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基本技術(shù)指標(biāo): | ||||||||||||||||||
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范圍 |
**度 |
分辨率 |
注意 | |||||||||||||||
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mV |
+/-21mV +/-210mV |
0.07%+7* 0.04%+4* |
0.001mV 0.01mV |
R in>1000Mohm R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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V |
+/-21V |
0.04%+4* |
0.0001V |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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V(input) |
+/-21V |
0.04%+4* |
0.001V |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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V(outhut) |
+/-10.5mV |
0.04%+4* |
0.001V |
R in>1Mohm | ||||||||||||||
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mA |
+/-21mA |
0.04%+4* |
0.001mA |
10mA max | ||||||||||||||
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ohm |
0~400/3000ohm |
0.04%+4* |
0.1/1ohm |
R ioad<1000ohm, R in 10 ohm | ||||||||||||||
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J(IEC 584) |
-200~1000℃ |
0.7℃ |
0.1℃ |
0.5mAmeasure,0.1~3mAsource | ||||||||||||||
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L(IEC 584) |
-200~900℃ |
0.7℃ |
0.1℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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K(IEC 584) |
-250~1350℃ |
1℃ |
0.2℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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T(IEC 584)&U(DIN43710) |
-250~400℃ |
0.6℃ |
0.1℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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E(IEC 584) |
-250~1000℃ |
0.7℃ |
0.1℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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N(IEC 584) |
-250~1300℃ |
1.4℃ |
0.5℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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R(IEC 584)&S(IEC 584) |
-50~1750℃ |
1.4℃ |
0.5℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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B(IEC 584) |
-200~1820℃ |
2.8℃ |
1℃ |
R in>1000Mohm | ||||||||||||||
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Pt100(DIN43670,IEC751) |
-200~850℃ |
0.6℃ |
0.1℃ |
0.5mAmeasure,0.1~3mAsource | ||||||||||||||
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Ni100(DIN43670) |
-60~180℃ |
0.7℃ |
0.1℃ |
0.5mAmeasure,0.1~3mAsource | ||||||||||||||

