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　　霍爾壓力傳感器是基于某些半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)制成的。當(dāng)磁場為一交變磁場時(shí)，霍爾電動(dòng)勢也為同頻率的交變電動(dòng)勢，建立霍爾電動(dòng)勢的時(shí)間極短，一般只要10-12~10-4S，故其響應(yīng)頻率高，可達(dá)100MHz?；魻栐樗亩嗽?，兩端用于輸入激勵(lì)電流，兩端用于輸出霍爾電動(dòng)勢。

　　理想霍爾元件的材料要求要有較高的電阻率及載流子遷移率，以便獲得較大的霍爾電動(dòng)勢。常用霍爾元件的材料大都是半導(dǎo)體，包括N型硅(Si)、銻化銦(InSb)、砷化銦InAs)、鍺(Ge)、砷化鎵GaAs)及多層半導(dǎo)體質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，N型硅的霍爾系數(shù)、溫度穩(wěn)定性和線性度均較好，砷化鎵溫漂小，目前應(yīng)用。