吸附吸頭特點

真空鑷子 C 系列晶圓吸附吸頭

圖像	代號	名字	材料	X 兼容軸	Z 軸兼容軸	帽	尺寸 （mm）				彎曲	繪圖
							T	W	L1 系列	L2 （二層）
	90	5 英寸導(dǎo)電 Y 芯片	導(dǎo)電率PEEK			161	2.7	16	26	82	○	細節(jié)
	91	6 英寸導(dǎo)電 Y 芯片	導(dǎo)電率PEEK			161	3	26	33	89	○	細節(jié)
	92	8 英寸導(dǎo)電 Y 芯片	導(dǎo)電率PEEK			161	3	32	39	95	○	細節(jié)
	94	4 英寸導(dǎo)電 X 型和 Z 型芯片	導(dǎo)電率PEEK	106	110	260	2.6	10	21	30	×	細節(jié)
	95	5 英寸導(dǎo)電 X 型和 Z 型芯片	導(dǎo)電率PEEK	106	110	260	2.7	15	27	37	×	細節(jié)
	96	6 英寸導(dǎo)電 X 型和 Z 型芯片	導(dǎo)電率PEEK	106	110	260	3	27	32.5	43	×	細節(jié)
	97	8 英寸導(dǎo)電 X 型和 Z 型芯片	導(dǎo)電率PEEK	100	111	260	3.8	31	37	42.5	×	細節(jié)
	98	8 英寸導(dǎo)電 Y 芯片	導(dǎo)電率PEEK			161	3.5	32	39	128	○	細節(jié)
	99	12 英寸導(dǎo)電 Y 芯片	導(dǎo)電率PEEK			161	3.5	48	58	151	○	細節(jié)

* 請在充分評估后使用它。

導(dǎo)電多孔芯片

它非常適合降低化合物半導(dǎo)體和薄晶圓處理過程中的應(yīng)力，并且具有輕微的吸附和退出響應(yīng)。
該材料由導(dǎo)電 PEEK 制成。

圖像	代號	名字	材料	帽	尺寸 （mm）					彎曲	繪圖
					T	W	L1 系列	L2 （二層）	φD
	64	3~5 英寸導(dǎo)電多孔**	導(dǎo)電率PEEK	161	2.8	16.5	26	82	0.8	○	細節(jié)
	66	8~12 英寸導(dǎo)電多孔**	導(dǎo)電率PEEK	161	4.3	48	58	151	0.9	○	細節(jié)
	67	6~8 英寸導(dǎo)電多孔**	導(dǎo)電率PEEK	161	3.5	32	39	128	0.8	○	細節(jié)

* 它適用于硅晶片。 請在充分評估后使用它。

* 由于制造方法的原因，多孔芯片腔中存在無法去除的毛刺。 感謝您的耐心等待。

真空鑷子 F 系列晶圓吸附吸頭

圖像	代號	名字	材料	X 兼容軸	Z 軸兼容軸	帽	尺寸 （mm）				彎曲	繪圖
							T	W	L1 系列	L2 （二層）
	01	5 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	101	110	200	2.7	15	27	37	×	細節(jié)
	02	5 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	101	110	200	2.5	13.5	21	30	×	細節(jié)
	03	6 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	101	110	200	3	27	32.5	43	×	細節(jié)
	05	8 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	100	111	200	3.8	31	35	41	×	細節(jié)
	06	4 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	101	110	200	2.6	10	21	30	×	細節(jié)
	09	6 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	100	111	200	3.8	26	31	36	×	細節(jié)
	15	12 英寸 Y 型芯片	偷看			131	3.5	47	45	162	×	細節(jié)
	500	5 英寸 Y 型芯片	偷看			161	2.7	16	26	82	○	細節(jié)
	501	6 英寸 Y 型芯片	偷看			161	3	26	33	89	○	細節(jié)
	502	用于 8 英寸的 Y 型芯片	偷看			161	3	32	39	95	○	細節(jié)
	506	6 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	106	110	260	3	27	32	43	×	細節(jié)
	507	8 英寸 X 型和 Z 型芯片	偷看	100	111	260	3.7	31	37	43	×	細節(jié)
	508	用于 8 英寸的 Y 型芯片	偷看			161	3.5	31	39	129	○	細節(jié)
	509	12 英寸 Y 型芯片	偷看			161	3.5	48	58	151	○	細節(jié)

* 顏色深淺可能與實際產(chǎn)品略有不同。