為１６０℃－２４０℃即可在硅片或石英片上得到硒化鋅納米晶薄膜。本發(fā)明真空度要求低，薄膜厚度和薄膜納米晶尺度均可通過工藝條件控制。 | | |
| 利用管式氣氛爐快速升溫制備硒化鋅納米晶薄膜的方法，取單質硒粉和單質鋅粉按１∶１的摩爾比混合并轉入高能球磨罐中，在氮氣或氬氣保護下球磨，使ＺｎＳｅ粉末的尺度為５～２０納米；將ＺｎＳｅ納米粉放入石英舟一端的凹槽中，硅片或石英基片放在石英舟的另一側；再將石英舟置于長度大于管式爐爐體長度１．５倍以上的石英管中，開啟抽氣機排氧并充入氬氣，重復三次；將石英管冷端推入管式氣氛爐中，要求５分鐘內將石英管內放置的ＺｎＳｅ納米粉末原料升溫到８００℃～１０００℃，使硅片或石英基片的溫度為１６０℃－２４０℃即可在硅片或石英片上得到硒化鋅納米晶薄膜。本發(fā)明真空度要求低，薄膜厚度和薄膜納米晶尺度均可通過工藝條件控制。
| 利用管式氣氛爐快速升溫制備硒化鋅納米晶薄膜的方法，取單質硒粉和單質鋅粉按１∶１的摩爾比混合并轉入高能球磨罐中，在氮氣或氬氣保護下球磨，使ＺｎＳｅ粉末的尺度為５～２０納米；將ＺｎＳｅ納米粉放入石英舟一端的凹槽中，硅片或石英基片放在石英舟的另一側；再將石英舟置于長度大于管式爐爐體長度１．５倍以上的石英管中，開啟抽氣機排氧并充入氬氣，重復三次；將石英管冷端推入管式氣氛爐中，要求５分鐘內將石英管內放置的ＺｎＳｅ納米粉末原料升溫到８００℃～１０００℃，使硅片或石英基片的溫度為１６０℃－２４０℃即可在硅片或石英片上得到硒化鋅納米晶薄膜。本發(fā)明真空度要求低，薄膜厚度和薄膜納米晶尺度均可通過工藝條件控制。 | | |
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