我們平常使用電橋?qū)υ骷M(jìn)行分選時(shí)，一次只能分選一個(gè)器件的參數(shù)，這樣極不方便，為彌補(bǔ)這一缺陷，安柏儀器對(duì)電橋程序進(jìn)行了改進(jìn)，可以同時(shí)對(duì)多個(gè)器件自動(dòng)分選極大的節(jié)約了我們我們?nèi)粘z驗(yàn)工作的時(shí)間！我們以1nf,10nf,10mh,100mh,10k,3.16k三種不同參數(shù)的器件舉例說(shuō)明。
按【Setup】進(jìn)入設(shè)置頁(yè)面，再按【比較器設(shè)置】打開(kāi)<比較器設(shè)置>頁(yè)面，先來(lái)設(shè)置1nf的電容。首先將光標(biāo)移動(dòng)到<方式>選為直讀值SEQ,再將光標(biāo)鍵光標(biāo)移到功能選擇CS-D。將光標(biāo)移到上下限位置按下面的參數(shù)設(shè)置。
下限 上限
800Pf 1200Pf
將光標(biāo)移到2nd設(shè)置損耗D的上限（這里我們?cè)O(shè)置1，用戶可以根據(jù)自己的需要選擇）。
設(shè)置好后按【文件】，將光標(biāo)移動(dòng)到0按【保存】選【是】。再次按【Setup】進(jìn)入比較器設(shè)置將光標(biāo)移動(dòng)到CP-D，和CS-D的設(shè)置參數(shù)相同。設(shè)置好后再按【文件】，然后按<將文件保存到0>，這樣1nf的電容就設(shè)置好了。再按照上面的方式設(shè)置10nf的電容，設(shè)置好后同樣再按【文件】，將光標(biāo)移動(dòng)到0按【保存】選【是】。設(shè)置好電容的參數(shù)后來(lái)設(shè)置電感的參數(shù)，同樣按【Setup】進(jìn)入設(shè)置頁(yè)面，再按【比較器設(shè)置】打開(kāi)<比較器設(shè)置>頁(yè)面，先來(lái)設(shè)置10mh的電感，將光標(biāo)鍵移到功能選擇LS-Q以及LP-Q,再按設(shè)置電容的方法設(shè)置上下限并保存到文件0。電阻設(shè)置的方法是選擇Z-θD，同樣按上面的方式選擇上下限并保存到文件0。見(jiàn)下表：
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元器件
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下限
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上限
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功能
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1nf電容
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800.00pf
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1200.0pf
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CS-D
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800.00pf
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1200.0pf
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CP-D
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(2nd)
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0.0000
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1
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D
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10nf電容
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8.0000nf
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12.000nf
|
CS-D
|
|
8.0000nf
|
12.000nf
|
CP-D
|
|
|
(2nd)
|
0.0000
|
1
|
D
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10mh電感
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8.0000mh
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12.000mh
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LS-Q
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8.0000mh
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12.000mh
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LP-Q
|
|
|
(2nd)
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0.0000
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100.00
|
Q
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100mh電感
|
80.000mh
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120.00mh
|
LS-Q
|
|
80.000mh
|
120.00mh
|
LP-Q
|
|
|
(2nd)
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0.0000
|
100.00
|
Q
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10KΩ電阻
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8.0000k
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12.000k
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Z-θD
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(2nd)
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-1.000
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0.0000
|
θ
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3.16 KΩ電阻
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3.0000K
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3.5000K
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Z-θD
|
|
(2nd)
|
-1.000
|
0.0000
|
θ
|
電容，電感，電阻的參數(shù)設(shè)置好后按【Setup】進(jìn)入設(shè)置頁(yè)面將參數(shù)自動(dòng)打開(kāi)，并將量程選為自動(dòng)。按【MESS】返回到測(cè)試界面，接下來(lái)就可以自動(dòng)識(shí)別分選了。
公安機(jī)關(guān)備案號(hào)：
