DM12864N的應(yīng)用漢字圖形點陣液晶顯示模塊，可顯示漢字及圖形，內(nèi)置8192個中文漢字（16X16點陣）、128個字符（8X16點陣）及64X256點陣顯示RAM（GDRAM）。
主要技術(shù)參數(shù)和顯示特性:
電源：VDD 3.3V~+5V(內(nèi)置升壓電路，無需負(fù)壓)；
顯示內(nèi)容：128列× 64行
顯示顏色：黃綠
顯示角度：6：00鐘直視
LCD類型：STN
與MCU接口：8位或4位并行/3位串行
配置LED背光
多種軟件功能：光標(biāo)顯示、畫面移位、自定義字符、睡眠模式等
二、外形尺寸
外觀尺寸：93×70×12.5mm 視域尺寸：73×39mm
外形尺寸
、模塊引腳說明
|
引腳號
|
引腳名稱
|
方向
|
功能說明
|
|
1
|
VSS
|
0V
|
模塊的電源地
|
|
2
|
VDD
|
3-5V
|
模塊的電源正端
|
|
3
|
PSB
|
H/L
|
H：并口方式 L：口串口方式
|
|
4
|
RS(CS)
|
H/L
|
并行的指令/數(shù)據(jù)選擇信號；串行的片選信號
|
|
5
|
R/W(SID)
|
H/L
|
并行的讀寫選擇信號；串行的數(shù)據(jù)口
|
|
6
|
E(CLK)
|
H/L
|
并行的使能信號；串行的同步時鐘
|
|
7
|
DB0
|
H/L
|
數(shù)據(jù)0
|
|
8
|
DB1
|
H/L
|
數(shù)據(jù)1
|
|
9
|
DB2
|
H/L
|
數(shù)據(jù)2
|
|
10
|
DB3
|
H/L
|
數(shù)據(jù)3
|
|
11
|
DB4
|
H/L
|
數(shù)據(jù)4
|
|
12
|
DB5
|
H/L
|
數(shù)據(jù)5
|
|
13
|
DB6
|
H/L
|
數(shù)據(jù)6
|
|
14
|
DB7
|
H/L
|
數(shù)據(jù)7
|
|
15
|
LED_A
|
-
|
背光源正極（LED+5V）
|
|
16
|
LED_K
|
-
|
背光源負(fù)極（LED-OV）
|
注：PSB腳出廠時默認(rèn)成并口方式，R7下方的跳線接成高電平；用串口方式時需接成低電平
邏輯工作電壓(VDD)：4.5～5.5V
電源地(GND)：0V
工作溫度(Ta)：-20～75
模塊有并行和串行兩種連接方法（時序如下）：
8位并行連接時序圖
MPU寫資料到模塊
MPU從模塊讀出資料
2、串行連接時序圖
串行數(shù)據(jù)傳送共分三個字節(jié)完成：
**字節(jié)：串口控制—格式 11111ABC
A為數(shù)據(jù)傳送方向控制：H表示數(shù)據(jù)從LCD到MCU，L表示數(shù)據(jù)從MCU到LCD
B為數(shù)據(jù)類型選擇：H表示數(shù)據(jù)是顯示數(shù)據(jù)，L表示數(shù)據(jù)是控制指令
C固定為0
**字節(jié)：(并行)8位數(shù)據(jù)的高4位—格式 DDDD0000
第三字節(jié)：(并行)8位數(shù)據(jù)的低4位—格式 0000DDDD
串行接口時序參數(shù)：(測試條件：T=25℃ VDD=4.5V)
1、指令表1：（RE=0：基本指令集）
|
指令
|
指令碼
|
說明
|
執(zhí)行時間（540KHZ）
|
|||||||||
|
RS
|
RW
|
DB7
|
DB6
|
DB5
|
DB4
|
DB3
|
DB2
|
DB1
|
DB0
|
|||
|
**顯示
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
將DDRAM填滿“20H”，并且設(shè)定DDRAM的地址計數(shù)器（AC）到“00H”
|
4.6ms
|
|
地址歸位
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
X
|
設(shè)定DDRAM的地址計數(shù)器（AC）到“00H”，并且將游標(biāo)移到開頭原點位置；這個指令并不改變DDRAM的內(nèi)容
|
4.6ms
|
|
進入點
設(shè)定
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
I/D
|
S
|
指定在資料的讀取與寫入時，設(shè)定游標(biāo)移動方向及指定顯示的移位
|
72us
|
|
顯示狀態(tài)
開/關(guān)
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
D
|
C
|
B
|
D=1：整體顯示ON
C=1：游標(biāo)ON
B=1：游標(biāo)位置ON
|
72us
|
|
游標(biāo)或顯示移位控制
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
S/C
|
R/L
|
X
|
X
|
設(shè)定游標(biāo)的移動與顯示的移位控制位元；這個指令并不改變DDRAM的內(nèi)容
|
72us
|
|
功能設(shè)定
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
DL
|
X
|
0
RE
|
X
|
X
|
DL=1 （必須設(shè)為1）
RE=1： 擴充指令集動作
RE=0： 基本指令集動作
|
72us
|
|
設(shè)定CGRAM地址
|
0
|
0
|
0
|
1
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
設(shè)定CGRAM地址到地址計數(shù)器（AC）
|
72us
|
|
設(shè)定DDRAM
地址
|
0
|
0
|
1
|
AC6
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
設(shè)定DDRAM地址到地址計數(shù)器（AC）
|
72us
|
|
讀取忙碌標(biāo)志（BF）和地址
|
0
|
1
|
BF
|
AC6
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
讀取忙碌標(biāo)志（BF）可以確認(rèn)內(nèi)部動作是否完成，同時可以讀出地址計數(shù)器（AC）的值
|
0us
|
|
寫資料到RAM
|
1
|
0
|
D7
|
D6
|
D5
|
D4
|
D3
|
D2
|
D1
|
D0
|
寫入資料到內(nèi)部的RAM（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）
|
72us
|
|
讀出RAM的值
|
1
|
1
|
D7
|
D6
|
D5
|
D4
|
D3
|
D2
|
D1
|
D0
|
從內(nèi)部RAM讀取資料（DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM）
|
72us
|
指令表—2：（RE=1：擴充指令集）
|
指令
|
指令碼
|
說明
|
執(zhí)行時間（540KHZ）
|
|||||||||||||||||||
|
RS
|
RW
|
DB7
|
DB6
|
DB5
|
DB4
|
DB3
|
DB2
|
DB1
|
DB0
|
|||||||||||||
|
待命模式
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
將DDRAM填滿“20H”，并且設(shè)定DDRAM的地址計數(shù)器（AC）到“00H”
|
72us
|
||||||||||
|
卷動地址或IRAM地址選擇
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
SR
|
SR=1：允許輸入垂直卷動地址
SR=0：允許輸入IRAM地址
|
72us
|
||||||||||
|
反白選擇
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
R1
|
R0
|
選擇4行中的任一行作反白顯示，并可決定反白與否
|
72us
|
||||||||||
|
睡眠模式
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
SL
|
X
|
X
|
SL=1：脫離睡眠模式
SL=0：進入睡眠模式
|
72us
|
||||||||||
|
擴充功能設(shè)定
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
X
|
1
RE
|
G
|
0
|
RE=1： 擴充指令集動作
RE=0： 基本指令集動作
G=1 ：繪圖顯示ON
G=0 ：繪圖顯示OFF
|
72us
|
||||||||||
|
設(shè)定IRAM地址或卷動地址
|
0
|
0
|
0
|
1
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
SR=1：AC5—AC0為垂直卷動地址
SR=0：AC3—AC0為ICON IRAM地址
|
72us
|
|
|||||||||
|
設(shè)定繪圖RAM地址
|
0
|
0
|
1
|
AC6
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
設(shè)定CGRAM地址到地址計數(shù)器（AC）
|
72us
|
|
|||||||||
備注：
1、當(dāng)模塊在接受指令前，微處理順必須先確認(rèn)模塊內(nèi)部處于非忙碌狀態(tài)，即讀取BF標(biāo)志時BF需為0，方可接受新的指令；如果在送出一個指令前并不檢查BF標(biāo)志，那么在前一個指令和這個指令中間必須延遲一段較長的時間，即是等待前一個指令確實執(zhí)行完成，指令執(zhí)行的時間請參考指令表中的個別指令說明。
2、“RE”為基本指令集與擴充指令集的選擇控制位元，當(dāng)變更“RE”位元后，往后的指令集將維持在*后的狀態(tài)，除非再次變更“RE”位元，否則使用相同指令集時，不需每次重設(shè)“RE”位元。
具體指令介紹：
1、**顯示
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
功能：**顯示屏幕，把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H”
2、位址歸位
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
X
|
功能：把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H”，游標(biāo)回原點，該功能不影響顯示DDRAM
3、位址歸位
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
I/D
|
S
|
功能：把DDRAM位址計數(shù)器調(diào)整為“00H”，游標(biāo)回原點，該功能不影響顯示DDRAM功能：執(zhí)行該命令后，所設(shè)置的行將顯示在屏幕的**行。顯示起始行是由Z地址計數(shù)器控制的，該命令自動將A0-A5位地址送入Z地址計數(shù)器，起始地址可以是0-63范圍內(nèi)任意一行。Z地址計數(shù)器具有循環(huán)計數(shù)功能，用于顯示行掃描同步，當(dāng)掃描完一行后自動加一。
4、顯示狀態(tài) 開/關(guān)
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
D
|
C
|
B
|
功能： D=1；整體顯示ON C=1；游標(biāo)ON B=1；游標(biāo)位置ON
5、游標(biāo)或顯示移位控制
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
S/C
|
R/L
|
X
|
X
|
功能：設(shè)定游標(biāo)的移動與顯示的移位控制位：這個指令并不改變DDRAM的內(nèi)容
6、功能設(shè)定
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
DL
|
X
|
0 RE
|
X
|
X
|
功能：DL=1（必須設(shè)為1） RE=1；擴充指令集動作 RE=0：基本指令集動作
7、設(shè)定CGRAM位址
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
H
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
功能：設(shè)定CGRAM位址到位址計數(shù)器（AC）
8、設(shè)定DDRAM位址
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
H
|
AC6
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
功能：設(shè)定DDRAM位址到位址計數(shù)器（AC）
9、讀取忙碌狀態(tài)（BF）和位址
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
H
|
BF
|
AC6
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
功能：讀取忙碌狀態(tài)（BF）可以確認(rèn)內(nèi)部動作是否完成，同時可以讀出位址計數(shù)器（AC）的值
10、寫資料到RAM
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
H
|
L
|
D7
|
D6
|
D5
|
D4
|
D3
|
D2
|
D1
|
D0
|
功能：寫入資料到內(nèi)部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
11、讀出RAM的值
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
H
|
H
|
D7
|
D6
|
D5
|
D4
|
D3
|
D2
|
D1
|
D0
|
功能：從內(nèi)部RAM讀取資料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
12、 待命模式（12H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
功能：進入待命模式，執(zhí)行其他命令都可終止待命模式
13、卷動位址或IRAM位址選擇（13H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
SR
|
功能：SR=1；允許輸入卷動位址 SR=0；允許輸入IRAM位址
14、反白選擇（14H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
R1
|
R0
|
功能：選擇4行中的任一行作反白顯示，并可決定反白的與否
15、睡眠模式（015H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
SL
|
X
|
X
|
功能：SL=1；脫離睡眠模式 SL=0；進入睡眠模式
16、擴充功能設(shè)定（016H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
L
|
H
|
H
|
X
|
1 RE
|
G
|
L
|
功能：RE=1；擴充指令集動作 RE=0；基本指令集動作 G=1；繪圖顯示ON G=0；繪圖顯示OFF
17、設(shè)定IRAM位址或卷動位址（017H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
L
|
H
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
功能：SR=1；AC5~AC0為垂直卷動位址 SR=0；AC3~AC0寫ICONRAM位址
18、設(shè)定繪圖RAM位址（018H）
CODE： RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
|
L
|
L
|
H
|
AC6
|
AC5
|
AC4
|
AC3
|
AC2
|
AC1
|
AC0
|
功能：設(shè)定GDRAM位址到位址計數(shù)器（AC）
1、圖形顯示坐標(biāo)
水平方向X—以字節(jié)單位
垂直方向Y—以位為單位
2、漢字顯示坐標(biāo)
|
|
X坐標(biāo)
|
|||||||
|
Line1
|
80H
|
81H
|
82H
|
83H
|
84H
|
85H
|
86H
|
87H
|
|
Line2
|
90H
|
91H
|
92H
|
93H
|
94H
|
95H
|
96H
|
97H
|
|
Line3
|
88H
|
89H
|
8AH
|
8BH
|
8CH
|
8DH
|
8EH
|
8FH
|
|
Line4
|
98H
|
99H
|
9AH
|
9BH
|
9CH
|
9DH
|
9EH
|
9FH
|
3、字符表
代碼（02H---7FH）
1、文本顯示RAM（DDRAM）
1、文本顯示RAM（DDRAM）
文本顯示RAM提供8個×4行的漢字空間，當(dāng)寫入文本顯示RAM時，可以分別顯示CGROM、HCGROM與CGRAM的字型；ST7920A可以顯示三種字型，分別是半寬的HCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROM字型。三種字型的選擇，由在DDRAM中寫入的編碼選擇，各種字型詳細(xì)編碼如下：
顯示半寬字型 ：將一位字節(jié)寫入DDRAM中，范圍為02H-7FH的編碼。
顯示CGRAM字型：將兩字節(jié)編碼寫入DDRAM中，總共有0000H，0002H，0004H，0006H四種編碼
顯示中文字形：將兩字節(jié)編碼寫入DDRAMK，范圍為A1A0H-F7FFH(GB碼)或A140H-D75FH(BIG5碼)的編碼。
繪圖RAM（GDRAM）
繪圖顯示RAM提供128×8個字節(jié)的記憶空間，在更改繪圖RAM時，先連續(xù)寫入水平與垂直的坐標(biāo)值，再寫入兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)到繪圖RAM，而地址計數(shù)器（AC）會自動加一；在寫入繪圖RAM的期間，繪圖顯示必須關(guān)閉，整個寫入繪圖RAM的步驟如下：
1、關(guān)閉繪圖顯示功能。
2、先將水平的位元組坐標(biāo)（X）寫入繪圖RAM地址；
再將垂直的坐標(biāo)（Y）寫入繪圖RAM地址；
將D15——D8寫入到RAM中；
將D7——D0寫入到RAM中；
打開繪圖顯示功能。
繪圖顯示的緩沖區(qū)對應(yīng)分布請參考“顯示坐標(biāo)”
游標(biāo)/閃爍控制
ST7920A提供硬件游標(biāo)及閃爍控制電路，由地址計數(shù)器（addresscounter）的值來指定DDRAM中的游標(biāo)或閃爍位置。
公安機關(guān)備案號：
