1083nmDBR激光器 1083.33DBRL-TO8
產品簡介
1083nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成,應用范圍包括:光譜學、He磁力儀、光纖放大器種子源、差頻振蕩、替代低功率固體激光器等。 1083nmDBR激光器將光柵放置于激光有源層的一端,可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊,能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。1083nm激光二極管的線寬小于1MHz,輸出功率40-120mW,具有非常好的穩(wěn)定性。調制頻率可達6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
產品詳細信息

www.photodigm.com
1083.33DBRL-TO8
1083nm系列
高功率、單頻輸出激光二極管
核心技術:
(1)DBR單頻激光芯片;(2)AlGaAs 量子阱有源層。
產品特點:
(1)高功率,單頻輸出;(2)激光線寬500kHz-1MHz;(3)多種封裝形式;(4)無跳模調諧范圍寬;(5)使用壽命長;(6)可提供納秒或皮秒脈沖輸出。(7)調制頻率可達6.8GHz(for putting sidebands on the laser)。
1083nm高功率激光二極管是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束,應用范圍包括:光譜學、He磁強計、光纖放大器種子源、差頻振蕩、替代低功率固體激光器等。
DBR激光二極管將光柵放置于激光有源層的一端,可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊,能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。另外,DBR激光二極管采用單步分子束外延生長而成,使生產成本更加低廉,并且保證了低內部損耗和高輸出功率。
技術參數:
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儲存溫度 |
0-80℃ |
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工作溫度 |
5.0-70℃ |
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正向電流(連續(xù)模式??出) |
~300mA(Typ) |
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正向電流(脈沖模式輸出),T=25℃
脈沖寬度:300ns |
1.0A |
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激光反向電壓 |
2.0V |
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光電二極管正向電流 1/2/ |
5.0mA |
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光電二極管反向電壓 1/2/ |
20.0V |
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光電二極管暗電流,VR=10V,1/2/ |
50nA |
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TEC電流 1/2/ |
-1.8—1.8A |
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TEC電壓 1/2/ |
-2.0—2.0V |
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熱敏電阻電流 1/2/ |
1.0mA |
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熱敏電阻電壓 1/2/ |
10V |
連續(xù)模式輸出技術參數(T=25℃)
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中心波長 |
1083nm(Typ.) |
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輸出功率 |
40-180mW |
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斜率效率(蝶形封裝) |
0.36W/A |
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斜率效率(TO-8封裝) |
0.72W/A |
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閾值電流 |
~60mA |
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激光二極管電阻值 |
2.0Ω |
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正向電壓 |
2.0V |
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熱敏電阻阻值@25℃,1/2/ |
10KΩ |
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光電二極管暗電流,VR=10V,1/2/ |
50nA |
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激光線寬 |
1MHz |
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溫度調諧系數 |
20GHz/℃ |
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電流調諧系數 |
0.77GHz/mA |
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偏振消光比,1/ |
-19dB |
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光束發(fā)散角@FWHM |
6x32° |
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邊模抑制比 |
-30dB(Min) |
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激光偏振 |
TE |
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模式結構 |
基模 |
1/蝶形封裝 2/TO-8封裝

注意事項:
此激光二極管是靜電敏感器件,操作時請注意接地保護和佩戴靜電手環(huán)。存儲時請將各管腳短接在一起并放入防靜電的容器內。

可提供多種封裝形式
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公安機關備案號:



